【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの１つまたは複数を含む方法が記載されている。
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パターンが形成された基板の製造方法が開示される。本発明による他のパターンが形成された基板の製造方法は、酸化物ビードが分散された溶液を用意して基板上にパターンを形成した後、基板上にマイクロチャネルが形成されるように仮設構造物を基板の上方に設ける。そして、酸化物ビードが分散された溶液をマイクロチャネルに注入して基板上に酸化物ビードを固定させ、基板を熱処理する。本発明によれば、低コストの酸化物ビードを所望の形態で基板上にパターニングすることができて、ドライエッチング時に基板に加えられる損傷を防止でき、エッチング過程がなくて素子収率低下問題がなく、結果的に素子の量産性が向上する。また、ドライエッチングのための高コストの装備投資が不要で経済的に有利なだけでなく、短時間に多くの基板を製作できる高い生産性を持つ。
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【課題】エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】表面側に凹又は凸の反りをもつ窒化物半導体基板１であって、裏面３側を平面５に置いたとき、前記平面５と接触していない部分であって前記平面５から前記裏面３までの高さが所定値以上の部分における前記裏面３の平均粗さを、前記平面５と接触している部分を含む前記平面５から前記裏面３までの高さが前記所定値未満の部分における前記裏面３の平均粗さより大きくする。このように、窒化物半導体基板１が平面５と接触していない部分の表面粗さを大きくすれば、その部分の窒化物半導体基板１はより多くの輻射熱を受けて温度が高くなるので、基板面内温度の均一性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、下地基板の上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口と前記金属層を露出しない非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、前記金属層において前記複数の開口により露出された複数の領域を窒化することにより、金属窒化物の複数の第１バッファー層を形成する窒化工程と、前記複数の第１バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる成長工程とを備え、前記複数の開口のそれぞれは、六角形に沿った形状を有しており、前記マスク形成工程では、前記複数の開口における各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下となり隣接する前記開口の間における前記非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口グループと前記金属層を露出しない第１の非開口部と前記金属層をそれぞれ露出しない複数の第２の非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、窒化工程と、第２バッファー層形成工程と、成長工程とを備え、前記開口グループは、六角形に沿った形状をそれぞれ有した複数の開口を含み、前記第１の非開口部は、前記複数の開口グループの間に配され、前記第２の非開口部は、前記開口グループ内の前記複数の開口の間に配され、前記マスク形成工程では、各開口グループ内の各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下になり、各開口グループ内の隣接する前記開口の間における前記第２の非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になり、隣接する前記開口グループの間における前記第１の非開口部の幅が１０μｍ以上になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）

一部の実施形態では、プラズマ処理ツールを利用して処理対象物に対して材料を堆積させる。例えば、材料をコンフォーマルに堆積させる方法が開示される。本実施形態では、プラズマシースの形状を変更して、処理対象物に対して材料が入射角度の範囲で衝撃を与えるようにする。この入射角度の範囲を経時的に変更することにより、様々なフィーチャを堆積することが可能となる。別の実施形態では、プラズマ処理ツールを利用して処理対象物をエッチングする。この実施形態では、プラズマシースの形状を変更して、処理対象物に対してイオンが入射角度の範囲で衝撃を与えるようにする。この入射角度の範囲を経時的に変更することにより、様々な形状のフィーチャを作成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】多光子吸収工程によってゲッタリングシンク４を形成した後で、シリコンウェーハ２を鏡面研磨する（ポリッシング工程：図４（ｂ）参照）。シリコンウェーハ２を鏡面研磨するポリッシング工程によって、前工程である多光子吸収工程においてレーザビームの照射により生じたシリコンウェーハ２の一面２ａの微細な傷（アブレーション）は完全に除去される（図４（ｂ）参照）。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスのスイッチング速度等の性能を向上させる。半導体基板の結晶性を向上させる。
【解決手段】ベース基板と、絶縁層と、Ｓｉ結晶層とをこの順に有する半導体基板であって、Ｓｉ結晶層上に化合物半導体の結晶成長を阻害する阻害層が設けられ、阻害層はＳｉ結晶層にまで貫通する開口を有し、開口の内部にシード結晶を備え、化合物半導体はシード結晶に格子整合または擬格子整合している半導体基板を提供する。サブストレートと、サブストレート上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられたＳｉ結晶層と、Ｓｉ結晶層上に設けられ化合物半導体の結晶成長を阻害する阻害層であって、Ｓｉ結晶層にまで貫通する開口を有する阻害層と、開口の内部に設けられたシード結晶と、シード結晶に格子整合または擬格子整合する化合物半導体と、化合物半導体を用いて形成された半導体デバイスとを備える電子デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを混在させた結晶において少なくとも表面において極性Ａの単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質(マスク）Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積法により均一な膜質の薄膜を基板上に成膜する原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、第１の内部空間を形成する第１の容器と、第１の容器の内部に設けられ、第２の内部空間を形成する筒形状の容器であって、第２の内部空間内に向けて、基板上に薄膜を形成する原料ガスが流れる第１の開口を筒形状の一端に備える第２の容器と、原料ガスを、第１の開口を通して第２の内部空間に供給するガス供給口を備え、かつ、第２の容器の筒形状の長手方向に第２の容器を押えることにより、第１の内部空間に対して第２の内部空間を隔てる押え部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長におけるクラックの発生を低減することができ、高品質なＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を高速に製造できるＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、単一の指数面の結晶成長面を有する種基板を準備する種基板準備工程Ｓ１０と、結晶成長面上にＩＩＩ族窒化物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長工程Ｓ２０とを備え、結晶成長工程は、自発的に形成された低指数面からなる複数の結晶表面で囲みながらＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を成長させる工程であり、低指数面は、結晶面を表す個々の面指数をいずれも３以下とすることにより、結晶成長時の微細クラックの発生が抑制された高品質のＧａＮインゴットが得られる。続いて、ＧａＮインゴットを切断工程Ｓ３０で切断、スライスし、ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶のウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体層上に、第１導電型の半導体領域を形成する工程と、前記第１導電型の半導体領域上にマスク部材を形成する工程と、前記マスク部材に選択的に開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第１導電型の半導体領域をエッチングして、前記開口部の径よりも大きな径を有するトレンチと、前記トレンチの上に突出し前記マスク部材からなる庇状マスクと、を形成する工程と、エピタキシャル成長により、前記庇状マスクの下のトレンチ内に第２導電型の半導体領域を形成し、前記第１導電型の半導体領域と前記第２導電型の半導体領域とが、前記半導体層の主面に対して略平行な方向に交互に繰り返す構造部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】加工しろが小さく一様な加工が容易なＧａＮ基板およびその製造方法、かかるＧａＮ基板を用いたＧａＮ層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板２０は、第１領域２０ｊと、第１領域２０ｊに比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域２０ｉとを含み、第２領域２０ｉは、一方の主面２０ｍから所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり、深さＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差が、深さＤ＋ΔＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差の３倍であり、第２領域２０ｉのＧａ／Ｎ組成比が、第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上であるので、外部から加えられるエネルギーにより、第２領域２０ｉで容易に分離される。 （もっと読む）

