【課題】カバーの破壊等を生じさせることなく、載置された被処理基板の汚染を少なくすることができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内において被処理基板Ｗを載置する基板載置台５を備えている。基板載置台５は、ＡｌＮからなる載置台本体５１と、載置台本体５１内に設けられた基板加熱用の発熱体５６と、載置台本体５１の表面を覆う石英製の第１のカバー５４と、被処理基板Ｗを昇降させる複数の昇降ピン５２と、載置台本体５１内で昇降ピン５２が挿通される複数の挿通孔５３と、第１のカバー５４の挿通孔５３に対応する位置に形成された複数の開口部５４ａと、開口部５４ａに露出する部分および挿通孔５３内面の一部または全部を覆うように、第１のカバー５４とは別体として設けられた石英製の第２のカバー５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンスフリーで反応副生成物の捕捉効率の高い排気トラップを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室に処理ガスを供給するガス供給ラインと、処理室からの排気ガスを排気するガス排気ラインと、排気ガスに含まれる成分を除去する排気トラップであって、少なくとも、ガス排気ラインに装着されるケース３１０と、ケース３１０の開口部を閉塞する蓋体３３１と、ケース３１０内に設けられ排気ガスに含まれる成分を捕集する捕集体３４３と、蓋体３３１に設けられ、捕集体３４３を支持する中空支持体と、蓋体３３１外側から蓋体３３１を貫通し中空支持体内に至るように配置されるヒートパイプ３４５と、蓋体３３１外側のヒートパイプ３４５に設けられる放熱部と、放熱部に設けられるヒータ３５０とを有する排気トラップ３００とを備える。 （もっと読む）

【課題】密閉部材がシール面に固着してしまうという問題を解決し、安全にメンテナンスを行うことができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】反応管と該反応管に密閉部材を介して当接するマニホールドとで画成され、内部で基板を処理する反応容器と、前記反応管と前記マニホールドとを切り離す際に、前記密閉部材の剥離を補助する剥離補助手段とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】休止の長期化や配管汚染の危惧を防止しつつ液体原料を補給可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体原料８０を供給するためのタンク８１と、液体原料８０を気化させる気化器８３とを具備し、気化器８３が液体原料８０を気化させた気化ガスを処理室内に供給しウエハ上に成膜する基板処理装置において、タンク８１に、液体原料８０を補給するための補給容器９１と、タンク８１内を減圧する排気管９３とを接続し、補給容器９１内の圧力をタンク８１内の圧力よりも高くすることにより、液体原料８０を補給容器９１内からタンク８１内へ補給する。補給容器９１には洗浄液９５を貯蔵した洗浄液容器９６を接続する。交換作業は補給容器９１について実施すれば済むため、基板処理装置の休止の長期化や配管汚染の危惧を防止しつつ、液体原料を補給することができる。 （もっと読む）

【課題】 気化器を分解することなく気化器内部における残留物の蓄積具合を把握し、気化器内部をメンテナンスすべきタイミングを事前に把握する。
【解決手段】 基板が収容される処理室と、気化空間を有し気化空間内に供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化空間内に液体原料を供給する液体原料供給ラインを有する液体原料供給系と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ラインを有する気化ガス供給系と、処理室内の雰囲気を排気する排気系と、気化空間内の圧力を測定する圧力計と、気化空間内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給系と、気化空間内へキャリアガスが供給されている時の圧力計の測定値に基づいて気化器の状態を判断する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
炉口部を構成する非金属部材を交換することなく、処理室内の温度、均熱域の測定を可能とし、温度測定に要する作業性を向上させ、作業時間を短縮して、スループットの向上を図る。
【解決手段】
基板を内部に収納し処理する処理容器５と、該処理容器の基板入出口を蓋する蓋体１２と、該蓋体の前記処理容器側を覆う非金属部材と、前記蓋体に設けられ、前記処理容器内に温度検出器２１を挿入出可能にする挿入出部と、前記非金属部材に設けられ、前記温度検出器が挿通可能な開口２３と、該開口に着脱可能に設けられ、少なくとも前記処理容器内と前記挿入出部とを隔離する封止栓４４と、該封止栓が設けられた状態で前記挿入出部と前記処理容器内とを連通させる前記開口より小さい大きさの流路断面で形成されるガス流通路とを備えた。
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【課題】本発明は半導体製造装置および排気トラップ装置に関し、冷却コイルに生成した未反応ガスの堆積物によって排気ガス通過経路が閉塞することを防止する半導体製造装置および排気トラップ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の排気トラップ装置は、ハウジングと、前記ハウジングの内部に排気ガスを導入する排気ガス導入口と、前記ハウジングの外部に排気ガスを導出する排気ガス導出口と、前記ハウジングの内部に設けられた冷却コイルと、前記冷却コイルに冷媒を供給する冷媒供給手段と、前記冷却コイルを加熱する加熱手段と、を備えることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】弁体を降温させた後に、弁体を開く際に発生するトラブルを防止する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室２０１に対してウエハを搬送する搬送室３０１と、処理室２０１と搬送室３０１との間に設けられウエハを通過させる搬送口２４７と、搬送口２４７を開閉する弁体２４４ｃと、弁体２４４ｃと搬送口２４７との間に設けられたシール部材２４４ｄと、弁体２４４ｃに設けられたヒータ２４４ｅと、弁体２４４ｃを駆動させるシリンダ装置２４４ａとを備えた基板処理装置において、弁体２４４ｃにモニタＴＣ２４４ｇを設け、モニタＴＣ２４４ｇのモニタ温度が設定温度以下となった時に弁体２４４ｃを開けないようにシリンダ装置２４４ａを制御し、かつ、アラームを発生させる。 （もっと読む）

