【課題】メンテナンス時間を短縮して装置の稼働率を向上させ、かつ、捕集部の着脱に伴うガス漏れや捕集部の破損等の発生を抑制する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記処理室に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、前記処理室内を排気するための第１の排気ポンプ４０８と、第１の排気ポンプ４０８と前記処理室とを連通させるガス排気ライン２３１と、ガス排気ライン２３１内に配置され、前記処理室内で生成される生成物を捕集する捕集部４０４と、捕集部４０４と連通し、捕集部４０４内を、少なくとも第１の排気ポンプ４０８が排気可能な圧力よりも低い圧力に排気可能な第２の排気ポンプ４１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】防着板の交換作業を容易に行うことができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、反応容器１４内に保持された基板１８の表面に化合物半導体薄膜を形成するためのものであって、前記反応容器１４内に成膜ガスを導入するガス導入口と、前記反応容器１４の上部開口１４ａを塞ぐ開閉可能な上蓋１４ｂと、前記上蓋１４ｂに着脱可能に設けられた石英板２４と、上蓋１４ｂを開閉すると共に基板１８に対する上蓋１４ｂの角度を調整する昇降回転装置３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】排気ラインからポンプを取り外す際の液状排出物の外部への垂れ落ちを防止する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内にガスを供給する供給ラインと、処理室２０１内を排気する排気ラインと、排気ラインに接続され、処理室２０１内を真空排気するポンプ２４６と、排気ラインのポンプ２４６よりも上流側に設けられ、ポンプ２４６を排気ラインから取り外す際に閉じられ、それ以外は開かれた状態とされるストップバルブ２６８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ベント中にシャワープレート裏面側の異物粒子汚染を防止できる、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】制御手段を備えたプラズマ処理装置において、ガス供給手段は、シャワープレートを経由して処理室内へベントガスを供給する第一のガス供給経路と、シャワープレートを経由せずに処理室内へベントガスを供給する第二のガス供給経路とを具備しており、制御手段は、前記処理室内の圧力に対して前記シャワープレート裏面の圧力が陽圧でかつ該シャワープレートの耐圧未満の圧力となるように、前記第一のガス供給経路及び前記第二のガス供給経路の少なくとも一方のベントガスの流量を調整する機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】シールフランジの取り外し作業性を高める。
【解決手段】メンテナンス治具２０はシールフランジ１１と等しい外形の円形リング形状のベース２１を有する。ベース２１にはシールフランジ１１の雌ねじ孔１３に対向する貫通孔２２、雄ねじ部材２４を保持する保持部材２３、取っ手２５、反応容器外からの熱気を遮蔽可能な遮蔽板２７を設ける。遮蔽板２７にはシールフランジ１１を目視するための開口孔２８を設ける。取っ手２５を持ってメンテナンス治具２０を炉口に運び、炉口を遮蔽板２７で塞ぎ、開口孔２８を通して目視しながら雄ねじ部材２４を雌ねじ孔１３にねじ込む。メンテナンス治具２０に締結したシールフランジ１１を所定の角度回動させ、シールフランジ１１の係合部とインナチューブ載せリング１０の係合部との係合を解除し、シールフランジ１１をインナチューブ載せリング１０から外す。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバーに設けられている圧力計を交換する際に、真空チャンバー内やロードロック室等を大気開放することなく交換できるロードロック室を有する真空チャンバー装置を提供することである。
【解決手段】ロードロック室と圧力計がそれぞれ配管により連接されているチャンバーと、ロードロック用ポンプと、高真空ポンプと、荒引きポンプと、を備えたロードロック室を有する真空チャンバー装置であって、前記配管により連接されている圧力計とチャンバー間に第一の開閉バルブを備え、第一の開閉バルブと圧力計の間に、その間の配管内を大気圧にする第二の開閉バルブを備え、さらに、第一の開閉バルブと圧力計の間に、第三の開閉バルブを介して配管内を減圧する配管用荒引きポンプを具備していることを特徴とするロードロック室を有する真空チャンバー装置である。 （もっと読む）

【課題】処理室でガス化学反応を伴う基板処理装置の、その装置を製造した時の、マニホールドフランジとガス導入ポートの溶接部に起因するパーティクルを抑止する。
【解決手段】溶接部を、ガス化学反応から遮蔽する、その反応に耐性を有する素材からなる、溶接部をガス化学反応から遮蔽するカバー手段を、基板処理装置内に付設することで、運用コストを含め低コストにそのパーティクル発生およびウエハへの付着を防ぐ。カバー手段としては、例えば、石英によって、溶接部をガス化学反応から遮蔽する板状の遮蔽部と、処理室中へのガス導入開口に挿入する筒状の挿入部とを組合せて構成する。 （もっと読む）

