【課題】結晶薄膜の膜質および膜厚を均一にする。
【解決手段】半導体デバイスを形成するためのデバイス用薄膜と、デバイス用薄膜を囲み、デバイス用薄膜の前駆体が結晶に成長することを阻害する阻害部と、前駆体が結晶に犠牲成長することによって形成された犠牲成長部であって、デバイス用薄膜の周辺に阻害部で隔てられて設けられた犠牲成長部と、犠牲成長部の上部を覆い、かつデバイス用薄膜の上部を露出する保護膜を備えた。保護膜はポリイミドであってもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の面内において成長温度に分布が生じるのを緩和し、目的とする窒化物系化合物半導体の結晶品質を面内で均一化できる、窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板および窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。
【解決手段】窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、Ｓｉ（１１１）基板を例とする結晶形成用基板１の、結晶成長が起こる側とは反対側の面に、炭素膜を例とする赤外線吸収層２を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。 （もっと読む）

本発明は、窒化物薄膜構造及びその形成方法に関する。窒化物ではない基板上に窒化物薄膜を形成すれば、基板と窒化物薄膜との格子定数差によって多くの欠陥が生じる。また基板と窒化物薄膜との熱膨張係数差によって基板が反るという問題がある。本発明ではかかる問題を解決するために、中の空いている粒子、すなわち、中空構造物を基板上に塗布した後、その上に窒化物薄膜を成長させた薄膜構造及びその形成方法を提案する。本発明によれば、中空構造物によるＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）効果を得ることができて高品質の窒化物薄膜を形成でき、薄膜構造内の屈折率が調節されることによって、本発明による薄膜構造をＬＥＤのような発光素子で製作する時、光抽出効率が増大するという効果がある。それだけでなく、基板の熱膨張係数が窒化物薄膜に比べてさらに大きい場合には、窒化物薄膜内の中空構造物の圧縮によって窒化物薄膜の全体応力が低減して基板の反りを防止する効果もある。
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【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いエクストリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ以上、比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハ１１の裏面に、エクストリンシックゲッタリング層を形成したので、エピタキシャルシリコンウェーハの反りを低減でき、高いゲッタリング能力が得られる。しかも、ドーパントがウェーハ裏面から外方拡散してデバイス形成面のエピタキシャル膜へ回り込むことで生じるオートドープ現象も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】トレンチ形成工程を有する半導体装置の製造方法において、マスク酸化膜を残したまま、トレンチ内に結晶性の高いエピタキシャル層を埋め込むこと。
【解決手段】ｎ型シリコン基板の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜２３およびマスク窒化膜２４（マスク積層膜）を形成する。次いで、フォトリソグラフィおよびエッチングによりマスク積層膜を開口し、シリコン基板にトレンチを形成する。次いで、残されたマスク積層膜の幅を狭くして、ｎ型半導体２２の、トレンチ２５の開口端付近の部分を露出する（第２の露出部）。この状態で、トレンチ内をｐ型半導体２７で埋め込むことで、マスク積層膜の表面にｐ型半導体２７が覆い被さるのを防ぐ。また、ｎ型半導体２２の第２の露出部からもｐ型半導体２７が成長するので、ｐ型半導体２７の表面にＶ字状の溝が形成されるのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長用シリコンウェーハの断面形状を適正形状とすることにより、特許文献２よりも反りをより一層低減させたエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 エピタキシャル成長用シリコンウェーハおよびエピタキシャル層を有するエピタキシャルシリコンウェーハであって、前記エピタキシャル層は、所定の式の関係を満たす断面形状を有するエピタキシャル成長用シリコンウェーハ上に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

薄膜を成長させる方法であって、表面から伸びる構造体を有する基板上に、少なくとも１つの層をコンフォーマルに形成させることによって薄膜を成長させる工程であり、１つあるコンフォーマル層または各コンフォーマル層が、上記基板の上記表面上および上記表面から伸びる上記構造体上に形成される、工程を含む。１つある上記コンフォーマル層の厚さ、または複数の上記コンフォーマル層の厚さの合計は、上記構造体の平均間隔の少なくとも半分である。上記構造体の長さ、上記構造体の平均間隔および上記構造体の最も寸法が小さいところの大きさのうち少なくとも１つは、１つある上記コンフォーマル層または上記各コンフォーマル層の成長速度が増強されるように設計されている。
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【課題】 半導体層と基板をエッチングで分離する効率を高め、かつプロセスにかかる費用を抑えることができる、基板構造体を除去する方法の提供。
【解決手段】 本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝（ｈ、ｋおよびｌは整数）の主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板およびＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶接合基板は、｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝の主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板１０であって、｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）０｝（ｈおよびｋは整数）の主面１１ｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑを含み、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑの［０００１］方向が同一になるように、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑは互いにそれぞれの主面１１ｍの少なくとも一部で接合されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に各種薄膜を連続的に高速で形成することのできる連続薄膜の形成方法、形成装置、薄膜付きガラス基板及び半導体装置素子を提供する。
