【課題】成膜処理時の圧力帯を正常な状態で維持する為に、真空処理室内の同じ環境下に校正用の第２の圧力計を配置し、制御用の第１の圧力計を実プロセス時の圧力値で校正する。
【解決手段】真空処理室１００において、制御用の第１の圧力計１０７と排気口１０３までの距離が同じとなる位置に校正用の第２の圧力計２００を設置し、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間に、遮蔽バルブ２０１を設置し、第２の圧力計２００が、プロセスガスの雰囲気に曝されることを防止している。また、実プロセス後の任意のタイミングで、プロセスガスを真空処理室１００内より排気し、不活性ガスで置換した後に、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間の遮蔽バルブ２０１を開放し、不活性ガスを用いて第２の圧力計２００にてプロセス圧力に制御した後、第１の圧力計１０７が、第２の圧力計２００と同じ値となるように校正する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄処理の効率化して洗浄ガスの供給量を減らし、経済性に優れたドライ洗浄装置用反応炉を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体製造装置における汚染部品を洗浄する装置であって、洗浄ガス導入管１６とガス排出管２０を有する反応室８と、反応室８内で汚染部品２２を支持する支持手段４と、汚染部品２２を反応室８内で高温に保持するための遮熱部材７ａ，７ｂと、反応室８内を加熱する加熱手段３とを備え、前記洗浄ガス導入管１６を反応室８内の下部に配置した。これにより、反応室８内の下部から供給された洗浄ガスは、加熱装置３で加熱されて上部へ移動するので、汚染部品２２の汚染物と効率的に反応させることができ、効率的に汚染部品２２を洗浄することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。
【解決手段】プラズマチャンバ２１，２２に、複数のシャワー電極６が隙間８をあけて設けられる。複数の基板４が等間隔に並べられたトレイ５が、シャワー電極６と下部電極７との間に搬送される。成膜開始時、隣り合うシャワー電極６間の隙間８の真下に基板４がくるように、トレイ５が位置決めされる。成膜中、トレイ５は隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動する。トレイ５は、基板４の長さよりも短い距離だけ移動する。この間に、基板４上に薄膜が形成されるが、シャワー電極７間の隙間８の真下に発生した強いプラズマ放電の影響を受ける領域が基板４上を移動するので、膜厚のばらつきが低減する。 （もっと読む）

【課題】内周側仕切板（基板対向面部）の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。
【解決手段】気相成長装置１は、チャンバー本体３と、チャンバー本体３に設けられてチャンバー本体３を開閉するチャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、対向面部材１３をサセプタ１１に載置された基板９に対向配置される基板対向面部３７と、基板対向面部３７の周縁部を支持する基板対向面部支持部３９を備えて構成すると共に、対向面部材１３に設けられて該対向面部材１３をチャンバー本体３側に載置する脚部３１と、チャンバー蓋５に設けられて対向面部材１３に対して係脱自在でかつ対向面部材１３を保持できる係合保持機構１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化したときにおいても、シャワープレートの付着物に起因するガス吐出孔の目詰まり、被処理基板の成長層への不純物混入を抑制するとともに、安価にカバープレートを作製する。
【解決手段】本発明のカバープレートユニット４０は、ガス通過孔Ｈ２を有する中心プレート４１と、中心プレート４１を載置するための載置部が形成された周辺プレート４２と、周辺プレート４２を保持するリング部材４４とを備え、周辺プレート４２は、中心プレート４１の周辺に配された複数のプレート片４２ａに分割されている。 （もっと読む）