【課題】スループットを増加させると同時に、フットプリントを減少させ、かつ、装置の保守性を向上させたクラスタ型半導体処理装置を与える。
【解決手段】クラスタ型半導体処理装置は、ウエハ搬送チャンバの軸線方向に見て、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の隣接する２つの側面を含む多角形ベースを有するウエハ搬送チャンバを含む。ウエハ処理チャンバ用の複数の側面のうち隣接する２つの側面の間の角度Aは、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の２つの隣接する側面から成る全側面数で３６０°を割り算して計算された角度Bより大きい。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
【解決手段】プラズマエッチングチャンバの平均洗浄間隔時間及びチャンバパーツの寿命を延ばす方法が提供される。イオン衝撃及び／又はイオン化ハロゲンガスに曝される少なくとも１つの焼結窒化シリコン構成部品を使用しつつ、チャンバ内において一度に１枚ずつ半導体基板がプラズマエッチングされる。焼結窒化シリコン構成部品は、高純度の窒化シリコンと、二酸化シリコンからなる焼結助剤とからなる。焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理時のシリコン基板の表面上における金属汚染を軽減する方法が、１つ又は２つ以上の焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理装置によって提供される。プラズマエッチングチャンバ内においてイオン衝撃及び／又はプラズマ浸食に曝される構成部品を製造する方法は、高純度の窒化シリコンと二酸化シリコンとからなる粉末組成を成形することと、該成形構成部品を緻密化することとを含む。 （もっと読む）

【課題】ダウンタイムを短縮することが可能であり、安全性の高い半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、液体原料供給源より液体原料供給ラインを介してアミン系液体原料を気化器に供給し、気化器によりアミン系液体原料を気化し、気化されたアミン系原料ガスを、原料ガス供給ラインを介して処理室内に供給して、基板上に膜を成膜する工程と、成膜後の基板を処理室内より搬出する工程と、液体原料供給ライン内をアミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒で洗浄する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】堆積物を除去する堆積物除去具の耐用期間を延ばし、堆積物除去具の交換の回数を低減することにより気相成長装置の生産性を向上させる。
【解決手段】
チャンバ１０１と、チャンバ１０１から排出される気相成長後の第１のガスおよびクリーニング後の第２のガスを無害化する無害化室１０４と、チャンバ１０１と無害化室１０４とを接続し、チャンバ１０１から排出される気相成長後の第１のガスおよびクリーニング後の第２のガスを無害化室１０４内に導入する配管１０３と、配管１０３の内部に所定の周期で移動自在に設けられ、気相成長後の第１のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する第１の周期と、クリーニング後の第２のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する、第１の周期よりも長い第２の周期とを切り換えて往復動する堆積物除去具とを備えることを特徴とする。これにより、堆積物除去具１０６の耐用期間を延ばすことができる。
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【課題】簡単な構造でヒータの交換時期を判定して、ヒータの不具合による被処理基板の
不良を防止することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】縦型拡散炉は、筐体の内部には筒状ヒータ１１を、筒状ヒータ１１の内部に
は被処理基板（ワーク）を搭載されたボートが配置される内管を有している。筐体に備え
られた扉を開けると外部から筒状ヒータ１１の外側面１１Ａを見ることができる。筒状ヒ
ータ１１の最上部に割り当てられたＵブロック２０Ｄには、断熱層２１を貫通する電熱線
検査窓２８が設けられている。すなわち、電熱線検査窓２８は、電熱線保持部材２２に保
持されながら断熱層２１の内側面に沿って配設されている電熱線２４Ｄを筒状ヒータ１１
の外部から検査できるようにしている。また、電熱線検査窓２８は、隣接する２つの電熱
線保持部材２２の略中間位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の反応炉内の洗浄等のメンテナンスの際に異臭の発生を抑止する。
【解決手段】シリコン成分を有するプロセスガスを所定の温度に加熱されたウェハ１５０に供給し、ウェハ１５０上に気相成長による成膜を行なう気相成長装置１００であって、反応炉１０１と、プロセスガス供給部１０３と、第１排気部１２０と、第１排気部１２０から分岐して設けられ、反応炉１０１から大気を排出するバイパス管１３０とを備えることを特徴とする。これにより、メンテナンス時に反応炉１０１内から排出される大気と、第１排気部１２０に堆積する副生成物とを接触させないため、異臭の発生を抑止することができる。
