【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】 イオン分布を制御してイオンを含むマイクロプラズマにより面内均一性の高いプラズマ処理を実現することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 誘電体からなるマイクロ波透過板２８で天壁が構成されたチャンバー１内に、被処理体Ｗを載置する載置台２を設け、マイクロ波透過板２８を透過したマイクロ波によってプラズマを形成し、該プラズマにより載置台２に載置された被処理体Ｗにプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波透過板２８は、載置台２と対向して設けられ、そのマイクロ波透過面の少なくとも載置台２に載置された被処理体Ｗの周縁部における被処理体Ｗのエッジまでの領域に対応する部分に凹凸状部４２を有し、被処理体Ｗの中央部に対応する部分は平坦部４３となっている。 （もっと読む）

【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う処理室１０１と、被処理体Ｗを加熱する加熱装置１３１と、処理室１０１の内部を排気する排気機構１３０と、処理室１０１を収容する収容容器１０２と、収容容器１０２の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構１２０と、処理室１０１の側壁に設けられた複数のガス導入孔１０１ａとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔１０１ａを介して、処理室１０１の内部に複数の被処理体Ｗの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室１０１内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体を用いたパワーダイオード、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー
半導体素子について、クラックフリーで形成されて従来よりも厚い窒化物化合物半導体層
を使用して耐圧を向上することである。
【解決手段】シリコン基板１上に厚さ１０μｍ以上の凸状に選択成長された窒化物化合物
半導体からなるキャリア移動層３と、キャリア移動層３上に形成された電極４とを有し、
１つのパワー半導体素子は１つのキャリア移動層３から構成されている。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜または金属シリケート膜を含む薄膜ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、Ｖ_ＦＢを十分に制御し、Ｖ_ｔｈを十分に制御すること。
【解決手段】基板１上に、第１の金属の酸化膜、または、第１の金属のシリケート膜からなる第１高誘電率ゲート絶縁膜５を形成する第１工程と、第１高誘電率ゲート絶縁膜５上に、第２の金属の酸化膜からなる第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する第２工程と、第２高誘電率ゲート絶縁膜６上に、ゲート電極膜７を形成する第３工程と、を有し、前記第２工程では、第２の金属元素および炭化水素基からなる主原料と、溶媒材料と、を混合した混合材料を用いて、原子層蒸着法により第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内に、絶縁膜が設けられたウエハＷを配置する工程と、処理容器１内にＴＥＯＳなどのシリコン原子を含む化合物のガスと水蒸気などのＯＨ基供与性ガスを供給し、絶縁膜の表面にＳｉ−ＯＨ基を形成させる表面改質工程と、処理容器１内にマンガン含有材料を含む成膜ガスを供給し、ＣＶＤ法によりＳｉ−ＯＨ基が形成された絶縁膜の表面にマンガン含有膜を成膜する成膜工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にＳｉ−Ｃ結合を含む初期層を形成する工程（ｔ４）と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程（ｔ６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜の成膜の際、高周波と低周波の２周波を切り替え、膜厚方向に膜特性の変調をかけることで、低誘電率を保持したまま密着強度を向上させる。プラズマ発生のための高周波と低周波が同一電極から印加される。そして絶縁膜の成膜開始時あるいは成膜終了時の少なくとも一方において、低周波の入力が成膜開始時及び成膜終了時を除いた他のタイミングより高い。例えば絶縁膜は、厚さ方向における少なくともどちらか一方の端部が、高周波と低周波の２周波により密着層となり、密着層以外の部分は低周波の入力を低下あるいは０にすることで低誘電率絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】
高い誘電率のチタン酸化膜を低温で形成する。
【解決手段】
ウエハ１４上に下電極１５５を形成するステップ（Ｓ１００）と、下電極１５５界面にＡｌＯｘ膜１６０を形成するステップ（Ｓ２００）と、ＡｌＯｘ膜１６０上にＨｆＡｌＯｘ膜１６５を形成するステップ（Ｓ３００）と、ＨｆＡｌＯｘ膜１６５が形成されたウエハ１４をアニーリング（熱処理）するステップ（Ｓ４００）と、アニーリングされたＨｆＡｌＯｘ膜１６５上にＴｉＯ_２膜１７０を形成するステップ（Ｓ５００）と、ＴｉＯ_２膜１７０が形成されたウエハ１４をアニーリングするステップ（Ｓ６００）と、を行いキャパシタ絶縁膜を形成し、このキャパシタ絶縁膜の上に上電極１７５を形成する（Ｓ７００）。 （もっと読む）

