【課題】Ｓｉ単結晶を下地基板として用いた場合の、リーク電流低減と電流コラプス改善が、効果的に達成された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板Ｗの一主面上に窒化物からなる複数のバッファ層Ｂを介して窒化物半導体の活性層Ｃが形成されている窒化物半導体基板であって、バッファ層Ｂは少なくとも活性層Ｃと接する層５０の炭素濃度が１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１Ｅ＋２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であること、バッファ層Ｂと活性層Ｃの界面領域８０において全転位密度に対するらせん転位密度の比が０．１５以上０．３以下であること、さらにバッファ層Ｂと活性層Ｃの界面領域８０における全転位密度が１５Ｅ＋９ｃｍ^−２以下である窒化物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】歪み層形成に供されるウェーハで転位発生に対して耐性が高いエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンエピタキシャル層表面の酸素濃度が１．０×１０^１７〜１２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３とされてなるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、酸素濃度設定熱処理の処理温度Ｘと処理時間Ｙとが、処理温度Ｘが８００℃〜１４００℃の範囲、処理時間Ｙが１８０ｍｉｎ以下で、かつ、
Ｙ ≧ １．２１×１０^１０ ｅｘｐ（−０．０１７６Ｘ）
の関係を満たすように設定される。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くする。
【解決手段】基板処理装置１では、酸化膜除去部４にて基板９の一の主面上のシリコン酸化膜が除去された後、シリル化処理部６にてシリル化材料を付与して、当該主面に対してシリル化処理が施される。これにより、シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】バウの制御のためだけでなく、ＳｉＧｅエピタキシャル層の品質を改善するために、特にＳｉ基板上に堆積されたＳｉＧｅ層のクロスハッチ及び表面ラフネスを低減するために、背面層によって形成された応力を用いる適切な解決策を提供する。
【解決手段】第１の面及び第２の面を有する基板１０、前記基板の第１の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層２０、及び前記基板の第２の面に堆積された応力相殺層３０を有する、半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックが少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層の上に形成された機能層を備える窒化物半導体素子が提供される。機能層は、交互に積層された、複数の機能部低濃度層と、複数の機能部高濃度層と、を含む。機能部低濃度層は、窒化物半導体を含み、Ｓｉ濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３未満である。機能部高濃度層は、Ｓｉ濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３以上である。複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、機能部低濃度層のそれぞれの厚さよりも薄い。複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、０．１ナノメートル以上５０ナノメートル以下である。複数の機能部低濃度層のそれぞれの厚さは、５００ナノメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】厚膜化が可能で、反りが小さく、かつリーク電流が小さい半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上方に形成された第１のバッファ領域と、第１のバッファ領域上に形成された第２のバッファ領域と、第２のバッファ領域上に形成された活性層と、活性層上に形成された少なくとも２つの電極とを備え、第１のバッファ領域は、第１半導体層と、第２半導体層とが順に積層した複合層を少なくとも一層有し、第２のバッファ領域は、第３半導体層と、第４半導体層と、第５半導体層とが順に積層した複合層を少なくとも一層有し、第４半導体層の格子定数は、第３半導体層と第５半導体層の間の格子定数を有する半導体素子。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板２と、バッファ層３と、窒化物系化合物半導体４とを備える。バッファ層３は、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを積層した第１のバッファ領域３２１，３３１と、ＧａＮ層を有する第２のバッファ領域３２２，３３２とを交互に積層して構成される。バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板３の表面３ａに第１の半導体薄膜を、この基板３の裏面３ｂに第２の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板３の表面３ａを赤外線ランプ１５で加熱するとともに、この表面３ａに第１の原料ガスｇ１を導入し、この表面３ａに第１の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板３の裏面３ｂに第２の原料ガスｇ２を導入し、この裏面３ｂに第２の半導体薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ電子走行層の厚さを広い範囲で選択することができ、デバイス設計の自由度を高めることができる窒化物半導体素子、および耐圧および信頼性に優れる窒化物半導体素子パッケージを提供すること。
【解決手段】基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。これにより、ＨＥＭＴ素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】チャネル層中のキャリア濃度を増すため、高いアルミニウム含有率を有した厚いＡｌＧａＮ層は、成長中か冷却後にひびが入る傾向があり、これによってデバイスが破壊される。
【解決手段】基板上の第１のＩＩＩ族窒化物層は第１の歪みを有する。ＧａＮ層のような第２のＩＩＩ族窒化物層が、第１のＩＩＩ族窒化物層上に設けられている。第２のＩＩＩ族窒化物層は、第１のＩＩＩ族窒化物層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ第１の歪みの大きさよりも大きい第２の歪みを有する。ＡｌＧａＮ層又はＡｌＮ層のような第３のＩＩＩ族窒化物層がＧａＮ層上に設けられている。第３のＩＩＩ族窒化物層は、第２のＩＩＩ族窒化物層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ第２の歪みと逆の歪みの型の第３の歪みを有する。ソースコンタクトとドレインコンタクトとゲートコンタクトを第３のＩＩＩ族窒化物層上に設ける。 （もっと読む）

