【課題】単一半導体基板上にＨＢＴおよびＦＥＴのような異なる種類の複数デバイスを形成するに適した化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】第１半導体１１０と、第１半導体上に形成された、電子捕獲中心または正孔捕獲中心を有するキャリアトラップ層１３０と、キャリアトラップ層上にエピタキシャル成長され、自由電子または自由正孔が移動するチャネルとして機能する第２半導体１４４と、第２半導体上にエピタキシャル成長したＮ型半導体／Ｐ型半導体／Ｎ型半導体で表される積層体、または前記第２半導体上にエピタキシャル成長したＰ型半導体／Ｎ型半導体／Ｐ型半導体で表される積層体を含む第３半導体１６０とを備える半導体基板。 （もっと読む）

【課題】非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】無極性、もしくは半極性、窒化物半導体基板３１にＩｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下、Ａｌ組成比ｙが０．０以上１．０以下のＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ井戸層を有する、窒化物半導体発光素子３０を製造する手法において、発光層３５より下部に形成される、ｎ型窒化物半導体層を、９００℃以上１1００℃以下の成長温度で形成し、かつ、発光層３５より上部に形成される、Ａｌを有するｐ型窒化物半導体からなる層が、６００℃以上９００℃未満の成長温度にて形成されることで、非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する。また、平坦性の改善により、素子の歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モフォロジを有する窒化ガリウム系半導体膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、III族窒化物半導体支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５、活性層１７及びＧａＮ系半導体領域１９を備える。III族窒化物半導体支持体１３の主面１３ａは、基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸ＣｘはIII族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる。ＧａＮ系半導体領域１５は半極性主面上１３ａに設けられる。ＧａＮ系半導体領域１５のＧａＮ系半導体層２１は例えばｎ型ＧａＮ系半導体からなり、ｎ型ＧａＮ系半導体にはシリコンが添加されている。ＧａＮ系半導体層２３の酸素濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上であるとき、ＧａＮ系半導体層２３の主面上に引き続き成長される活性層１７の結晶品質が良好になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロエレクトロニクス、ナノエレクトロニクス、又はマイクロテクノロジー、ナノテクノロジーの各分野で利用される基板（３）を形成するサポート（２）の表面上に形成される薄膜層（１）の特性を変化させるプロセスに関する。
【解決手段】このプロセスは、以下からなることを特徴としている。−特定の上面を有するナノ構造化サポート（２）上に少なくとも１つの薄膜層（１）を形成すること、及び、−特定の上面を有するナノ構造化サポート（２）を処理して、サポート内に内部歪みを発生させて、少なくとも薄膜層の平面内にその変形を引き起こすことによって、薄膜層の対応する変形を確実にして薄膜層の特性を変化させること、である。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱構造の化合物半導体を用いてノーマリ・オフの化合物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】キャリア走行半導体層１５はスペーサ半導体層１７と支持体１３との間に位置する。電子デバイス１１では、基準軸Ｃｘに対して傾斜した基準平面Ｒ２に沿ってヘテロ接合が延びるので、ピエゾ電界Ｐｚも基準平面Ｒ２に対して傾斜した方向に向く。ピエゾ電界の平行な成分Ｐｚ（Ｔ）はヘテロ接合２１に沿って延在する内部電界として働く。この内部電界はヘテロ接合２１の二次元キャリアに作用して、ゲート電極１９直下のヘテロ接合におけるキャリア濃度が調整される。内部電界の働きにより、ゲート電極１９にゼロボルトが印加されているとき、二次元キャリアは、ゲート電極１９直下のヘテロ接合２１のバンドの屈曲部に実質的に蓄積されない。電子デバイス１１はノーマリ・オフ特性を有する。 （もっと読む）