【課題】障害の発生から解消に至るまでの時間を短縮することができる、基板処理装置および基板処理装置用の障害要因解明プログラムを提供する。
【解決手段】基板処理装置１で障害が発生した場合には、障害要因解析ツール（障害要因解明プログラム）を起動させれば、解析パターンファイル記憶領域２３（解析パターンファイルデータベース）からすべての解析パターンファイルが取得され、動作ログファイル記憶領域２２（動作ログファイルデータベース）が開かれて、すべての解析パターンファイルで定義されているキーワードの出現パターンと動作ログファイルとが照合され、ヒット率を含む解析結果が操作パネル３に表示される。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ装置において、反応室の内部のヒータの設置の手間を軽減する。
【解決手段】熱フィラメントＣＶＤ装置のヒータ２０において、一対の電極２２ａ、２２ｂと、電極２２ａ、２２ｂを平行状態に相対向させ保持する枠体２３と、電極間２２ａ、２２ｂに張架された熱フィラメント２１により形成された加熱部と、電極２２ａの略下側に設けられた複数の係止部６０を備えた固定部２４と、電極２２ｂの略後方側に配置された複数の係止部７１を備えた可動部２５とを有する。加熱部は、１本のワイヤ状の熱フィラメント２１を、固定部２４の係止部６０と、可動部２５の係止部７１とに交互に架け渡し係止して電極間２２ａ、２２ｂにチドリ状に張架することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】処理室内へのパーティクルの拡散を抑制し、ガスフィルタの交換に要するコストを低減する。
【解決手段】基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、ガス導入手段は、処理室内に配設されるガス導入ノズルと、ガス導入ノズルの先端に接続され、処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、処理ガスは、ガス導入ノズルからフィルタを介してガス整流ノズルへ導入され、ガス導入口から処理室内に導入される。 （もっと読む）

【課題】搬送対象物の搬送方向及び回転方向の拘束を容易に行い、延いては、高精度かつ複雑な搬送対象物の搬送方法を確立し、信頼性のきわめて高い搬送を可能とするシャワー型気相成長装置及びその気相成長方法を提供する。
【解決手段】カバープレート２６を載置しかつ搬送する搬送フォーク４０と、搬送フォーク４０と対向する側に設けられて、搬送フォーク４０にて搬送されたカバープレート２６を受け取って載置保持する保持部材５０とを備えている。カバープレート２６の外周には２対以上の搬送フォーク側切り欠き２６ａ・２６ａ及び保持部材側切り欠き２６ｂ・２６ｂが形成されており、かつ搬送フォーク４０及び保持部材５０には、対応する位置決め突起４６・４６及び保持部材突起部５２・５２がそれぞれ少なくとも一対設けられている。 （もっと読む）

【課題】下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材を提供することを目的とする。
【解決手段】板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてワークの下面に当接する電極部材４６を、複数の貫通孔４５ａが形成された板状の吸着部材４５と冷却プレート４４とをろう付けして構成し、吸着部材４５の上面にアルミナを溶射した溶射膜６５を形成するとともに、貫通孔４５ａが開口した孔部４５ｄのエッジを溶射膜６５によって覆うようにする。これにより、電極部材のスパッタリングによる消耗を低減させて長寿命化し部品消耗コストを低減するとともに、飛散物による装置内部の汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ネジ止めされた基板載置台の表面に，ネジのある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置台２００であって，載置台本体を構成するサセプタ２１０と，このサセプタの周縁部を処理室１０２内に固定するネジ２３２とを備え，サセプタの周縁部に側面全周に渡る環状溝２４０を設けて，サセプタの周縁部をネジ２３２で締め付けられて熱膨張が抑えられる部分を含む下側の部分と，自由に熱膨張する上側の部分とに分けた。 （もっと読む）

