【課題】熱処理装置のプロセスチャンバに関してリークの可能性のある状態を早期に、かつ、確実に発見する方法を提供する。
【解決手段】処理ガスを導入して熱処理を行うためのプロセスチャンバを備えた熱処理装置において、プロセスチャンバ１内の気体を排気して減圧した状態でプロセスチャンバを封止し、封止されたプロセスチャンバ内の圧力の時間的変化を所定の閾値と比較するリークチェックを熱処理の実行毎に前もって行う制御装置６を具備する。前記時間的変化が閾値より大きいときは熱処理中止とする。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】成膜室１１と、仕込・取出室と、基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対して窒素ガスを噴射可能な複数の窒素ガス噴射機構１７０を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８と、が設けられ、窒素ガス噴射機構には、供給管に対して回転しながら窒素ガスを噴射する噴射口が形成されている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス中にプロセス時のスリップ発生の有無を予測し、メンテナンス後の炉内開放ではなく、メンテナンス中にスリップ発生に対する対応を行う。
【解決手段】エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの中心位置に対応する位置に配置した主熱電対１３ａと、該主熱電対１３ａとは異なる位置でかつウェーハの半径方向の所定位置に少なくとも１つの補助熱電対１３ｂとを備えた校正用の第１サセプタ１１を用い、前記エピタキシャル成長装置１の反応炉２を昇温しながら前記主熱電対１３ａおよび前記補助熱電対１３ｂで前記第１サセプタ１１の面内温度分布を経時的に測定し、前記主熱電対１３ａで測定した温度データから前記パイロメータ９を校正し、前記主熱電対１３ａの測定値と前記補助熱電対の測定値との差から、エピタキシャル成長プロセス用の第２サセプタ上１５に載置したウェーハ表面にエピタキシャル層を成長させて形成したときのスリップ発生の有無の予測を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

【課題】上部板と下部板との間で生じる摩擦を緩衝し、パーティクルの発生を抑制することができるシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】ヒドロキシル基を有する含フッ素エチレン性重合体から構成されると共に上部板１０と下部板１２との間に介在して上部板１０と下部板１２とを互いに接合する熱融着シート１１を備えるシャワーヘッドとする。前記上部板１０，前記下部板１２および前記熱融着シート１１は、それぞれ複数の貫通孔１３，１４，１５を有し、前記熱融着シート１１に形成された複数の貫通孔１５は、それぞれ前記上部板および前記下部板に形成された複数の貫通孔１３，１４よりも大きな径を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】長尺のシート状基板Ｓを真空処理室２を通して搬送し、シート状基板Ｓに所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置であって、真空処理室２の上流側と下流側に夫々連設した上流側補助真空室３_１や下流側補助真空室３_２に繰出しローラや巻取りローラを収納せずに、且つ、真空処理室２を大気解放せずにシート状基板Ｓを搬送できるようにしたものを提供する。
【解決手段】上流側補助真空室３_１の入口部と、下流側補助真空室３_２の出口部と、真空処理室の入口部及び出口部とに，夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４を配置する。また、上流側補助真空室３_１と下流側補助真空室３_２とに、夫々所定長さ分のシート状基板Ｓを引き込み、引き込んだシート状基板を引き出し自在に保持する基板引き込み機構５_１，５_２を配置する。 （もっと読む）

【課題】異常解析を行う保守員の負担を低減し、保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とする。
【解決手段】処理手順及び処理条件が定義されたレシピを実行する基板処理装置と、基板処理装置に接続される群管理装置と、を備える基板処理システムであって、群管理装置は、レシピの実行中に生じた異常現象を特定する異常現象特定情報及び異常現象が発生した基板処理装置の種別を特定する装置種別特定情報に共に関連づけられた検証項目特定情報を抽出し、抽出した検証項目特定情報を含む検証項目テーブルを作成する解析支援手段を備える。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時期を予知することができるインピーダンス整合装置を提供する。
【解決手段】可変インピーダンス素子３ａ、３ｂと、モータ７ａ，７ｂを駆動源として可変インピーダンス素子の操作軸を操作する操作機構と、操作軸の目標位置を設定する目標位置設定部９と、検出された操作軸の位置を設定された目標位置に一致させるようにモータを制御するモータ制御部１３と、操作軸の目標位置と現在位置との間に存在する残留偏差が許容値を超えたときに異常判定を行う異常判定部１２と、異常判定部による異常判定回数が設定された判定値未満である間は残留偏差の許容値を初期許容値とし、異常判定回数が判定値に達した後は、残留偏差の許容値を初期許容値よりも大きい異常検出後許容値に切替えることにより、異常判定回数が判定値に達したこと、または残留偏差の許容値が異常検出後許容値に切替わったことからメンテナンス時期を予知し得るようにした。 （もっと読む）

【課題】原料溶液を気化して反応室に供給する気化器を備えた溶液気化型のＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置の操作方法に関する技術であって、装置の休止中に原料溶液が配管に漏れ出す等して気化器のノズル詰まりが生じるのを防止し、原料溶液の安定供給とメンテナンスの低減を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】原料溶液を噴霧用ガスと合流させてから気化器５０に導入する溶液気化型のＣＶＤ装置１００において、原料溶液輸送管３０における原料溶液供給部１０との連結点及び溶媒供給部２０との連結点より下流側であって、ガス輸送管４０との合流点より上流側にストップバルブＶＥを設け、このストップバルブＶＥより上流を溶媒で充填可能とする。 （もっと読む）

