【課題】保守員が基板処理装置の稼動計画に影響を受けることなく、基板処理装置が備えるコントローラのプログラムアップデートの予約作業を行うだけで、アップデート作業を自動で実施することを可能とする基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する少なくとも１台以上の基板処理装置１０と、基板処理装置に接続される郡管理装置２０と、を備える基板処理システムにおいて、郡管理装置が、基板処理装置の稼動状態を監視することにより基板処理装置のプログラムをアップデートするタイミングを把握し、タイミングに達したらプログラムをアップデートする。 （もっと読む）

【課題】装置高さを変えることなく、また反応容器サイズを変えることなく、反応容器のメンテナンスを行うことを可能にする。
【解決手段】基板処理装置、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室２０１を閉塞する蓋体と、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記蓋体に載置される着脱治具４００と、前記反応容器２０７の内側壁に該反応容器２０７の下端より上方側に設けられ、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記着脱治具４００の上面と突き当てられる支持部とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】複数の排気管を接続する排気下流側接続部のメンテナンスを容易にする。
【解決手段】筐体を備えた基板処理装置であって、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記反応容器２０７の下端を閉塞する蓋体と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給管２３０と、前記加熱装置と前記蓋体との間の前記反応容器２０７の側壁に一体成形され該反応容器２０７内を排気する複数の排気管２３１とを筐体内に有し、前記複数の排気管２３１の排気下流側接続部を、前記筐体一側面に面するメンテナンスエリア側に配置する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル結晶成長時に反応炉の導入配管内に残留したＳｅの影響を受けないIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係るIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、反応炉５内に配置した基板上にＳｅを含むIII−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル結晶を層成長させた後、次回のエピタキシャル結晶成長を行う前に、反応炉５の導入配管３に有機金属ガス２のみを流し、導入配管３内に残留したＳｅを取り除くものである。 （もっと読む）

【課題】処理装置で処理ガスを使用しない場合には，処理ガス供給源から処理装置までの配管内を不活性ガス充填状態にしてその間に配管内に堆積物が発生することを防止する。
【解決手段】ガスボンベ２１０からの処理ガスを処理装置へ供給する処理ガス供給配管２２０と，ガス供給配管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源２３０とを備え，システム稼働中はガス供給配管内に不活性ガスを充填して待機し，処理装置から処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信すると，ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始し，処理装置から処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信すると，処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止してガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力異常の原因を的確に判定する。
【解決手段】処理室内の圧力を調整するためのバルブを制御して処理室内の圧力を目標値に調整し，バルブを閉じて圧力チェックを開始し，そこから所定の圧力チェック時間分の処理室内の圧力データを取得し（例えば圧力データ収集），圧力データの時間変化を示す波形の識別を行い，その結果に基づいて処理室内の圧力の異常原因を判定する（例えばリーク異常判定，アウトガス異常判定，圧力異常原因判定）。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板を処理するための方法及び装置を提供する。特に、本発明は、クラスタツールに使用されるモジュラー処理セルを提供する。本発明のモジュラー半導体処理セルは、噴射キャップを有するチャンバと、上記噴射キャップに隣接して配置され、上記噴射キャップを通して上記チャンバへ１つ以上の処理ガスを供給するように構成されたガスパネルモジュールと、を備える。この処理セルは、更に、上記チャンバの下方に配置されたランプモジュールを備える。このランプモジュールは、複数の垂直配向ランプを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、部材の交換を要することなく、部材を再生することができ、被処理ウェーハの汚染を抑えることが可能な半導体製造装置の保守方法、半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置の保守方法は、基材に第１のＳｉＣ膜が被覆された部材３、５ａ、５ｂが設置され、被処理ウェーハ１上にＳｉエピタキシャル膜を形成するための反応炉２内で、経時的に第１のＳｉＣ膜の少なくとも一部が昇華した部材の表面に、第２のＳｉＣ膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】手作業によらず、反応チャンバーの排気部に蓄積された固体沈殿物を除去できる洗浄装置を提供する。
【解決手段】ガス供給部から、反応チャンバーで進行された工程の反応ガスによって前記各反応チャンバーに対応して設置された排気部及び真空ポンプに蓄積される固体沈殿物を除去するために、フッ素または塩素含有ガスにプラズマパワーを印加してフッ素または塩素ラジカルに変換させるプラズマソース供給手段と、前記プラズマソース供給手段で変換された前記ラジカルを前記排気部にそれぞれ供給することで、蓄積される前記固体沈殿物を除去する反応チャンバーの排気部及び真空ポンプ洗浄装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】装置メンテナンス時期の容易な把握を可能にする半導体装置の製造方法および加熱部材を提供する。
【解決手段】例えば、ランプ加熱部から石英窓１４を介してウエハ処置室を加熱するような機構を含む半導体製造装置を用いてデバイスプロセスを行う。そして、このような半導体製造装置で用いる石英窓１４として、その中心部の内部に目印２０が埋め込まれたものを用いる。半導体製造装置を経時的に使用すると、例えばプラズマダメージ等により石英窓１４の削れが進行するが、その削れの進行度合いを例えば目印２０の有無等により目視で確認でき、それに応じて石英窓１４の交換といった装置メンテナンス時期を容易に把握できる。 （もっと読む）

