【課題】チャンバ内壁が高温に曝される場合においても、チャンバの外形を限定することなく、チャンバ内壁に付着する反応生成物を低減する。
【解決手段】チャンバ１１内には、チャンバの内壁に所定の間隔を隔てて配置された多孔質状の防着板１８を設け、開口部１９を介してチャンバの１１内壁からチャンバ１１内に向かって防着ガスＧｆを噴出させながら、反応ガス導入管１５を介してチャンバ１１内に反応ガスＧｓを導入することにより、チャンバ１１内の基板２２の面上にａ−Ｓｉ系の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造して生産性を向上させた半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】チャンバ本体２１は、底部本体２１Ａ、第一筒体２１Ｂ、第二筒体２１Ｃ、及び蓋体２１Ｄを有し、これらが取外し可能に積重ねられる。チャンバ本体２１は、その空間Ｓに、基板Ｂを載置するステージ２２と、基板Ｂに対向する複数の触媒体Ｗと、各触媒体Ｗに接続される複数の接続端子３２とを有し、また、その蓋体２１Ｄに、各接続端子３２に対応する複数の押圧端子Ｔを有する。そして、蓋体２１Ｄは、第二筒体２１Ｃに積重ねられる状態で、対応する接続端子３２を押圧する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、真空ポンプ逆止弁の機能不全を常時監視することが可能な真空製膜設備を提供することである。
【解決手段】真空状態で薄膜を形成するための真空成膜装置２と、真空成膜装置２に対応するように設けられている真空ポンプ３と、真空ポンプ３の下流側に設けられ、真空成膜装置２から排出される排気ガスの逆流を防止する真空ポンプ逆止弁４とを備えている真空成膜設備１において、真空成膜装置２と真空ポンプ３との間を接続する排気管７には、圧力計１２が設けられている （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置に設けられた遮蔽部材に付着した付着物の簡易なクリーニング方法の提供。
【解決手段】 真空チャンバー１１内にプラズマを発生せしめるプラズマ発生手段３、真空チャンバーの底部に設けられた基板ステージ４、及び前記基板ステージに対向して配置され、発生したプラズマに基板が曝されないようにプラズマを遮蔽する遮蔽部材５を備えたプラズマＣＶＤ装置１のクリーニング方法において、酸素含有雰囲気で、プラズマ発生手段によりプラズマを発生せしめて遮蔽部材のクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を支持具に装填する工程と、基板を装填した支持具２１７を処理室２０１内に搬入する工程と、処理室内で支持具に装填された基板を熱処理する工程と、熱処理後の基板を装填した支持具を処理室内から搬出する工程と、処理室内より搬出した支持具から熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、熱処理後の基板を回収する工程は、基板の温度が、基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う。 （もっと読む）

【課題】サセプタ異常によるウエーハ温度異常をリアルタイムまたは事前に検出することができる、基板処理装置の異常検出方法、および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理中に、温度測定手段４が、サセプタ３の基板載置面中央部の、基板載置面近傍のサセプタ温度を測定する。次いで、サセプタ異常判定手段５が測定されたサセプタ温度と、予め設定された基準温度とを比較する。サセプタ異常判定手段５は、温度比較結果に基づいて、サセプタ異常の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、導入されるガスの流量や種類により容積の大きさが左右されず、重量の異なる複数のガスを効率よく低い圧力で均一に混合することができる混合器を提供する。
【解決手段】 重量の異なるガスを導入するための二つのガス導入管がそれぞれのガス導入口５ａ、５ｂを互いに対向するようにして設けられたガス攪拌・混合用攪拌室２と、攪拌・混合されて得られた混合ガスを拡散させる拡散室３と、該攪拌室と該拡散室との間で該攪拌室の容積よりも該拡散室の容積の方が大きくなるように攪拌室及び拡散室を仕切る仕切り板４と備える。仕切り板に、それぞれのガス導入口を結ぶ直線の鉛直方向下側の所定位置に一つのガス吹き出し口が形成され、ガス吹き出し口を介して該攪拌室で攪拌、混合された混合ガスを該拡散室に流入させ、該拡散室で拡散させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】フランジ部の外周面にのみ開口した複数対の凹部を設け、各凹部に作業者が手指を挿入できるようにし、専用の器具等を用いることなく炉内に対する運搬を容易に行うことができるようにする。
【解決手段】石英プロセスチューブ２の底部に形成されているフランジ部２０の外周面に、複数対の凹部２１を形成した。各凹部２１には複数の作業者の手指が挿入される。 （もっと読む）

