多段階基板真空処理を簡素化し、柔軟性を改善するために、ロードロックおよび処理タワーＬＬＰＴ１はロードロック装置ＬＬＡならびに処理装置ＰＭＡを含む。運搬装置ＴＡにおいて、ロードロック装置ＬＬＡは一方では外部雰囲気ＡＴと、他方では真空雰囲気Ｖと連通する。プロセスモジュール装置ＰＭＡおよび運搬装置ＴＡ間の基板のハンドリングは開放部を介して行われる。
（もっと読む）

【課題】ボートエレベータのスムーズな昇降作動を確保する。
【解決手段】ウエハ１群をボート１３に保持した状態で処理する処理室２０と、処理室２０の真下に形成されてボート１３が待機する待機室１２と、ボート１３を昇降させて処理室２０に搬入搬出するボートエレベータ２３とを有し、有機物質による汚染を防止するために、ボートエレベータ２３が待機室１２の外部に設置されたロードロック式熱処理装置において、ボートエレベータ２３は待機室１２に挿通し昇降台４３を支持する昇降軸３８と、昇降軸３８を昇降させる駆動側送りねじ軸２８と従動側送りねじ軸２９と、昇降軸３８の昇降をガイドする一対のガイド軸２６、２６とを有し、両ガイド軸２６、２６、両駆動軸２８、２９が昇降軸３８を挟んで対称形に配置されている。駆動軸に作用するモーメントを抑止できるので、ボートエレベータのスムーズな昇降作動を確保できる。 （もっと読む）

本発明は、クリーン・ルーム対応の、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法用のコーティング・システムに関する。前記システムは、ガラス様の層、ガラス・セラミック層および／またはセラミック層が堆積される、少なくとも１つの真空コーティング・チャンバを備える。真空コーティング・チャンバの第１の開口部が、真空排気可能な別個の真空ロック・チャンバ（ロード・ロック）を介してクリーン・ルームに接続される。この真空ロック・チャンバは、基板を真空コーティング・チャンバ内に供給し、基板を真空コーティング・チャンバから取り出すために使用される輸送手段を備える。真空コーティング・チャンバの第２の開口部が、真空コーティング・チャンバをクリーン・ルームから切り離されたグレイ・ルーム領域に接続する。
（もっと読む）

【課題】処理炉に開口した基板搬入出口を気密に閉塞する閉塞手段に副生成物が堆積するのを抑制または防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を収容し処理する処理炉２０２にウエハ２００が収容されていない時に、処理炉２０２の下側のウエハ搬入出口１３１を気密に閉塞する炉口シャッタ１１６を設け、この炉口シャッタ１１６を加熱する加熱ヒータ１３２を設けて、ウエハ２００が処理炉２０２に収容されていない時に、炉口シャッタ１１６を加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板処理時に生成する副生成物がロードロック室に残留する水分と接触し化学反応することを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１と、開口１６１と開口（ウエハ搬送口）１２５とを有したロードロック室１０２であって、開口１６１を介し処理室２０１と連通し、ウエハ搬送口１２５を介し大気雰囲気空間と連通するロードロック室と、ロードロック室内の水分濃度を測定するセンサ３０１と、開口１６１を気密に閉塞するシールキャップ２１９およびゲートバルブ２４４とウエハ搬送口１２５を気密に閉塞するロードロックドア１２３と、センサ３０１の測定結果が予め定めた規定値以下になった際に、シールキャップ２１９またはゲートバルブ２４４を制御して処理室２０１とロードロック室とを連通させるように制御する制御装置１６２とを備える。 （もっと読む）

コストアップを抑制しつつ良好な耐圧強度を発揮する耐圧構造体を提供する。ウエハＷが配置される第一空間９３と、ヒータ８１、８２が設置された第二空間９４と、第一空間９３と第二空間９４とに仕切る仕切パネル９５を備え、仕切パネル９５は内部が中空の中空体９６と、少なくとも第二空間９４側の部分には固着しない状態で中空体９６の中空部内に収容された耐圧支持体９７とから構成され、中空体９６の中空部は第一空間９３の圧力よりも低圧に減圧されている。中空体９６の第一空間９３に接する上側壁９６ａにも上側壁９６ａを耐圧支持体９７の上面に押接する力Ｆｃが作用するので、中空体９６は耐圧支持体９７で補強され、仕切パネル９５は所期の耐圧強度を発揮する。 （もっと読む）

チャンバ（２）内の略中央には、所定対象のウエハ（Ｗ）を載置するサセプタ（１６）と、サセプタ（１６）を支持する支持台（１５）が設置されている。処理ガス供給装置（４）は、ウエハ（Ｗ）を処理するための処理ガスをチャンバ（２）内に供給する。第１高周波電源（５）及び第２高周波電源（７）は、それぞれ所定の高周波電圧を印加することにより、供給された処理ガスのプラズマを生成してウエハ（Ｗ）を処理する。支持台（１５）及びサセプタ（１６）の周囲には、接地された導電部材（１８ａ）を有する堰（１８）が設けられており、これにより、生成されたプラズマがサセプタ（１６）に載置されたウエハ（Ｗ）上の領域に封じ込められる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】低水分分圧でエピタキシャル成長を行える技術を提供する。
【解決手段】このエピタキシャル成長装置１では、搬入室２５と第１のロードロック室３１との間に搬送室１４が配置され、その搬送室１４と、搬入室２５と、第１のロードロック室３１には、窒素ガス導入ポート２０、２１、２８がそれぞれ設けられている。窒素ガス導入ポート２０、２１、２８から窒素ガスを導入すると、窒素ガス雰囲気中で搬入室２５から第１のロードロック室３１内に基板１７を搬送できる。第１のロードロック室３１内に搬入された基板１７は、ボートに搭載され、ボートローダ２９によって熱処理室１２内に搬入される。そのボートローダ２９周囲には、加熱されたオイルが循環できる循環路４が配置されており、ベーキングの際に、ボートローダ２９を加熱できるように構成されている。従って、従来では加熱できない部分までベーキングを行うことができる。 （もっと読む）