【課題】排気管内から処理室内へのガスの逆流の発生を防止する。
【解決手段】処理室１６を形成したプロセスチューブ１３と、プロセスチューブ１３の下端に連設されたマニホールド１９と、マニホールド１９に接続された排気管３３と、排気管３３に介設されたメインバルブ３４と、メインバルブ３４を制御する圧力制御部３８とを備えている処理炉１０において、マニホールド１９に処理室１６内の圧力を測定する処理室側圧力計３６を設け、排気管３３に排気管３３内の圧力を測定する排気管側圧力計３７を設け、圧力制御部３８は処理室側圧力計３６と排気管側圧力計３７との測定結果に基づき処理室１６内の圧力の方が排気管３３内の圧力よりも高くなるように制御するように構成する。処理室内の圧力の方が排気管内の圧力よりも高くなるように制御することにより、排気管内から処理室内へのガスの逆流の発生を防止できる。
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本発明の実施形態は、ＣＶＤを使用して膜を形成する方法および装置に関する。１つ以上の方法および装置の実施形態は、ＣＶＤ装置の排出ラインにおけるポリマーの形成を許容する付着物の形成を防止し、および／または付着物を破壊するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ形成用電極に絶縁材料が堆積した際に、当該電極の導電性の適切な再生を図れる真空成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１００は、減圧空間Ｐに反応ガスを導く反応ガス供給手段２２と、放電プラズマ形成用の電力を減圧空間Ｐの電極１４に給電する電力源ＶＳと、を備え、放電プラズマにより活性化された反応ガスを基に生成してなる絶縁材料が電極１４に堆積した場合には、電極１４の導電性を再生する導電材料が、電極１４の絶縁材料を覆うように堆積する装置である。 （もっと読む）

【課題】堆積物の直接分析を行う堆積物モニタ装置に必要な構成要素の設置に関する自由度を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷにエッチング処理を施すためのチャンバ１１を備える。チャンバ１１の内側壁１１ａには堆積物モニタ装置５０が設置される。堆積物モニタ装置５０は、光ファイバ６０と、光ファイバ６０の一端に接続されたレーザ７１と、光ファイバ６０の他端に接続されたフォトダイオード７３とを備える。堆積物モニタ装置５０は、チャンバ１１内に露出する光ファイバ６０の露出部６１に付着した堆積物の直接分析を行う。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理室のメンテナンスを短時間で行うことを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、開放部７６が形成された処理室７８と、開放部７６を開閉する蓋部８０と、処理室７８に供給するガスを活性化するプラズマユニット８２とを有している。プラズマユニット８２は、スライドガイド台１４０に摺動可能に支持されるスライドプレート１３４に、固定プレート１２８等を介して固定されていて、処理室７８にガスを供給する第１の位置と、蓋部８０の開閉を可能とする第２の位置と間で移動可能となっている。 （もっと読む）

