【課題】高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈｆを含む原料を気化した原料ガスを用いて、ＣＶＤ法により、基板上にアモルファス状態のＨｆを含む膜を形成する成膜工程（ΔＭｔ）と、原料ガスとは異なる反応物を用いて、成膜工程において形成したアモルファス状態のＨｆを含む膜の改質を行う改質工程（ΔＲｔ）と、を連続して複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】サセプタで支持された基板上へのエピタキシャル膜の成膜において、成膜装置内への基板の搬入から基板上での成膜処理までの間で発生する基板の変形を抑制する成膜方法を提供する。
【解決手段】昇温した基板Ｗ支持用のサセプタ２０を、基板Ｗの成膜処理を行う初期位置から上昇させ、成膜室２内に搬入された基板を受け取り、当該サセプタ２０を下降させて、初期位置に復帰させ、サセプタ２０上で基板Ｗを成膜温度に加熱し、気相成長反応を行う成膜方法において、サセプタ２０が基板Ｗを受け取る前、搬入された基板Ｗ下方の停止位置で昇温したサセプタ２０を停止させる。そして、基板Ｗを昇温したサセプタ２０により加熱し、所定温度に基板Ｗを加熱した後、さらにサセプタ２０を上昇させて基板Ｗを受け取るようにする。 （もっと読む）

【課題】 保守維持費の増大を抑制することが可能な真空装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｇを真空状態下におくことが可能な、気密に構成された容器本体５０と、容器本体５０に設けられた、被処理基板Ｇを出し入れする開口部５１と、開口部５１を開閉する弁体６１と、開口部５１を囲むように枠状に形成され、容器本体側表面７１ａ、及びこの容器本体側表面７１ａに相対する弁体側表面７１ｂの双方に枠状シール部材７２ａ、７２ｂを備えた、開口部５１の周囲に着脱自在に取り付けられるシール板７０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 各ウエハの処理／未処理だけでなく、処理が正常に終了したかどうかを表示して、正常ウエハと不良ウエハの区別を明確にし、正常ウエハと不良ウエハの混同を防ぐことができ、また、ウエハカセットの有無を表示してオペレータがウエハカセットを確実に搭載することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハの処理を行うプロセスチャンバと、ウエハをカセット室から取り込みプロセスチャンバへ搬送するための搬送室とを備える半導体製造装置の表示部１７に、カセット室内のウエハの搭載状況を表示するものであり、表示部１７には、カセットの有無を表示するカセット表示エリア８が設けられ、カセット表示エリア８内の所定の位置にウエハ表示エリア９が設けられ、ウエハ表示エリア９は、所定の位置にウエハが存在するかどうかを表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】減圧雰囲気下で基板を予備加熱する際に、予備加熱時間の短縮を可能にして省電力化及び置換ガスの費消の低減ができるインライン式プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】外部に基板トレー５の搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室２及び成膜室３がこの順に連設されて、基板トレー５に基板Ｗが収容されて、基板トレー５が予備加熱室２及び成膜室３へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマＣＶＤ装置１であって、予備加熱室２は、予備加熱室２の床面側に上下動可能に配設された第１の加熱ヒータＨ１と、予備加熱室２の外側にあって第１の加熱ヒータＨ１に連結されて加熱ヒータＨ１を基板トレー５に接触させると共に基板トレー５を昇降させる昇降機構Ｅ１と、この昇降機構Ｅ１を制御する制御手段Ｃとを有し、予備加熱室２は減圧装置Ｐ１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の後の基板が支持するサセプタにくっつかないように、基板をサセプタ上の適正な位置に載置できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、基板Ｗを載置するサセプタ２０を内蔵し、サセプタ２０を回転させながら基板Ｗの上に成膜処理を行う成膜室２と、成膜室２に接続する搬送室４と、搬送室４に接続する基板待機室８と、搬送室４内に設けられ、成膜室２と基板待機室８との間で基板Ｗを搬送する搬送手段１７とを備える。さらに、基板待機室８の内部にある基板Ｗの中心を第１の基準位置に位置合わせする第１の位置合わせ機構５と、基板待機室８から搬送された基板Ｗについて、基板Ｗの中心を成膜室２の内部で第２の基準位置に位置合わせする第２の位置合わせ機構６とを有し、第２の基準位置はサセプタ２０の中心と一致する。 （もっと読む）

