【課題】プラズマの影響による真空容器内の経時劣化を自動的に判定する。
【解決手段】ガス導入ライン２４および排気ライン１５が接続され、高周波発振器２７が接続された真空容器１１を有するプラズマＣＶＤ装置１０において、プラズマ生成中の高周波発振器２７の進行波電力値Ｐ_n と使用時間Δｔとの積によって表される総進行波電力量Ｗをコントローラ２８内の記憶装置３２に格納し、予め設定された管理値と比較することにより真空容器１１内のプラズマの影響による腐食または劣化を判定し、保守時期を警報する。プラズマの影響による真空容器内の経時劣化を自動的に判定することで、人為的な誤差を排除でき、プラズマＣＶＤ装置の製造歩留りやスループットを向上できる。
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【課題】半導体処理装置の腐食性ガスが通流する部位の表面に原子堆積膜を形成することにより、当該部位の耐久性や、前記腐食性ガスに対する耐食性を向上させること。
【解決手段】 処理容器１０に、処理ガス供給管２１と、ガス供給機器ユニット２２と、ガス配管２３と、排気管２４と真空ポンプ２５とを接続して半導体処理装置を組み立てた後、前記例えば処理容器１０、処理ガス供給管２１、ガス供給機器ユニット２２、ガス配管２３、排気管２４を結ぶガス流路に第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に多数回切り換えて供給すると共に、第１の原料ガスの供給と第２の原料ガスの供給との間に前記ガス流路の真空排気を行うことにより、前記ガス流路の腐食性ガスとの接触面に、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙのいずれかを含む化合物よりなる原子層堆積膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】シート状圧電センサを使用することによって、検出対象物の異常状態を低コストで高感度かつ高精度に検出できるようにした異常状態検出方法およびその方法に使用するシート状圧電センサを提供する。
【解決手段】検出対象物に可撓性を有するシート状の圧電センサ１を密着させて固定する手順と、前記検出対象物からの音響振動を前記圧電センサによって検出する手順と、前記音響振動の検出信号により前記検出対象物の異常状態を判別する手順とを有する異常状態検出方法である。そして、前記圧電センサは、可撓性を有するシート状の基板３上に圧電層４として、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化亜鉛およびニオブ酸リチウムから選択された一つの圧電性金属化合物を主成分とする薄膜を形成したものである。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、半導体処理システムの装置構成部品において副産物の蓄積を低減又は実質的に除去することにより、堆積システムのような半導体処理システムの効率を向上させるための、システム、装置及び方法を提供する。また、本発明は、半導体処理システムに関するフォアライン・トラップの効率を向上させることに関し、そこでは、該トラップは、処理チャンバからの排気ガス中の副産物の実質的に全てを取り除く。さらに、本発明は、半導体処理システムの排気ガスから生じる蓄積された副産物をトラップからクリーニングする、システム、装置及び方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ウェットクリーニングによる真空処理装置におけるダウンタイムを短縮する。
【解決手段】 ウェットクリーニングや部品交換等の目的で、チャンバ１を大気に開放したときに、装置の真空排気を行った後、被処理物の実際の処理に先立って、チャンバや処理室のエージングを必要とする真空処理装置において、プロセス用の高精度絶対圧真空計８と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計９を備え、真空排気中の圧力トレンドを用いて、真空排気の良否を判定し、排気良好と判断される場合には、実際の圧力が規定値よりも下がっていなくても、エージングを開始する制御手段１２を備えた。制御手段１２は、絶対圧真空計８によって測定されるチャンバ真空封止時の見かけのガス流量（リークレート）とワイドレンジ真空計９で測定されるチャンバ圧力との間の関係を求めておき、あとは圧力のみの測定で、基準となるリークレートに到達したか否かを判断する時刻を予測し、その時刻近傍にエージングが終了するように、エージングを開始する。 （もっと読む）

【課題】 非単結晶シリコン薄膜を高周波プラズマＣＶＤ装置で作成する場合、成膜室内部をクリーニングした直後の成膜では、バイアス電圧を一定にしても膜特性が低下する場合がある。この膜特性の低下を回避する。
【解決手段】 第１のバイアス電圧を印加しながら高周波プラズマＣＶＤ装置で薄膜を形成する第１工程と、該ＣＶＤ装置の内部をクリーニングする第２工程と、第１のバイアス電圧よりも低い第２のバイアス電圧を印加しながら該ＣＶＤ装置で薄膜を所定の期間形成する第３工程と、その後第１のバイアス電圧に戻して薄膜を形成する第４工程とをこの順に有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置において、装置の異常を確実に検出すること。
【解決手段】 第１の監視対象とこの第１の監視対象の大きさに影響を与える第２の監視対象とについて、第２の監視対象の値を種々変えることにより得られた両者の値の組に基づいて、２軸座標系に両者の値の相関データを作成する。バッチ式の成膜処理装置の場合であれば、第１の監視対象及び第２の監視対象は夫々例えば累積膜厚及び圧力調整バルブの角度である。この相関データに基づいて２軸座標系に正常領域と異常領域との境界を定めた境界データを作成し、両者の値で決まる相関データの位置が異常領域に入っていれば異常と判断する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置に備えられる抵抗加熱ヒータの劣化程度や断線の時期を検出する。