【課題】比較的短い製造時間で容易且つ確実に反りのない基板を得ることを可能とし、低コストで信頼性の高い高耐圧及び高出力の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に、ＡｌＮからなる第１のバッファ層２と、ＡｌＧａＮのＡｌ組成比率が均一となるように形成された均一組成領域３ａと、第２のバッファ層３の上面に近づくにつれてＡｌＧａＮのＡｌ組成比率が徐々に高くなるように形成された傾斜組成領域３ｂとが積層されてなる第２のバッファ層３とが形成され、第２のバッファ層３上に電子走行層４及び電子供給層６等が形成されてＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】基板に化合物半導体を結晶成長する際の基板の反りを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の一方の面にアモルファス半導体層を形成する工程と、基板の他方の面に化合物半導体層を形成する際の加熱処理により、アモルファス半導体層を結晶化させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させた場合の基板の反り、またはＧａＮ結晶の割れを抑制する。
【解決手段】ベース基板と第１結晶層と第２結晶層と機能層とを有し、ベース基板、第１結晶層、第２結晶層および機能層が、ベース基板、第１結晶層、第２結晶層、機能層の順に配置され、第１結晶層と第２結晶層とが格子整合または擬格子整合して接し、機能層の熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数より大きく、第１結晶層の格子定数が、第２結晶層の格子定数より小さく、第１結晶層および第２結晶層が互いに接する第１界面と、機能層側に位置する第２結晶層の第２界面とを、同一視野に含んで断面ＴＥＭ像を観察した場合、第１界面を含んで観察される第１モアレ画像の面積が、第２界面を含んで観察される第２モアレ画像の面積より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】クラックを低減した窒化物半導体電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１０１の上に形成された半導体層積層体と、半導体層積層体の上に形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８と、ソース電極とドレイン電極との間に形成されたゲート電極１０９とを備えている。半導体層積層体は、第１の凹部１０２ａを有する第１の窒化物半導体層１０２と、第１の凹部の底面上に形成された第２の窒化物半導体層１０５と、第１の凹部を除く領域の上及び第１の凹部の側面上に形成された第３の窒化物半導体層１０６とを有している。バンドギャップエネルギーの平均値が、第２の窒化物半導体層は第１の窒化物半導体層よりも大きく、第３の窒化物半導体層は第１の窒化物半導体層よりも大きく且つ第２の窒化物半導体層よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体材料上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層の堆積中、パーティクル生成を最小限化する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ前駆体と、分解温度がゲルマンより高いＧｅ前駆体とを含む雰囲気中に基板を設けるステップ、および最終Ｇｅ含有量が約０．１５より大きくかつパーティクル密度が約０．３パーティクル／ｃｍ^２より小さいＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を前記基板上に堆積するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】反りのない優れた結晶性を有するＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】希土類ペロブスカイト基板上１１に、ＡｌＮからなる低温保護層１２を成長させ、この低温保護層１２上に、Ａｌの組成ｘ１が０．４０≦ｘ１≦０．４５のＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎからなる第１ＡｌＧａＮ系半導体層を成長させる。そして、前記第１ＡｌＧａＮ系半導体層上に、Ａｌの組成ｘ２が０≦ｘ２≦０．４５のＡｌ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２Ｎからなる第２ＡｌＧａＮ系半導体層以降の成長層を積層させて、組成勾配層１３，１４とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板を成長基板として用いたIII 族窒化物半導体からなるＨＥＭＴの製造方法において、ウェハの反りを低減すること。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に形成されたバッファ層１１は、初期層１１０と厚さ４μｍ以上の複合層１１１が積層された構造である。初期層１１０は、６０ｎｍ以上の第１のＡｌＮ層１１０ａ、６０ｎｍ以上の第１のＧａＮ層１１０ｂが積層された構造であり、複合層１１１は、第２のＡｌＮ層１１１ａと、第２のＡｌＮ層１１１ａ上に形成された第２のＧａＮ層１１１ｂとからなる積層構造を複数回繰り返した構造である。第２のＡｌＮ層１１１ａに対する第２のＡｌＮ層１１１ａの厚さの比は４〜５である。複合層１１１形成時のＶ／III 比は、初期層１１０形成時よりも高くしている。バッファ層１１上には、電子走行層１２と電子供給層１３が形成されており、その総膜厚は１μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体層における応力を緩和し低動作電圧で高発光効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ型半導体層と、窒化物半導体を含むｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ、互いに積層され、ＧａＮを含む複数の障壁層と、複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、第１Ｉｎ組成比のＩｎＧａＮを含む井戸層と、を有する発光部と、ｎ型半導体層と発光部との間に設けられ、互いに積層され、ＧａＮを含む複数の第１層と、複数の第１層のそれぞれの間に設けられ、第１Ｉｎ組成比の０．６倍以上で第１Ｉｎ組成比よりも低い第２Ｉｎ組成比のＩｎＧａＮを含む第２層と、を有する多層構造体と、多層構造体と発光部との間に設けられ、Ａｌ_ｙ１Ｇａ_１−ｙ１Ｎ（０＜ｙ１≦０．０１）を含む第３層を含むｎ側中間層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）