【課題】オフ時に過剰に落ち込んだドレイン電流をより早期に回復させることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成され、ＡｌＮ層２よりも電子親和力が大きいＡｌＧａＮ層３と、ＡｌＧａＮ層３上に形成され、ＡｌＧａＮ層３よりも電子親和力が小さいＡｌＧａＮ層４と、が設けられている。更に、ＡｌＧａＮ層４上に形成されたｉ−ＧａＮ層５と、ｉ−ＧａＮ層５上方に形成されたｉ−ＡｌＧａＮ層６及びｎ−ＡｌＧａＮ層７と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、長時間駆動時のオン抵抗増大による不良を抑制し、良品率を高めて生産歩留まりを向上させる。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子は、基板（１０２）の上方に設けられたチャネル層（１０４）と、このチャネル層上にヘテロ界面を形成するように設けられたバリア層（１０５）と、このバリア層上に設けられた複数の電極（１０６、１０７、１０８）と、これらの電極の少なくとも一部の領域を除いてバリア層の全表面を覆うように設けられた絶縁層（１０９）と、この絶縁層上に積層された水素吸着層（１１０）、または絶縁層と水素吸着層とが一体化された一体化層を含んでいる。
ここで、水素吸着層（１１０）または一体化層がその水素を吸い寄せる力によって、その層内に存在する水素原子が半導体層側へ拡散することを抑制し得る。 （もっと読む）

【課題】発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】本発明では、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部を順次積層させた窒化物半導体を得るに際し、非極性の窒化物の主面を有する基体の上に結晶成長させることとし、一方導電型の窒化物半導体部を第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層を順次積層させたものとするとともに、第２の窒化物半導体層を４００ｎｍ〜２０μｍの厚みを有し最表面が非極性面であるようにした。結晶成長用の基体として上記のものを選択することによりＱＣＳＥ効果に基づく発光に寄与する電子とホールの空間的分離が抑制され、効率的な輻射が実現される。また、上記第２の窒化物半導体層の厚みを適正なものとすることにより、極めて激しい凹凸を呈する窒化物半導体表面となることが回避される。 （もっと読む）

【課題】高純度で光学特性に優れた窒化アルミニウム単結晶基板を提供する。
【解決手段】無機ベース基板１１上に、第一の窒化アルミニウム単結晶層１２を成長させて、第一の積層体１５を製造し、第一の積層体１５から無機ベース基板１１を分離して窒化アルミニウム単結晶自立基板１６を準備する。前記窒化アルミニウム単結晶自立基板１６は、酸素濃度を、例えば、２．５×１０^１７ａｔｏｍ／ｃｍ^３を超え２．０×１０^１９ａｔｏｍ／ｃｍ^３以下とする。続いて、前記窒化アルミニウム単結晶自立基板１６の温度を１４００〜１９００℃の範囲に制御し、かつ、該窒化アルミニウム単結晶自立基板１６の窒素極性を有する面１４上に、ハロゲン化アルミニウムガス、および窒素源ガスを供給し、窒化アルミニウム単結晶層１７を成長させて積層体１８を製造し、該窒化アルミニウム単結晶自立基板１６を分離することにより、窒化アルミニウム単結晶基板１９を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶性を向上するＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ基板の製造方法および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ結晶１０の製造方法は、ＡｌＮ下地基板１１を準備する工程と、ＡｌＮ下地基板１１上にＡｌＮ結晶１０を成長する工程と、ＡｌＮ結晶１０からＡｌＮ下地基板１１を分離する工程とを備えている。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の一方は、２８０ｎｍ以下の波長の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1以上である。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の他方は、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1未満である。上記分離する工程では、ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する。 （もっと読む）