【解決手段】抵抗加熱ヒータ５の昇温時の抵抗値を検出する抵抗値検出手段と、前記抵抗値検出手段により検出された抵抗値の変化を抵抗加熱ヒータ５の診断基準データ又は受診のための受診データとして外部データ通信回線を介して診断側に送信する送信手段１ｆとを備えた抵抗値検出装置１と、半導体製造装置に備えられる抵抗加熱ヒータ５の劣化診断装置２であって、外部データ通信回線を介してデータを受信する受信手段２ａと、前記受信手段２ａを介して半導体製造装置側から受信した抵抗加熱ヒータ５の診断基準データを格納する格納手段と、前記受信手段２ａを介して半導体生産装置側から受信した抵抗加熱ヒータ５の受診データを前記格納手段の診断基準データに対比してその大小により劣化状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】 フェイスダウンタイプＭＯＶＰＥ法を用いたIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、反応管下面に生ずる堆積物を容易に除去し、エピタキシャルウェハの量産数を向上させることにある。
【解決手段】 反応管２内に又は反応管２の上壁の一部として板状のサセプタ３を設け、このサセプタ３に気相エピタキシャル成長の対象である基板４をその結晶成長面を下向きに支持して加熱し、上記反応管の入口２ａからIII族およびＶ族原料ガスを基板４の成長面に沿って流し、ＭＯＶＰＥ法により基板４上に化合物半導体結晶を成長するIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、上記反応管２の下壁領域のうち上記成長の過程で堆積物１３が生じやすい反応管入口側近傍の一部領域を、交換可能な底板１４により形成し、この底板１４を必要に応じて新品の底板と交換する。 （もっと読む）

成膜材料を用いて基板上に薄膜を形成する成膜装置の構成部品において、付着膜が破壊・剥離しにくい表面構造を有する上記構成部品であっても、洗浄時には短時間で容易に付着膜を除去できるような構造を持つ構成部品及びその洗浄方法。成膜装置の構成部品と上記薄膜の形成時にこの構成部品の表面に付着した上記成膜材料からなる付着膜との界面に洗浄液を浸入させるために、構成部品の裏面から表面に至る多数の貫通孔を設けることにより、付着膜を表面のみから洗浄液で溶解させる場合に比べて、短時間で容易に付着膜を剥離して除去することができるようになった。
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【課題】光放射による、システムコンポーネントの腐食のモニタリング
【解決手段】プラズマ処理システムにおけるシステムコンポーネントの腐食をモニタリングする方法及びシステム（２１）が提供される。前記システムコンポーネントは、プラズマにさらされたときに、特徴のある蛍光放射を生成することが可能なエミッタを含む。前記方法は、前記エミッタからの蛍光放射をモニタリングしてシステムコンポーネントの状態を判断するために、光放射を利用する。前記方法は、前記エミッタからの蛍光放射をモニタリングすることにより、プラズマ中のシステムコンポーネントの腐食を評価することができる。前記方法を用いてモニタリングすることができる消耗するシステムコンポーネントは、リング（６０、６２）と、シールド（１４）と、電極（２４）と、バッフル（６４）と、ライナとを含む。
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【課題】メンテナンス時の作業者の閉じ込めを無くす事ができる基板処理装置の提供。
【解決手段】待機室を形成した筐体１１の背面壁にメンテナンス口６６を開閉するメンテナンス扉６７を設け、メンテナンス扉６７の開閉を検知する扉検知スイッチ７２と、メンテナンス扉６７を開状態に維持する開状態維持具８０とを設置する。開状態維持具８０はガイド８１とスライダ８６と押さえ８９と南京錠とを有する。メンテナンス扉６７の開放時に、押さえ８９の挿入部がガイドの押さえ受入れ部から抜け出ると、スライダ８６は自重でガイドの受け部に乗る。この後に、南京錠が南京錠取付孔に掛けられる。押さえ８９の挿入部９０が押さえ受入れ部８４に挿入するのをスライダ８６で阻止されるので、メンテナンス作業中にメンテナンス扉６７が固定されるのを防止でき、作業者の待機室への閉じ込めを無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、真空処理室を大気開放することなく、反応ガス放出部の交換を行なうことができる装置を提供する。
【解決手段】真空処理室１と、反応ガス供給部６とを備え、反応ガス供給部６は、ミキシング部２と反応ガス放出部３から構成される。反応ガス放出部３は真空処理室１と連結した真空室１６に複数組収納され、使用済みの反応ガス放出部３をミキシング部２と分離させた後、回収し、清浄な反応ガス放出部３を真空処理室１内のミキシング部２と結合させるための、搬送、固定、保持及び回転機構を備え、真空処理室１の真空度を維持した状態で、反応ガス放出部３を交換することができるものである。これにより、メンテナンスサイクルを長くすることができ、装置の稼動ロスを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 チャンバを閉塞するリッド部を開けることなく、チャンバ内の保守・管理を行えるようにする。
