【課題】基板処理装置の調整作業の際、作業の順番や作業の着手、終了を分りやすく作業者に知らせ、また、引継ぎ作業を効率よく行うことにより、調整作業を効率よく行う。
【解決手段】装置立上げに関する複数の作業項目を操作画面上に表示する操作部２２１を備えた基板処理装置であって、操作部は、各作業項目を作業順に並べて表示すると共に各作業項目の近傍にチェック欄及び矢印アイコンを設け、チェック欄がチェックされると、作業項目の終了時刻が表示されると共に次の作業項目の実施を促すように前記矢印アイコンの色が切り替わるように構成される。 （もっと読む）

【課題】各々石英により構成されると共に互いに気密に固定された真空容器及び排気ポートを備えた真空処理装置において、真空容器の破損を抑えること。
【解決手段】反応管１１及び排気ポート１２に夫々ボトムフランジ３１及びフランジ部材５２を取り付けて、次いでこれらボトムフランジ３１とフランジ部材５２とをシャフト７１によって互いに固定する。続いて、反応管１１を上方位置に持ち上げて、ボトムフランジ３１を筐体１０に固定する。しかる後、フランジ部材５２と排気管４１ａとを互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】保守点検の作業をする空間が狭まるのを抑制することができる基板処理装置及び基板処理装置の保守点検方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、筺体１２と、筺体１２内と作業者が保守点検する保守点検空間８４とを連通する保守点検口に接続部材１０６を軸として開閉自在に設けられた保守点検開閉部１０４と、保守点検開閉部１０４の開閉動作を干渉する位置と干渉しない位置との間で移動する操作部９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】装置の稼動状態を確実に知らせることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】稼働状態を示す複数のシグナル表示機器としてのシグナルタワー及びブザーと、予め個別に設定された前記シグナルタワー及びブザーに対応する動作条件を表示する表記器とを備えた基板処理装置であって、前記シグナルタワー及びブザーは、複数の動作条件のいずれかにより動作し、前記表示器において、前記シグナルタワーの動作条件として前記ブザーが鳴動することが設定可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】排ガスの燃焼する燃焼室内の温度を正確に測定ができる除害装置およびその除害装置をエピタキシャル成膜装置に取り付けた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】排ガス２を除害する除害装置１０を、排ガス２を内部で燃焼させる燃焼室１と、燃焼室１の壁に設けられ、燃焼室１内に排ガス２を供給する管状のノズル３とを有して構成する。ノズル３は、先端に向かって内径を一定の保つとともに外径が小さくなる形状を有する。この除害装置を成膜装置に取り付けて、成膜装置からの排ガス２を除害するようにして半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時に塩化水素発生の原因となる不安定な塩素含有化合物が排気管等に残留することを抑制できる窒化シリコン膜のＣＶＤ技術を提供する。
【解決手段】処理室２０４内に基板２００を搬入する基板搬入工程と、シリコンおよび塩素を含有する第１の処理ガス２４０ａと窒素を含有する第２の処理ガス２４０ｂと、を処理室内の雰囲気中において窒素原子よりもシリコン原子が多くなるように前記処理室２０４内へ供給しつつ、前記処理室２０４内の第１および第２の処理ガスを含む雰囲気を排気ライン２２７から排気して前記基板２００上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、該成膜工程中に、窒素を含有する第３（第２）の処理ガスを前記排気ライン２２７へ供給し、前記排気ライン２２７内に存在する前記第１の処理ガスと反応させる窒素供給工程と、から構成する。 （もっと読む）

【課題】装置パラメータの設定に係る信頼性の低下を解決し、安全に調整でき、又保守作業から通常運用に容易に且つ確実に移行できる装置パラメータを設定可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】装置パラメータの編集を行う為の表示部７３と、前記装置パラメータを保存する記憶部７５とを有する操作部２８と、該操作部からダウンロードされる前記装置パラメータを実行する制御部３１，３２，３３とを具備し、前記装置パラメータは調整作業や故障の修理や定期的な保守作業時のセットアップモード時に使用されるセットアップパラメータと、通常運用時の運用モード時に使用される運用パラメータとを有し、前記セットアップパラメータが編集された場合でも前記運用パラメータが影響を受けない様構成された。 （もっと読む）