【課題】改善されたデバイス性能を有する窒化物半導体膜を成長する。
【解決手段】半導体デバイス用エピタキシャル窒化膜を成長環境内で製造するための方法であって、反応器成長チャンバ内に成長基板を配置することと、高窒化物化学ポテンシャル環境を形成することであって、窒素源である前駆体ガスを前記成長チャンバ内に、前駆体ガスが少なくとも前記成長基板の成長表面近くに導入されるような方向に注入すること、およびＩＩＩ族アルキルを成長チャンバ内に、ＩＩＩ族アルキルの熱分解温度未満の温度で注入すること、を含む高窒化物化学ポテンシャル環境を形成すること、成長環境内でエピタキシャル窒化膜を成長させることとを含む方法、が提供される。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】周期表１４族元素の多結晶体を高速で得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】周期表１４族元素の多結晶体の製造方法であって、所定の電極１１，１２を備えた反応容器１０中に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成する超臨界形成工程と、超臨界形成工程で形成された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態において電極１１，１２間に印加することによりプラズマ放電を発生させ周期表１４族元素の多結晶体を生成させるプラズマ放電工程と、を有する周期表１４族元素の多結晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通転位及びリーク電流が低減され、高周波用の窒化物半導体トランジスタの製造に適した窒化物半導体エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体エピタキシャルウエハ１は、窒化物半導体を成長させる成長基板１０と、成長基板１０の上方にて形成される第１の構造層１２と、第１の構造層１２上で成長することにより転位の伝搬方向を変化させる転位伝搬方向転換層１４と、転位伝搬方向転換層１４上に形成される第２の構造層１６と、第２の構造層１６上に形成され、第２の構造層１６を伝搬した転位の伝搬方向を変化させるバッファ層２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ極めて薄いバッファ層を用いて、工業的に安定でかつ低コストで、基板と格子定数の異なる良質の薄膜を形成した半導体基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、格子定数ｘを有するものである。第１の半導体層２は、基板１上に形成され、格子定数ｙを有し、少なくともＳｂを含んでいる。第２の半導体層３は、第１の半導体層２上に形成され、格子定数ｙからｚまで格子定数を段階的又は連続的に変化させものである。第３の半導体層４は、第２の半導体層３上に形成され、格子定数ｚを有するものある。これらの格子定数の関係は、ｘ＜ｚ＜ｙの関係を有している。基板１上に格子定数の異なる薄膜を形成する際に、まずＳｂを含む半導体を形成し、その上層に格子定数を変化させるためのバッファ層を形成することで、従来に比べ薄いバッファ層で結晶欠陥のない薄膜形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板上にＩｎを含む活性層を成長させる際に、Ｉｎが取り込まれる割合を高めることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面からのオフ角が２０°以上２８°以下の範囲に含まれる主面を有するＧａＮ基板１５上にＩｎＧａＮ井戸層５ａを成長させる工程において、成長温度を６００℃以上７００℃以下の範囲に含まれる温度とし、Ｎ原料ガスの流量Ｑ_VとＩｎの原料ガスの流量Ｑ_Inとのモル流量比（Ｑ_V／Ｑ_In）を９０００以上３００００以下の範囲に含まれる値とし、井戸層５ａの成長速度を０．０１［μｍ／時］以上０．１［μｍ／時］以下の範囲に含まれる速度とし、井戸層５ａの一層毎の厚さを１０ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】反りが抑制され、結晶性を低下させることなく、高品質なＳｉＣ膜が形成された化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０の表面１０ａに、前記Ｓｉ基板１０の表面１０ａに該表面１０ａにおける幅Ｗおよび該表面１０ａからの深さＤが、ＳｉＣ膜２０の厚さよりも大きい溝部３０を形成し、前記Ｓｉ基板１０の表面１０ａに、前記溝部３０によって島状にそれぞれ分離された複数のＳｉＣ島部２０ａとして、ＳｉＣ膜２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の破壊靭性を改善する。
【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、ＧａＮの組成と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、１．２ＭＰａ・ｍ^1/2以上の破壊靭性値と、２０ｃｍ²以上の面積をと有することを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
本発明に従う半導体発光素子は、電子を放出する第１半導体層、ホールを放出する第２半導体層、前記電子とホールとの結合により光を出す活性層を含む発光構造層を含み、前記発光構造層のうち、少なくとも１層は少数キャリヤを含む。
（もっと読む）

【課題】光の吸収効率が高められかつ集積型薄膜光電変換モジュールに好ましく組み入れられ得る積層型光電変換装置を低コストで提供する。
【解決手段】 ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置の製造方法であって、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、一導電型のシリコン複合層、および第二の光電変換ユニットにより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層は、シリコンと酸素との非晶質合金母相中に分散したシリコン結晶相を含み、４０原子％以上６０原子％以下の膜中酸素濃度を含んでいて６００ｎｍの波長の光に対して１．７以上２．１以下の屈折率を有するとともに、２０ｎｍより大きく１３０ｎｍより小さい厚さを有し、シリコン複合層をＣＯ₂とＳｉＨ₄のガス流量比が２以上１０以下かつ基板温度が１５０℃以上２５０℃以下で形成したことを特徴とする積層型光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）