【解決手段】 チャンバ２００内にヒータユニット２０２を設ける。ヒータユニット２０２は昇降自在に設けられ、下降して基板搬送位置に来ると、チャンバ２００の底部に設けたリフトピン２１１がリフトピン穴２０２ａから突き出して基板２０１を保持するようになっている。チャンバ２００の上部開口２００ｃには、チャンバ２００を閉塞するリッド部２０７が設けられる。リッド部２０７には、リフトピン穴２０２ａの真上位置に開口部２０７ｂが設けられる。この開口部２０７ｂには閉塞部材２１９が取り外し可能に設けられて、開口部２０７ｂを閉塞できるようになっている。閉塞部材２１９を透明にしたときは、加熱状態にあるチャンバ２００内のリフトピン穴位置を確認できるようになっている。閉塞部材２１９をリッド部材と同じ部材としたときは、通常の基板処理が行えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス時には十分なスペースを確保してメンテナンス作業を容易に行えるとともに、小スペース内に設置することを可能とするスリムな基板処理装置を提供する。
【解決手段】 粗引きポンプ１５、第１の処理室１２Ａ、第２の処理室１２Ｂ等を搭載した第１のキャビネット１０と、電源部や制御部等を搭載した第２のキャビネット２０とが電源ケーブルおよび信号ケーブルを介して連結されている。第２のキャビネット２０の空きスペースＳ内に第１のキャビネット１０を収納した収納状態に設定すると基板処理装置１をスリム化することができる。また第１のキャビネット１０と第２のキャビネット２０とを分離させた分離状態に設定すると、十分なスペースを確保することが可能となるため第１のキャビネット１０に搭載された各種機器のメンテナンス作業を容易とすることができる。 （もっと読む）

プラズマ処理システムを監視するために圧力制御システムを使用する方法と装置が提供されている。圧力制御システムの状態における変化を監視することで、故障状態、誤作動故障状態又はサービス状態が決定される。例えば、サービス状態には、継続的な予防保守作業間の残渣の蓄積の監視が含まれる。
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処理システム（１，１００）の処理チャンバーの中における、チャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法である。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、処理チャンバーの中のチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成され、基板処理の際の処理チャンバーの中のパーティクル形成を抑制する。少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）の中に導入され、製造工程が処理チャンバー（１０，１０２）の中で行われ、少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）から取り出される。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８）は、清浄なチャンバー部品（３００，５００，６００）の上に、またはチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成された堆積物（３０２，６０４）の上に堆積することができる。代替的に、パーティクル抑制膜（７０６）は、チャンバー部品（７００）の上の堆積物（７０２）の少なくとも一部を化学的に転換させることによって形成されても良い。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、製造工程の後で、または複数の製造工程後の選択されたインターバルに形成されても良い。
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処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法である。この方法は、処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する段階、前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上で基板を処理する段階、を含む。前記処理する段階は、前記セラミック基板ヒータ上で処理される基板を提供する段階と、前記基板を処理ガスで露光することによって前記基板上で処理を行う段階と、前記処理された基板を前記処理チャンバから取り外す段階と、を含む。
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【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。
【解決手段】 このＣＶＤ装置５０は、処理室５１にペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を供給するための容器５３に予備容器７３を接続し、容器５３内のペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）の残量が少なくなったときは、配管５４と容器５３とを切り離して新しい容器５３と交換するのではなく、予備容器７３からペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を補充する。これにより、配管５４と容器５３とを切り離すためのジョイント６１ｊを通じて配管５４内に大気が侵入し、配管５４内の残留ペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。 （もっと読む）