【課題】処理容器の上部に設けられた開閉可能な蓋体を確実に密閉させることができる処理装置およびそれに用いられる蓋体の開閉機構を提供すること。
【解決手段】処理装置１００は、処理容器１の上部に開閉可能に設けられた蓋体３０と、蓋体を開閉する開閉機構５０とを具備し、開閉機構５０は、処理容器１の一方の端部に蓋体を回動可能に連結するヒンジ部５１と、蓋体３０を回動させる駆動部６１とを有し、ヒンジ部５１は、駆動部６１によって蓋体３０を回動させる際の回動軸となる主軸５２と、主軸５２の先端側に設けられ、蓋体３０の角度調整が可能な調整軸５３とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面を通過する原料ガス流の均一性を悪化させることなく容易にメンテナンスすることが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】複数の流路が形成され各流路により原料ガスを混合せずに導入する導入領域と、原料ガスを混合および反応させて被処理基板に成膜処理を行なう混合反応領域とを有する反応管を備えている。反応管は、対向する一対の側板２ａおよび側板２ａを連結する底板２ｂを含む反応管本体２と、反応管本体２に当接する蓋体３とを有し、反応管本体２と蓋体３とは分離可能である。 （もっと読む）

【課題】気化ユニット内部に堆積物が大量に蓄積する前に、気化ユニットを配管から取り外すこと無くその堆積物を外部へと排出させることにある。また、原料の分解によって発生した副生成物を除去してパ−ティクル（塵埃）の増加を防止し、配管やバルブ等のメンテナンス周期を延ばすことのできる液体材料供給系の基板処理システムを提供する。
【解決手段】本発明は、基板を処理する処理室と、液体原料を気化させる気化ユニットと、前記気化ユニットで気化された原料ガスを前記処理室へ供給する供給系と、前記処理室内の雰囲気を排出する排出系と、前記気化ユニットへ第１の洗浄液と第２の洗浄液とを供給する洗浄液供給系と、を備えることを特徴とする基板処理システム、を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板領域よりも低温の放電用電極部への処理ガス成分の付着量を低減する。
【解決手段】複数の基板をそれぞれ間隔を開けて積層した状態で収容する処理室２０１と、処理室外に設けられ処理室内に収容される複数の基板を加熱する加熱手段と、処理室２０１内に設けられたバッファ室２５７と、バッファ室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、バッファ室２５７外からバッファ室内に挿入されて、バッファ室内に供給された処理ガスを励起する放電用電極２７０と、バッファ室２５７に設けられ複数の基板に向けてガスプラズマを噴出する複数のガス噴出口２４８ａとを備える。バッファ室２５７を加熱手段による加熱が及ぶ処理室２０１内の加熱領域２０１Ａに設けて、バッファ室２５７外からバッファ室内に挿入される放電用電極２７０のうちの加熱手段による加熱が及ばない放電用電極部をバッファ室外に出す。 （もっと読む）

ビルトイン・セルフテスト（ＢＩＳＴ）テーブルを用いて熱処理システム（100、200）をリアルタイムに監視する方法は、熱処理システム（100、200）の処理チャンバー（202）内に複数のウェハ（Ｗ）を配置する段階、プロセス中の処理チャンバー（202）に関する予測による動的プロセス応答を生成するために、実時間動的モデル（330）を実行する段階、測定による動的プロセス応答を作り出す段階、予測による動的プロセス応答と測定による動的プロセス応答との間の差を用いて、動的な推定誤差を決定する段階、及び動的な推定誤差をＢＩＳＴテーブル内の１つ以上のルールによって確立された動作閾値と比較する段階を含んでいる。
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