【課題】触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置は、錘体８が設けられて張架された触媒体４を反応室１の内部に備えている。 （もっと読む）

【課題】電力使用系に対する電圧及び電流を正確に測定して精度の高い抵抗値を求め、断線の予測を精度良く行うことができる電力使用系の断線予測装置を提供する。
【解決手段】電力使用系４２Ａ〜４２Ｅに対して個別に各給電ライン４６Ａ〜４６Ｅを介して供給される電力を制御するようにした電力供給回路系２４に設けた断線予測装置２６において、各給電ライン毎に設けられ、異なる周波数のパルス波をオフ期間に対応させて発生するパルス波発生手段５２Ａ〜５２Ｅと、自己のパルス波発生手段にて発生したパルス波を混合させるパルス波混合手段５４Ａ〜５４Ｅと、伝送される自己のパルス波を検出するパルス波検出手段５６Ａ〜５６Ｅと、パルス波検出手段にて検出されたパルス波に基づいて電力使用系の断線予測を判断する判断手段５８とを備える。 （もっと読む）

【課題】装置アボート後にポンプが再起動不能状態になるのを回避することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する処理室２０１と、液体原料が気化したガスを処理室２０１に供給する第１液体原料供給管２３２ａおよび第２液体原料供給管２３２ｄと、処理室２０１を排気する排気管２３１と、排気管２３１に接続され処理室２０１を排気する真空ポンプ２４６とを有する処理炉において、排気管２３１の真空ポンプ２４６よりも上流側にストップバルブ２４５を設ける。メインコントローラ２５６はストップバルブ２４５と真空ポンプ２４６とを、リセット時にストップバルブ２４５を閉じ、リセット中に真空ポンプ２４６の稼働を継続させるように制御する。液体原料が真空ポンプ内で固化するのを防止できるので、真空ポンプが再起動が不能となるのを未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】
累積膜除去のメンテナンス頻度を少なくして基板処理装置の稼働率の向上を図る。
【解決手段】
基板２に所望の薄膜を堆積する処理室３３と、前記基板及び前記処理室内の雰囲気を所定の処理温度で加熱する加熱手段３２と、前記処理室へ所望のガスを供給するガス供給手段３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３８，３９，４４ａ，４５と、前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出手段３７ｄ，４２，４３と、前記加熱手段、前記ガス供給手段、前記ガス排出手段を制御する制御手段３１とを備え、前記薄膜が堆積された前記基板を前記処理室から搬出した後であって、次の基板の処理を開始する前の間に、前記制御手段は、前記処理室内の温度を、前記処理温度を超える温度への昇温と、前記処理温度より低い温度へ降温させる様前記加熱手段を制御し、更に、前記処理室内の圧力を昇圧、降圧させる様前記ガス供給手段と前記ガス排出手段を制御する。
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【課題】保守作業における、狭隘な見通しのきかない空間の下での不安定且つ不自然な姿勢での手探り状態の作業に起因する作業効率および作業安全性の低下を防止し、作業時間を短縮するとともに保守作業の信頼性を向上するクラスタ型装置を提供する。
【解決手段】プロセス室５を架台１１上のレール２１、キャスタ２２から成る移動手段上に載架し、保守時にはゲート弁２とプロセス室５の結合を解除しプロセス室５を搬送室３から右方に退避させ、保守に必要な保守用扉８の開き角度を確保し作業者を保守用扉８の開口部に障害物無く対面させる。保守後はゲート弁２に固定された位置決めピン２３をプロセス室５の前面へ再挿入し、搬送室３とプロセス室５の位置関係を移動前の状態に復元する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理工程の実行に要する時間を短縮させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内にガスを供給するガス供給手段と、記処理室内を真空排気する真空排気手段と、処理室内の圧力をモニタする圧力監視手段と、処理室に設けられ基板の搬入搬出を行う開口部を閉塞する弁体を開閉する弁体開閉手段と、処理室内の真空排気時に、理論的に算出される処理室内の圧力と、圧力監視手段によりモニタされる実際の処理室内の圧力とを比較し、その比較結果から処理室内の真空度の妥当性を判断する制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シール性（気密性）を維持すると共に、反応管の下端部の破損を抑制した減圧熱処理装置を提供する。