【課題】 シール部材の長寿命化を達成することができる開閉バルブを提供すること。
【解決手段】内部を真空に保持可能なチャンバー１１と、排気装置５３、５４との間に設けられる開閉バルブ１００であって、チャンバー１１側と排気装置５３、５４側とを連通する開口１１１を備えた弁本体１１０と、弁本体１１０内にあって開口１１１に接離して開口を開閉する弁体１２０と、弁体１２０に設けられ弁体１２０が開口１１１を閉じた際に開口１１１をシールするシール部材１２０ｂと、弁体を進退させる直進移動手段１４０と、開口１１１から離隔した位置に設けられ、開口１１１から離反した弁体１２０が退避する弁退避部１１３ｂと、弁体１２０を、開口１１１に対応する位置と弁退避部１１３ｂに対応する位置との間で回動させる回動手段１５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の運転時の操作情報を収集して画面上に表示させて障害発生時の原因の解析を可能にする。
【解決手段】基板の処理を行うように制御する制御部と、前記制御部に指示を与えるための操作画面を備えた操作部３とを有するコントローラを具備する基板処理装置であって、前記コントローラは、前記操作部３におけるコマンド操作やレシピ／テーブル類等のファイル編集操作を収集して記憶すると共に前記基板処理装置や前記基板処理装置を構成する部品の状況変化を収集して記憶する記憶手段と、前記記憶された情報を前記画面上に表示する表示手段と、を有し、前記コマンド操作や前記レシピ／テーブル類等のファイル編集操作や前記基板処理装置や基板処理装置を構成する部品の状況変化を、発生した日時、発生させた主体、発生させた指示内容とともに同一画面に表示させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】液体または固体材料を気化して反応室内へ供給し、薄膜を形成する薄膜の形成方法において、原料ガス供給用通路や反応室内のパーティクルを低減する。
【解決手段】原料容器３３内に収納された粉末状もしくは粒状の固体原料３３ａを気化した原料ガスを、基板が設置された反応室内へ供給することにより、基板上に薄膜を形成する方法において、薄膜の形成工程の前に、原料容器３３内へ、圧力変動を発生させるように不活性ガスをパルス状に供給して、原料容器３３内の小粒径もしくは軽く巻き上がりやすい原料３３ｂを、原料容器３３内から吹き飛ばして取り除く。 （もっと読む）

【課題】高温時の熱変形を許容しながらフローチャンネルを所定の位置に確実に位置決めすることができ、薄膜製造効率の大幅な向上が図れる気相成長装置を提供する。
【解決手段】フローチャンネル支持部材２３に支持される底板（プレート１８）とチャンネル部材１９とからなる着脱フローチャンネル１３の前記プレートに、ガス流れ方向に対して上流側の位置の基準となる上流側位置基準部２０ａと、ガス流れ方向に交差する一側方向の位置の基準となる側方側位置基準部１８ａとを設けるとともに、上流側位置基準部に当接してプレートのガス流れ方向上流側の位置決めを行う上流側位置決め部と、側方側位置基準部に当接してプレートのガス流れ方向に交差する一側方向の位置決めを行う側方側位置決め部と、プレートを上流側位置決め部及び側方側位置決め部の方向に向けて押圧する押圧手段３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制するとともに、生産性を向上させることができるシリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】制御部１００は、半導体ウエハＷが収容された反応管２内に成膜用ガスを供給し、半導体ウエハＷにシリコン窒化膜を形成する。そして、シリコン窒化膜の形成を複数回繰り返すことにより、反応管２の内壁等に付着した付着物が所定の累積膜厚となる前に、制御部１００は、反応管２内に酸化ガスを供給して付着物を酸化する。続いて、制御部１００は、反応管２内に窒化ガスを供給して酸化された付着物の表面を窒化させる。 （もっと読む）