【課題】処理基板上への異物の付着を抑制できる熱処理装置を提供する。反応副生成物の反応室壁面への付着を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板移載機２６に備えられたガス吹出し部３４は、基板支持具３０に向かって、ウエハ積載方向と平行方向にガスを噴射する。排気処理装置３８は、基板支持具３０をガス吹出し部３４とで挟むように配置され、ガス吹出し部３４から噴射された気体及びこの気体によって吹き飛ばされた異物を回収し、排気できるように構成されている。異物の除去は、ガス吹出し部３４が移動することで、基板支持具３０の異物が蓄積した個所に接近させ、異物に対し正確に位置制御してガスを噴射することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素製の部材に形成される酸化膜の剥がれが原因で発生する異物を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素製の反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に酸化性ガスを供給して熱酸化により基板表面に酸化膜を形成する処理を行う工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出する工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出した状態で、前記反応管内の温度を、一旦、前記熱酸化により前記反応管の内壁面に形成された酸化膜の温度が少なくともひずみ点に相当する温度に到達するまで昇温させた後、前記処理済基板を前記反応管内から搬出する時の温度よりも低い温度まで降温させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】シートフィルムなどの担持体に形成された薄膜材料を基板に転写することで基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、薄膜形成のために必要な真空度が得られ、しかもメンテナンス性に優れた装置を提供する。
【解決手段】上側ブロックと下側ブロックとの間で、薄膜を形成されたシートフィルムと基板とを挟み込んで薄膜を基板に転写させる薄膜形成装置である。上側ブロックを装着される上板１１と下側ブロックを装着される底板１９とが、アングル１０１により組まれたフレーム１０により結合される。その側面の開口部に、パネル状の前板１３、側板１４および裏板１６がシール部材１３８、１４８および１６８を介して取り付けられて処理チャンバ１が構成される。 （もっと読む）

【課題】 金属汚染を効果的に防ぎ、白傷の発生が少ない高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内にガスを導入するためのガス導入管と、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタと、前記サセプタを回転させるためのサセプタ回転機構とを有し、前記ガス導入管から反応ガスを前記チャンバー内に導入しながら前記ウェーハ上に気相成長を行い、反応後のガスを前記ガス排出管から排出する気相成長装置において、前記ガスに接触し、かつ金属を含む材料からなる部位が、全て非金属の保護膜で覆ったものであり、前記気相成長装置を構成する部材の接合部に用いられるＯ−リングは、少なくとも、Ｔｉを含まないものである気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】 ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｗに処理を施す処理室２１ａ又は２１ｂを備えた処理部２と、処理室２１ａ又は２１ｂに、被処理基板Ｗを搬入出する搬入出室３１と、搬入出室３１に設けられ、被処理基板Ｗを収容する被処理基板キャリアＣが取り付けられる被処理基板用ロードポート３２ａ乃至３２ｃと、搬入出室３１に設けられ、ダミー基板Ｗｄを収容するダミー基板キャリアＣｄが取り付けられるダミー基板用ロードポート３３と、搬入出室３１に設けられ、ダミー基板Ｗｄを格納するダミー基板格納部３４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、稼働率を向上させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】弁箱２等の固定部と弁体９等の可動部とを有する弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記弁装置の前記固定部に固定部用ヒータを設けた半導体製造装置とする。これにより、流路壁面に固形膜が形成されるのを防止し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを効率良く実行できるようにした半導体製造装置及びそのメンテナンス方法、メンテナンス治具を提供する。
【解決手段】プロセスマッフル１と、プロセスマッフル１内に配置されたマッフルフロア５と、マッフルフロア５上を摺動しながら半導体ウエーハＷを搬送する搬送ベルト９と、搬送ベルト９の動きを監視する監視装置と、を備え、監視装置は例えばエンコーダ３０を有する。このような構成であれば、搬送ベルト９の移動速度の変化（例えば、脈動）を検出することができ、この検出結果に基づいて、常圧ＣＶＤ装置１００のメンテナンス時期を決定することができる。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】焼きだし時の真空容器の内部の温度のばらつきを抑えることができ、より短時間で所望の真空度に到達可能な真空排気方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内に防着シールド４を備え、真空排気下でプラズマを発生させて基板９上に薄膜を形成する真空処理装置の真空排気方法であって、不活性ガスを導入する手順と、不活性ガスの圧力下において、ランプヒータにより防着シールド４を加熱する加熱手順と、排気手段２、３により真空容器１を排気する排気手順と、を有する。 （もっと読む）