Fターム［5F045DA62］の内容
気相成長（金属層を除く） (114,827) | 半導体成長層の構造 (3,415) | 半導体成長層の物性 (649)
Fターム［5F045DA62］の下位に属するFターム
バンドギャップ (149)
屈折率 (18)
光導電率・暗導電率 (7)
抵抗値 (59)
結晶欠陥密度・エッチピット密度・表面の面粗さ (221)
水素含有量・結合水素量 (37)
応力（圧縮、引張り）に特徴 (93)
密度 (4)
Fターム［5F045DA62］に分類される特許
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半導体層の組成制御方法
【課題】Ｉｎを化合物半導体層の良好な組成制御を行える半導体層の組成制御方法を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置を用いて、Ｉｎを含む材料ガスをＧａＡｓ基板１１に供給することにより、Ｉｎを含む化合物半導体層をＧａＡｓ基板１１上に形成する際に、材料ガスによってサセプタ１の中央部に堆積した堆積物の量を求め、求められた堆積物の量に応じて、材料ガスが含むＩｎの供給量を変更する。
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