【課題】膜特性の優れた堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】減圧可能で内部に基体１０２を設置可能な反応容器部１０１および、反応容器部１０１との間を開口および閉口する弁体を有するゲートバルブ部１３０からなり、弁体により反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を開口して、反応容器部１０１の中に基体１０２を搬入し、堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、ゲートバルブ部は、弁体を摺擦することが可能な摺擦部材と、弁体が反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を閉口している位置から開口している位置に移動する際に、弁体と摺擦部材を摺擦させるか否かの選択可能であって、摺擦させる場合に、摺擦部材が弁体を摺擦することによって、弁体に付着した異物を除去し、さらに除去した異物を反応容器部１０１の中へ落とすことが可能な摺擦機構を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層のエピタキシャル成長に用いるサファイア基板において、効率良く基板の反り形状及び／又は反り量を精密に制御することができ、且つ、成膜中に生じる基板の反りを抑制、それを用いて作製される窒化物半導体層成膜体、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体バルク基板及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板の内部に、前記サファイア基板の研磨面側を通してパルスレーザを集光し、走査し、前記パルスレーザによる多光子吸収を利用して改質領域パターンを形成し、サファイア基板の反り形状及び／又は反り量を制御する。本発明により得られたサファイア基板を用いて窒化物半導体層を形成すると、成膜中の基板の反りを抑制し、基板の反り挙動を小さくすることができるため、膜の品質及び均一性が向上し、窒化物半導体デバイスの品質及び歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板と当該基板に形成される化合物半導体とを電気的に絶縁しつつ、結晶性に優れた化合物半導体を備えた半導体基板を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に設けられたシード結晶と、シード結晶の上方に設けられた化合物半導体と、シード結晶と化合物半導体との間に設けられ、シード結晶よりも大きな抵抗率を有する高抵抗層とを備え、シード結晶と化合物半導体とが格子整合または擬格子整合している半導体基板を提供する。 （もっと読む）

半導体装置を製作する方法または構造体は、従順な材料の層の上に横たわっている半導体材料の構造体を形成することを含み、その後半導体材料構造体を緩和させる従順な材料の粘性を変えて、緩和した半導体材料の連続層を形成する際の種子層として、緩和した半導体材料構造体を利用する。ある実施形態では、半導体材料の層は、III-Vタイプ半導体材料（例えばインジウム窒化ガリウム）から成る。新しい中間構造体が、この種の方法の間、形成される。加工された基板は、緩和した格子の構造体を有する半導体材料の連続層を含む。
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【課題】充分な導電性を確保しつつ、高い熱伝導率と高い電子移動度を有する窒化物系半導体基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】直径２５ｍｍ以上、かつ厚さ２５０μｍ以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、ｎ型のキャリア濃度ｎ［ｃｍ^-3］が１.２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であり、かつ電子移動度μ［ｃｍ²／Ｖｓ］が、ｌｏｇ_eμ＝１７．７−０．２８８ｌｏｇ_eｎで表される値よりも大きく、かつｌｏｇ_eμ＝１８．５−０．２８８ｌｏｇ_eｎで表される値よりも小さい窒化物系半導体基板。また、その窒化物系半導体基板の上に窒化物系半導体をエピタキシャル成長させて半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅回路内の素子の損傷を未然に防止すること。
【解決手段】複数の入力側フェライト５１及び複数の出力側フェライト５２のうち、少なくともいずれか一つの温度を計測する温度計測部を設け、この温度計測部によって計測された温度が予め設定されている第１の閾値を超えた場合に、高周波電源を停止または出力低減させる高周波電源装置を提供する。 （もっと読む）