絶縁層としてフッ素化炭素層を持つ半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：マイクロ波パワー励起プラズマを用いて第１のフッ素化炭素（ＣＦｘ１）層を形成するステップ；及びＲＦパワー励起プラズマを用いて第２のフッ素化炭素（ＣＦｘ２）層を形成するステップを含む。
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【課題】 プラズマＣＶＤ法によって、電荷蓄積層として利用可能な、トラップが多数存在する窒化珪素膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、処理容器１内の圧力を１０Ｐａ以上１３３．３Ｐａ以下の範囲内に設定し、高周波電源９から、ウエハＷを載置する載置台２の電極７にウエハＷの面積当り０．００９Ｗ／ｃｍ^２以上０．６４Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内の出力密度で高周波電力を供給して、ウエハＷにＲＦバイアスを印加しながら、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用いてプラズマＣＶＤを行う。 （もっと読む）

【課題】膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体装置７１は基板５５、絶縁体５６、酸化タンタル膜６６、強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７、上部電極膜６２を有している。
酸化タンタル膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。
酸化タンタル膜６６は酸素を含み、格子情報が強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７の結晶と近似している。
そのため、酸化タンタル膜６６上にＳＴＮを結晶化すると、酸素欠損がなく、結晶粒径が１００ｎｍ以下の強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７が得られる。 （もっと読む）

【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる成膜法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１では、Ｏ_３ガスを処理室２０１に供給する工程と、処理室２０１に残留するＯ_３ガスを排出する工程と、ＴＤＭＡＳガスを処理室２０１に供給する工程と、処理室２０１に残留するＴＤＭＡＳガスを排出する工程とを含み、これらの各工程を順次、所定回数実行し、ウエハ２００表面にＳｉＯ_２膜を形成する成膜方法であって、ＴＤＭＡＳガスが供給される際の処理室２０１内の圧力と供給時間から規定されるＴＤＭＡＳガスの暴露量と、Ｏ_３ガスが供給される際の処理室２０１内の圧力と供給時間から規定されるＯ_３ガスの暴露量との比を制御することで、膜中のＳｉ元素とＯ元素との比率を所望の値とすることができる成膜方法がなされる。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、薄膜を形成する工程は、基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】α-アルミナを含むアルミナ膜の成膜温度の低温化を図ることができる成膜方法等を提供する。
【解決手段】
処理容器２内に被処理体（ウエハＷ）を載置し、有機アルミニウム化合物を含む原料ガスと、水蒸気等の水素原子、酸素原子を含む酸化ガスとを当該処理容器２内に導入する。次いで当該処理容器２内の処理雰囲気を２００℃以上５００℃以下の温度範囲に加熱して、被処理体の上にダイアスポアを含む含酸素アルミニウム化合物の膜を形成し、当該被処理体を８００℃以上、１，０００℃以下の温度範囲で加熱して、当該含酸素アルミニウム化合物の膜を、α-アルミナを含むアルミナ膜に変化させる。 （もっと読む）

【課題】α-アルミナを含むアルミナ膜の成膜温度の低温化を図ることができるアルミナ膜の成膜方法、成膜装置及び前記成膜方法を実施するプログラムを格納した記憶媒体を提供する。
【解決手段】
処理容器２内に被処理体であるウエハＷを載置した後、アルミニウムのβ-ジケトン錯体を含む原料ガス及び酸素ガス等の酸化ガスを導入して、その処理容器２内の処理雰囲気の温度を２００℃以上、１，０００℃以下の温度範囲に加熱することによりウエハＷ表面にα-アルミナを含むアルミナ膜を形成する。 （もっと読む）