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【課題】異常放電の発生を抑制し、薄膜を正常に形成し、歩留まりを向上させる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜を行う空間である成膜室２と、成膜室２の内部に配置された第１の電極４および第２の電極５と、高周波電源および整合回路から構成され、かつ第１の電極４および第２の電極５のうち一方の電極に成膜室２の外部から電力を供給する機構と、第１の電極４および第２の電極５のうち他方の電極に成膜室２の外部から電力を供給し、または接地電位に接続する機構と、第１の電極４と第２の電極５との間にガスを流入させて、電極を供給することによりプラズマを形成し、このプラズマを利用して成膜を行うように成膜室２を加熱する機構と、成膜室２内を囲むように成膜室２内の複数の側面部に対応させて配置している複数の防着板６と、を備えている成膜装置に関するものであり、防着板６を複数に分割し、近接する防着板６同士の間に隙間６ａ，６ｂを設けていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】外側反応管の洗浄作業を無くすことが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】この縦型ＣＶＤ装置１（半導体製造装置）は、半導体基板５０が内部に配置される内側反応管３と、内側反応管３の外側を覆うように配置され、真空フランジ６が底部５ａに取り付けられた外側反応管５と、内側反応管３と外側反応管５との間に配置され、内側反応管３の側方および上方を覆う内側反応管４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜装置に用いる成膜装置部品表面に堆積膜が付着し、それらが剥離することによって装置内の発塵となり、成膜処理する製品の汚染原因となっていた。またその様な汚染を防止するため、装置に用いる部品に堆積膜が僅かに付着する度に頻繁に交換することが必要となり、生産性の低下をもたらしていた。
【解決手段】表面を粗面化した石英ガラス基材又は石英ガラス基材表面に深さ５０μｍ以上のクラックがない石英ガラス基材上に、シリコン溶射膜を形成させた成膜装置部品は、成膜中に堆積膜が厚く堆積しても、石英ガラス基材と堆積膜との熱膨張差、あるいは堆積膜に内在する応力を緩和し、堆積膜の保持性が高く、堆積膜の剥離によるパーティクルを減らし、装置の連続使用期間を特に長くする事ができる。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置を分解することなく温度センサを反応管内部に挿入する。
【解決手段】反応管１と、反応管１の周囲に設置された加熱部３と、反応管１内に収容されるウエハを保持するためのウエハ保持部７と、ウエハ保持部７を反応管１内に出し入れするために昇降可能であってウエハ保持部７が反応管１内に配置された状態で反応管１を封止するための支持部９，１１を備えている。支持部９，１１は、支持部９，１１によって反応管１が封止された状態で反応管１内に温度センサを挿入するための貫通孔からなる温度センサ挿入口９ａ，１１ａを備えている。温度センサ挿入口９ａ，１１ａは支持部９，１１にウエハ保持部７が搭載された状態で温度センサを反応管１内に挿入可能な位置に設けられている。支持部９，１１にウエハ保持部７が搭載された状態で温度センサ挿入口９ａ，１１ａを開閉可能に封止するためのキャップ部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体が電力供給機構に接続されている接続部及び／又は発熱体が支持体に支持されている支持部を、接続部、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体の端部にパージガスを導入する発熱体ＣＶＤ法によって課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクヘッド・ディスクなどの電子部品用薄膜の製造装置として使用される成膜装置に於いて、プロセス室用真空ポンプの着脱に供するためのポンプ昇降手段を架設した水平方向スライド手段を設けた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプ７装着時は最初にスライド架台Ｓをフレーム１３の右方に置き昇降機構１１上に真空ポンプ７を積載する。スライド架台Ｓを左方に移動し、真空ポンプ７を第１スパッタ室下部の接続フランジＦの直下に置き、昇降機構１１のパンタグラフ機構を利用して真空ポンプ７を上昇させ、接続フランジＦに密着させた後締結金具で両者を緊結する。真空ポンプ７の取り外し時には上記と逆順序で真空ポンプ７を搬送室１の下部に引き出した後、真空ポンプ７をさらに下降させスライド架台Ｓから取り外して外方に移動する。 （もっと読む）

一態様において、電子デバイス製造施設の性能を改善するための方法が提供され、本方法は、生産装置を使用して行われる電子デバイス製造部品のシーズニング工程の数を減らすことにより、電子デバイス製造システムの動作中断時間を短縮する工程を含む。幾つかのその他の態様が提供される。
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