【課題】 各種反応性ガスに反応せず、金属の外方拡散の遮断が可能な膜を金属部品の表面に形成する。
【解決手段】 処理室２０１内に少なくとも一部の金属表面が露出される金属部品を具備する基板処理装置であって、前記金属部品の少なくとも前記処理室２０１内に露出される金属表面には大気圧未満の圧力下でベーキング処理がされてなるものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、気相成長反応後のプロセスガスから生じる副生成物のチャンバ内への堆積を抑制することができる気相成長装置および気相成長方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、排気部１０５付近のようにチャンバ１０１内に設けられた保護カバー１０２の低温部分を加熱するヒータ１１３と、さらにこの保護カバー１０２あるいはヒータ１１３の温度を検出する温度検出手段１１４と、ヒータ１１３の出力を制御するコントローラ１１５を備え、気相成長反応後のプロセスガスが冷却されることで副生成物がチャンバ１０１内へ堆積することを抑制する。これにより、チャンバ１０１を分解し堆積物を除去するなどのメンテナンスを行う頻度を低減し、気相成長反応時のプロセス条件を安定化するようにして高品質のウェハを高い稼働率で製造できる新規の気相成長装置、および気相成長方法を提供することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 円筒状をなすチャンバーの外周面にプラズマ発生用の電極を正確に固定できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 左右の柱状絶縁体２の１段目の止着部２ａの側面にチャンバーの外周を略半周巻回する２本の帯状電極１１（２本を合せて略１周）が止着され、同様にして、２段目の止着部２ｂ側面に２本の帯状電極１２が止着され、３段目の止着部２ｃの側面に２本の帯状電極１３が止着され、４段目の止着部２ｄの側面に２本の帯状電極１４が止着され、更に４段目の止着部２ｄの側面には第３の帯状電極１５が止着されている。帯状電極１１の一端は導体４を介して止着部２ａにビスにて固着され、帯状電極１３の一端は導体５を介して止着部２ｃにビスにて固着され、これら導体４，５は導体６を介して等電位となるように高周波電源につながっている。 （もっと読む）

【課題】上蓋の開閉動作や開閉位置にかかわらず、成膜処理室内の異物を検出し、上蓋の開閉動作を停止させ、上蓋の開閉動作時における作業者に対する安全性を向上させることを目的とする。
【解決手段】成膜装置は、成膜処理室と、成膜処理室の上蓋を開閉する上蓋開閉機構と、上蓋の開閉を撮像する撮像装置と、撮像装置で取得した画像を画像処理する画像処理回路と、上蓋開閉機構の作動を制御するインターロック回路とを備える。ここで、画像処理回路は、撮像装置で取得した画像から異物を検出し、インターロック回路は、画像処理回路による異物検出に基づいて、上蓋開閉機構の作動を停止する。画像処理回路は、この撮像装置で撮像した画像から、成膜処理室および上蓋の画像を除く画像処理を行うことで、異物が存在する場合にはこの異物の画像のみを抽出し、この画像から異物が存在することを識別する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ駆動プラズマプロセスチャンバ内の異常状態を、可変周波数ＲＦ電源の周波数が設定した上下限外に移動したかどうかを検出することにより、検出する。
【解決手段】第１の態様において、第１の対の周波数の上下限が、新たなプロセスステップ開始後、又はサンプル制御信号の状態変化後、サンプリングされた電源の周波数の関数として設定される。第２の態様において、第２の対の周波数の上下限は、電源の周波数に適応されない。両態様を一緒に用いて、異常状態の異なる発生を検出するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣボート表面の酸化膜中の金属汚染を簡便に除去することによって半導体ウェーハへの金属汚染を防止し、半導体ウェーハの製造時間および製造コストの抑制を可能にする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がＳｉＣ１０２で形成される半導体熱処理用ボートの表面清浄化方法であって、熱酸化により熱処理用ボートの表面を酸化する工程と、酸化する工程で形成された酸化膜１０４の一部を除去する工程を有することを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法。 （もっと読む）

【課題】装置高さを変えることなく、また反応容器サイズを変えることなく、反応容器のメンテナンスを行うことを可能にする。
【解決手段】基板処理装置、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室２０１を閉塞する蓋体と、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記蓋体に載置される着脱治具４００と、前記反応容器２０７の内側壁に該反応容器２０７の下端より上方側に設けられ、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記着脱治具４００の上面と突き当てられる支持部とが備えられている。 （もっと読む）