【課題】ヒータ素線同士の接触を防止することができる素線接触防止部材を提供する。
【解決手段】加熱すべき被加熱体の外周に螺旋状に巻回して配置したヒータ素線５２を有するヒータ装置４８において、前記ヒータ素線の間隔が、前記ヒータ素線の変形により前記ヒータ素線の配置時よりも狭まった箇所７０に対応させて前記ヒータ素線間に絶縁性の素線接触防止部材６０を配置する事により、ヒータ装置４８に設けたヒータ素線同士の接触を防止して、ヒータ素線の溶断等の発生を阻止する。 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセス装置において反応生成物の堆積による光学窓の曇りを防ぎ、装置内の観察継続の為に必要なメンテナンス作業の頻度を抑制する。
【解決手段】反応チャンバ１と、反応チャンバ１からの光の一部が投影される光学窓８を有するビューポート９とを備えたプラズマプロセス装置において、ビューポート９内に設けられ、シャッター１１及び光透過性を有する複数の保護窓１２を備えるプレート１３と、保護窓１２及びシャッター１１のうちの一つが反応チャンバ１から光学窓８への光路上に位置するようにプレート１３の位置を切り換える切換手段１５とを有するプラズマプロセス装置を提供する。これにより、観察時、非観察時のいずれにおいても反応生成物が光学窓８に堆積しなくなる。プレート１３のメンテナンス作業は必要となるが、その頻度は従来のメンテナンス作業と比べて大幅に抑制される。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】真空搬送室１３の周囲に、基板に対して処理が行なわれる複数の処理室３０を設ける。前記真空搬送室１３の上方側に回転テーブル６を介して第１のガイドレール５４を設けると共に、前記回転テーブル６が対応する位置に静止したときに前記ガイドレール５４の延長線上に位置するように第２のガイドレール５２を設ける。移動体７１を、第１及び第２のガイドレール５２，５４に沿って、処理室３０の上方側に移動させ、移動体７１に設けられた蓋体保持機構８を上昇させることにより、蓋体３２に設けられた被保持部５を持ち上げて、処理室３０から蓋体３２を開放する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応生成物の生成を抑制できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応室１に原料ガスを導入するガス導入管６と、成膜を施すべき基板１０を支持する基板ホルダーと、基板１０を加熱する加熱装置４と、反応室内のガスを排気ガスとして系外に排気するガス排気管７とを備えるＣＶＤ装置において、排気ガスが接触する壁部２に対し、加熱装置４又は加熱装置４により加熱された部材からの輻射熱を反射する熱反射面８を設置したＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応炉にて成膜を開始した直後から、排気トラップによるリンの捕集効率を高くできる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる成膜装置は、リンを含む排気ガスを排出する反応炉と、ハウジングと、該ハウジングの内部に該排気ガスを導入する排気ガス導入口と、該ハウジングの内部から該排気ガスを導出する排気ガス導出口と、該ハウジング内に設けられ該排気ガス中のリンを凝固付着させる金属製の冷却コイルと、を有する排気トラップと、該冷却コイルを冷却する冷却装置と、該ハウジング内部の排気ガスを密閉するように設けられたバルブと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空シール部および配管接続部が簡単な構造であって、配管接続部のシール強度が大きく、メンテナンス容易である真空シールおよび配管接続機構を提供する。
【解決手段】真空容器１に挿通する第一のパイプ２の大気側端部に、流体を供給するための第二のパイプ２０をＯリング５２とともに接続し配管接続部を形成する。そして、第一のパイプ２をハウジング２１を介して真空容器１に固定し、Ｏリング５０、５１を用いて真空シール部を形成する。さらに、第二のパイプ２０の鍔部２４とハウジング２１とをスタッド２６により連結する。 （もっと読む）

【課題】 内管及び外管の着脱を効率良く行うことができ、使用する着脱治具のコストを低減できる。