【解決手段】断面の厚さｄと幅ｂからなるｄｂ／（２（ｄ＋ｂ））が０．０１５以上０．１５以下の範囲の薄い帯状の基板１０を導入口１１４から隔離部１１０に連続的に導入するとともに、供給口１１６から反応ガス１１を加圧して供給し、基板１０および反応ガス１１を第１隔離ゾーン１１１内を通過させて所定の温度まで急速加熱し、続く第２隔離ゾーン１１２内でさらに加熱して反応ガス１１を基板１０上で分解し、続く第３隔離ゾーン１１３内を通過させて基板１０を所定の温度勾配で急速冷却することにより、基板１０上に反応ガス１１の所定の成分からなる薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】裏面デポの膜厚測定を可能とする方法の提供。
【解決手段】ＦＴＩＲ法によってシリコンウェーハにおける０．３μｍ以下の膜厚変化を測定するための膜厚測定方法であって、膜厚変化を測定する面Ｓ２に測定用の補助膜Ａを成膜する補助膜形成工程Ｓ０１と、補助膜Ａの膜厚を測定する補助膜厚測定工程Ｓ０２と、膜厚変化後に膜厚変化Ｔｒａを測定する測定工程Ｓ０４と、測定工程Ｓ０４の結果および補助膜厚測定工程Ｓ０２の結果から膜厚変化Ｔｒを算出する算出工程Ｓ０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上において滑ることを防止し、ウェーハの周縁部がサセプタの表面に接触することを防止して割れを回避する。
【解決手段】シリコンウェーハは、気相成長装置のサセプタ２０に載せた状態でサセプタ２０が回転するときウェーハ周縁部１１の一部がサセプタ２０の表面に接触しないような反りを付ける。気相成長装置のサセプタ２０にシリコンウェーハ１０を載せて回転しながらシリコンウェーハ１０の主面にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル基板の製造方法では、サセプタ２０に載せた状態でサセプタ２０が回転するときシリコンウェーハ１０の周縁部１１の一部がサセプタ２０の表面に接触しないような反りをシリコンウェーハ１０に付ける。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない半導体層を形成する。
【解決手段】面方位が（１１１）であるＳｉからなる半導体結晶成長用基板本体１１の外周部に膜厚が１００ｎｍの窒化シリコンからなる保護膜１４を形成する。すなわち、半導体結晶成長用基板本体１１の側面１２および半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の最外周から２ｍｍまでの部分に保護膜１４を形成する。また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第１の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程Ｓ１と、前記被処理体を前記第１の温度よりも高い第２の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程Ｓ３とを行う。これにより、低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 複雑な装置を必要とせずに、反応容器内への搬入時に起こるウェーハの反りに起因する裏面エッジ部とサセプタとの擦れから発生するパーティクル、及びシリコンウェーハ裏面エッジ部における傷の発生を低減することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを反応容器２０に流通させることにより反応容器２０内に配置されたシリコンウェーハ２１の表面にエピタキシャル層を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコンウェーハ２１の抵抗率に応じて、シリコンウェーハ２１を反応容器２０へ搬入する際のサセプタ２４の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板をサセプター上に載置し、気相成長する場合に、ＳｉＣ基板がサセプターに固着せず、剥がすときにＳｉＣ基板の損傷を防止することができるＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣ基板は、第５族元素の炭化物と、第６族元素の炭化物と、第１３族元素の窒化物とからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む組成の薄膜を主面に有する気相成長用基板である。この薄膜は、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＭｏＣ、ＷＣ、ＣｒＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはＢＮを含む組成を有する態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の上に第１バッファー層３０を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層３０の上に、複数の開口を有するマスク４０を形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層３０の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層６０a、６０bを形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層６０a、６０bの上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】繰り返し使用されるアモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーを磨耗劣化させることなく、またビーズなどの画像欠陥の原因となるものを使用せず基体ホルダーに付着した物質を効果的に除去可能な基体ホルダー処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーに付着した物質を、パルスレーザー光を照射して除去する工程を含むことを特徴とする基体ホルダーの処理方法。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、成膜速度は低いが品質のよい成膜条件で下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜を形成し、その後、連続的もしくは段階的に高く変えた成膜速度にて微結晶半導体膜を堆積する。また、前記微結晶半導体膜は、成膜室の内側に空間をもって設けられた反応室内にて化学気相成長法にて形成され、さらに前記空間に水素、あるいは希ガスからなる封止ガスを導入し、反応室の内部を超高真空にすることを助け、下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜中の不純物を低いものとする。また、前記微結晶半導体膜をゲート絶縁膜上に形成し、ボトムゲートＴＦＴを作製する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにする。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板Ｗ２と相対的に大型の基板Ｗ１を処理容器３０内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置５であって、処理容器３０内には、基板Ｗ１、Ｗ２を選択的に上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面の中央部３１’には、載置台３１の上面の中央部３１’に載置される小型の基板Ｗ２の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材７０が設けられ、載置台３１の上面の周辺部３１”には、載置台３１の上面の中央部に載置された小型の基板Ｗ２の外側において昇降自在な周辺昇降部材７５が設けられ、周辺昇降部材７５は、載置台３１の上面に載置される大型の基板Ｗ１の裏面を支持可能な位置に配置されている。 （もっと読む）