【課題】石英製保護部材の局所的劣化を防止することで交換サイクルを延ばし、さらに、熱電対の交換が容易な気相成長装置及びそれを用いたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１内で薄膜を形成する基板を載置するサセプタ１４と、該サセプタを支持する支持部材１３と、該支持部材が上端に固定された管状シャフト１６と、該管状シャフト内に挿通され、先端が前記管状シャフトの上端から突出して前記サセプタの下面に近接するように配置され、前記サセプタの温度を測定する熱電対１９と、該熱電対を覆う石英製保護部材１８と、該石英製保護部材の上端部を覆う保護カバー１７とを有する気相成長装置１０であって、前記保護カバーが、前記石英製保護部材の上端から、前記管状シャフトの上端から下方に２〜１０ｍｍまでの領域を覆うものである気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とし、異常解析を行う保守員の負担を低減する。
【解決手段】データ解析パターン定義情報に含まれるタイトル情報を選択可能に表示した解析受付画面を作成して表示手段に表示し、タイトル情報の選択操作を受け付け、解析受付手段が受け付けたタイトル情報を含むデータ解析パターン定義情報を読み出し、読み出したデータ解析パターン定義情報に含まれるデータ種別情報及びデータ範囲情報に基づいてデータを読み出し、読み出したデータを、データ解析パターン定義情報に含まれる解析・表示方法特定情報により特定される解析及び表示方法により解析して表示する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程から排出される排ガス中に含まれるヒドラジン誘導体を効果的に除害処理することができる排ガス処理方法及び除害剤を提供する排ガス処理方法及び除害剤を提供する。
【解決手段】ヒドラジン又はヒドラジン誘導体を含む排ガスを、酸化鉄(III)を反応主成分とする除害剤に接触させる。特に、有機金属化合物、アミン化合物、揮発性無機水素化物のいずれか少なくとも一種を含む排ガスを前記除害剤に最初に接触させてヒドラジン又はヒドラジン誘導体を除害処理することにより、排ガスに含まれる有機金属化合物、アミン化合物、揮発性無機水素化物の除害処理を確実に行える。 （もっと読む）

【課題】吸着面に付着した不純物に起因して吸着力が低下した静電チャックを、簡単な構成により不純物を除去して吸着力を再生することができ、安定して真空処理を行うことが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、真空チャンバ３と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Ｓを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段４と、前記基板保持手段の吸着面に対してＵＶ光を照射し、該吸着面に付着した不純物を除去するＵＶ照射手段９０と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トラップ装置におけるフィルターカートリッジの交換に起因する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造スループットの低下を解決し、製造スループット向上に寄与できる化合物半導体気相成長装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体気相成長装置２００は、単結晶基板５上に化合物半導体結晶膜を気相エピタキシャル成長させる気相成長装置であって、反応炉２からの排気ガス流路１０に配設され前記排気ガスに含有される反応ダストを捕獲するためのトラップ装置２３を具備し、前記トラップ装置２３内には前記反応ダストを捕獲するためのフィルターカートリッジ３２が複数組収容されている。 （もっと読む）

【課題】熱処理用治具を洗浄した後に外部から熱処理用治具表面に付着する汚染物を可及的に低減できる熱処理用治具の清浄化方法を提供する。
【解決手段】熱処理炉内で用いる治具を酸系の薬液で酸洗浄する工程ａと、酸系の薬液で酸洗浄した前記治具を水洗・乾燥する工程ｂと、水洗・乾燥した前記治具の表面に酸化膜を形成する工程ｃと、還元性ガス雰囲気中で気相エッチングして前記酸化膜を除去する工程ｄとを有する清浄化方法。 （もっと読む）

【課題】排気の偏りが無く、かつ、メンテナンスが容易となるように基板支持台を支持するプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０において、対向する真空チャンバ１１の側壁１１ａを貫通する貫通孔１２ｃを内部に有し、真空チャンバ１１の中心を通って横断する支持梁１２を真空チャンバ１１と一体に形成し、支持梁１２の上面の中央部に、基板支持台１３を取り付ける上面開口部１２ａを設け、真空側と大気側とをシールする第１シール部材を介して、上面開口部１２ａに円筒状の基板支持台１３を取り付けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜炉内のパーティクル数を抑制できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜炉内に基板を配置し該基板上に成膜を行う成膜装置であって、該成膜炉と、該成膜炉に接続されたパージガス導入管と、該成膜炉に接続されたパージガス排気管と、該成膜炉内のパーティクル数を測定する測定手段と、該測定手段により測定されたパーティクル数が多いほど、該成膜前に該パージガス導入管から該成膜炉へ導入するパージガスの量を増加させる手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加熱されたウエハ上への薄膜成膜処理、及び、装置から取り外して常温下でのシールド板の洗浄処理を行っても、従来品に比べて損傷しにくいシールド板を備えた化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、ウエハを配置するため前記チャンバ内に配置されるステージと、前記ステージに配置されたウエハを加熱するためのヒータと、前記チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、曲面領域２０ｒおよび長手方向を有する形状であって前記チャンバ内に取り外し可能に取り付けられるシールド板と、を有し、前記シールド板は、曲面領域２０ｒに不活性ガスを放出するための複数の不活性ガス放出穴を有し、不活性ガス放出穴２０ａは、長穴であって長手方向が前記シールド板の長手方向と交わるよう設けられている化学気相成長装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】対向面部材及び／またはサセプタ上面カバーの取外しの際にこれらに付着した生成物の落下によって悪影響を受けることのない気相成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体内に設置されて基板が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備えた気相成長装置であって、対向面部材１３を保持して昇降可能に構成された対向面部材昇降機構１４と、対向面部材昇降機構１４に保持された対向面部材１３の下方に移動して平面視でサセプタ１１を覆うように配置される搬送板１６を有すると共に搬送板１６に対向面部材１３を載置して搬送する搬送装置とを備え、対向面部材昇降機構１４は対向面部材１３の保持と保持解除を行うことができる保持部を備える。 （もっと読む）