【解決手段】 着脱工程は、外管の下端外縁を覆うように設けられた第１台座を蓋体上に載置し、蓋体を昇降させることで外管を着脱させる工程と、支持部に内管を支持させ、支持部の下端外縁を覆うように設けられた第２台座を蓋体上に載置し、蓋体を昇降させることで内管及び支持部を着脱させる工程と、を有し、外管を着脱させる工程と、内管及び支持部を着脱させる工程と、では、蓋体の軸心と同心状に配置するよう構成される第１台座又は第２台座に対し、第１台座の下側面の少なくとも一部を共通着脱治具の上面の少なくとも一部に重ね、第２台座の下側面の少なくとも一部を共通着脱治具の一部に重ね、共通着脱治具を介して第１台座又は第２台座を蓋体上に載置する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置のクリーニングを実施しても、基板を処理するスループットの低下を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明における基板処理装置ＳＴによれば、基板処理装置ＳＴ内に予備室ＰＲＥと隔離された隔離室ＳＰを設け、クリーニングする必要のあるボートを、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介して外部空間へ搬出するように構成している。これにより、本発明における基板処理装置ＳＴでは、予備室ＰＲＥ内の清浄度を保って、基板処理装置ＳＴの稼動状態を維持しながら、クリーニングを必要とするボートを外部空間に搬出することができる。したがって、基板処理装置ＳＴでの処理におけるスループットの低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ソフトウエアを用いて半導体製造装置を保守するにあたり、作業者の負担が小さくて効率が良く、また作業ミスの起こりにくい半導体製造システムを提供すること。
【解決手段】点検項目ごとに点検の操作事項と確認事項とを予め定めた点検順（作業順）に画面に表示させると共に、これら点検事項が自動の実行であるか手動の実行であるかの区別表示を行っている。そして、自動の実行である場合には点検事項が自動で行われ、また手動の実行である場合には、操作事項を行ったことあるいは確認結果の入力を受け付ける画面をポップアップにより表示させ、その入力により次の点検事項が記憶部から読み出され順次点検が行われるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１０は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、減圧状態の成膜空間を形成する成膜容器１２と、前記原料ガスおよび前記反応ガスを排気する排気管１８ａを備えるガス排気部１８と、を有する。前記ガス排気部１８には、前記排気管１８ａの長手方向に平行な細孔が複数設けられた、多孔質材からなるガスフィルター１８ｄが設けられる。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を成膜する際に生じるポリシランを含む副生成物を、非成膜時に迅速かつ簡便に処理することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、ＣＶＤ法を用いて、真空中で基板Ｗにシリコン膜を成膜する成膜室１１と、前記成膜室内にオゾン含有ガスを導入可能な第一オゾン含有ガス供給手段１８０と、を少なくとも備え、シリコン膜の成膜を終了した状態にある前記成膜室内に前記オゾン含有ガスを導入することにより、前記シリコン膜の成膜中に生成したポリシランを含む副生成物を酸化させること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極板の破損を防止できると共に、部品点数の増加を防止してメンテナンス性の悪化を防止できる電極アッセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、電極板３２と、表面にアルマイト処理が施されたアルミニウムからなるクーリングプレート（Ｃ／Ｐ）３４と、電極板３２及びＣ／Ｐ３４の間に介在し、半導体材料からなるスペーサー３７とを有する上部電極アッセンブリを備える。Ｃ／Ｐ３４には、アルマイトが存在せずアルミニウムが露出するように固定具の座面３４ｂが形成され、電極板３２には、ボルト６３のねじ部と螺合するねじ孔３２ｂが形成されている。Ｃ／Ｐ３４、スペーサー３７及び電極板３２を導通材料からなるボルト６３で締結した際に、ボルト６３がＣ／Ｐ３４の座面３４ｂに接触すると共に電極板３２のねじ孔３２ｂに螺合することにより、Ｃ／Ｐ３４と電極板３２とが導通する。 （もっと読む）