【解決手段】反応管２１内部に被処理部材を収容し、減圧下で熱処理を行う減圧熱処理装置において、前記反応管２１を上方に載置するマニホール５ドと、前記マニホールドの上面にＯリング１１を介して載置される、上下面を平面に形成されたリング状の中間部材２２と、前記中間部材２２の上面に、上下面が平面に形成されたリング状のパッキン２３を介して載置される反応管２１とを少なくとも備え、前記反応管２１の下端部２１ａの厚さが、反応管２１の他の部位の厚さに比べて肉厚に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ヒータを通電加熱して半導体ウェハ上に薄膜を形成するなどの半導体製造プロセスの熱処理実行中に連続した状態でヒータ断線の予知情報を得て適切な対策を講じることができる半導体製造装置を実現すること。
【解決手段】加熱処理用のヒータを備えた半導体製造装置において、前記ヒータの駆動電流波形をサンプリングする手段と、このサンプリングデータに基づきヒータの抵抗値を求める手段と、駆動電流に重畳するノイズ成分の振幅を求める手段と、これらヒータ抵抗値とヒータ抵抗値上昇の傾きとノイズ成分の振幅に基づきヒータ断線予知アラームを判定する手段、を有することを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】基板保持部材をサセプタから取り外しても転動部材が落下することを防止するとともに、原料ガスや反応生成物がサセプタの裏面側に極力流れないようにした気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３の外周部に設けられた複数の収容孔２０の内周下部に内フランジ２０ａを周設する。基板保持部材１４の外周上部に内フランジ２０ａに対向する外フランジ１４ｂを周設し、内フランジ２０ａの内周側に外フランジ方向に突出するリング状の上向き突片２０ｂを設ける。外フランジ１４ｂの外周側に内フランジ方向に突出するリング状の下向き突片１４ｄを設ける。内フランジ２０ａ、外フランジ１４ｂ、上向き突片２０ｂ及び下向き突片１４ｄに囲まれた部分に、転動部材２１を回転可能に配設する。 （もっと読む）

【課題】
保守時のガスノズルの取外しを容易に、且つ安全に行える様にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室２４と、該処理室にガスを供給するガスノズル３と、該ガスノズルを覆い支持するノズル支持部２３と、該ノズル支持部に固定され、前記ガスノズルを保持するノズル保持具２と、該ノズル保持具に保持された前記ガスノズルを前記ノズル支持部からずらす為の位置ずらし治具とを有する。
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【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】成膜装置１は、成膜室２内に載置された基板に成膜処理を行う。成膜室２には、第１の開閉部３を介して基板待機部４が接続しており、基板待機部４と成膜室２の間で複数の基板が載置されたサセプタを自動的に搬送する基板−サセプタ搬送用ロボット１７を有する。成膜室２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。 （もっと読む）

微粒子発生は、腐食性の高いプラズマ環境における半導体デバイス処理において問題であった。この問題は、プラズマが還元プラズマの場合に深刻なものとなる。実験データは、酸化イットリウム、Ｙ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２固溶体、ＹＡＧ及びＹＦ_３等のプラズマ溶射被覆されたイットリウム含有セラミックの形成によって、約２２μｍ〜約０．１μｍの平均有効粒径を有する粉末原料からこのようなセラミックを溶射被覆すると、滑らかで緻密な表面を備えた低多孔率のコーティングが得られることを示した。これらの溶射被覆された材料によって、腐食性の還元プラズマ環境における微粒子の発生が減少する。
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