【課題】同時に複数の基板をローディング／アンローディングすることができる原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板をプロセスモジュールに移動するときに、複数の基板をローディング／アンローディング可能な原子層蒸着装置は、基板をローディングおよびアンローディングするローディング／アンローディングモジュール１０と、複数の基板を同時に収容して蒸着工程が実行される複数のプロセスチャンバ３１を備え、プロセスチャンバの内部の排気ガスを吸入して、プロセスチャンバの上部に排出させるように排気部が備えられたガス噴射ユニットが備えられるプロセスモジュール３０と、ローディング／アンローディングユニットとプロセスモジュールとの間に備えられ、基板を移送するが複数の基板を同時にパージして移送するトランスファーロボットを備えるトランスファーモジュール２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの金属汚染を防止し、かつ半導体ウェーハの内外において損傷を防止する。
【解決手段】気相成長装置１００は、加熱した半導体ウェーハ１を金属製の円板状の冷却プレート１１に近接して、半導体ウェーハ１を冷却する冷却チャンバ１０を備える。冷却チャンバ１０は、冷却プレート１１に取り付けて、半導体ウェーハ１の周縁を周方向に間隔をあけて支持する複数の支持部材１３を備える。支持部材１３は、半導体ウェーハ１が載置される円弧状の頂部が冷却プレート１１の中心に向かう支持面１３１と、支持面１３１から突出して半導体ウェーハ１の外周を部分的に囲う段差１３２を有する。円弧状の頂部は、半導体ウェーハ１が冷却プレート１１に接触しない所定の高さを設けると共に、冷却プレート１１の中心に向かって下り傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】基板の撮像に基づく基板位置検出において検出誤差を低減することが可能な基板位置検出装置および基板位置検出方法、並びに基板位置検出装置を含む成膜装置を提供する。
【解決手段】位置検出対象である基板Ｗを撮像する撮像部１０４と、撮像部１０４と基板Ｗとの間に配置され、基板Ｗに対する撮像部１０４の視野を確保する第１の開口部１０６ａを有する光散乱性のパネル部材１０６と、パネル部材１０６に光を照射する第１の照明部１０８と、撮像部１０４により撮像された基板Ｗの画像から基板Ｗの位置を求める処理部１０４ａとを備える基板位置検出装置１００が提供される。 （もっと読む）

【課題】高スループット化と証フットプリント化の相反する条件の両立を実現することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送室１２を中心としてロードロック室１４ａと少なくとも二つの処理室１６ａが配置されている基板処理装置であって、搬送室はロードロック室と処理室間で基板を搬送する基板搬送部を有し、基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられた第一のアームを有し、それぞれのフィンガの先端は水平方向であって同じ方向に延伸されるよう構成され、処理室は、第一の処理部３６と第二の処理部３８とを有し、第二の処理部は、搬送室から第一の処理部を挟んで遠方に配置される。 （もっと読む）

【課題】実際に基板を処理させる処理部の数が変動しても、複数種類の処理を所定の順番どおりに効率よく基板に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰの順番で基板Ｗを搬送し、複数種類の処理を基板Ｗに行う。たとえば、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰをそれぞれ３台、２台、１台使用しているところ、１台の加熱冷却ユニットＰＨＰを使用処理部から外れた場合であっても、残っている使用処理部によって、所定の順番で基板Ｗに処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置の提供。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴのゲートスタック形成工程は、ウエハ上に界面層を形成するステップと、界面層に第一ハフニウムシリケート膜を形成するステップと、第一ハフニウムシリケート膜にアニールを施すことで第一ハフニウムシリケート膜を緻密化もしくは結晶化するステップと、緻密化もしくは結晶化した第一ハフニウムシリケート膜上に第二ハフニウムシリケート膜を形成するステップと、第一ハフニウムシリケート膜および第二ハフニウムシリケート膜に対しプラズマ窒化を施すステップと、プラズマ窒化のプラズマダメージを回復する回復アニールステップと、を有する。窒素導入による移動度の劣化を抑制し、良好なＭＯＳＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて被処理体を回転させながら処理する処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、処理源１５５を用いて内部にて基板Ｇを処理する処理容器１００と、処理容器１００の壁部に配設され、基板Ｇを処理容器内に搬入又は処理容器内から搬出する複数のバルブＶと、処理容器１００の底面に対して鉛直方向の中心軸Ｏを中心に点対称に配置され、処理容器内にて中心軸Ｏを中心に回転可能な複数のステージ１１０ａ，１１０ｂと、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂを支持し、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちのいずれかのステージを複数のバルブのうちのいずれかの搬送口近傍まで回転させるタイミングに併せて、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちの他のいずれかのステージを複数のバルブＶのうちの他のいずれかのバルブＶの近傍まで回転させるステージ支持部材１１５と、を有する。 （もっと読む）

本発明は、装置チャージ−ディスチャージロック内の圧力を大気圧から大気圧より低い移送圧力に下げるための方法に関し、前記ロックは、少なくとも１つの基板が大気圧で配置されるチャンバを備え、前記方法は、ポンピングレートが限定されている一次ポンプを使用して、前記チャンバのターボ分子ポンピングを隔離しながら大気圧から第１の特性閾値への第１の一次ポンピングが実行される第１のステップ１０１と、ターボ分子ポンピングの隔離を維持しながら前記第１のステップの場合より速く第２の特性閾値への第２の一次ポンピングが実行される、前記第１のステップ１０１に続く第２のステップ１０２と、第１のポンピングから上流で前記ターボ分子ポンピングを使用して第２のポンピングが実行され、一次ポンプチャンバが隔離される、前記第２のステップ１０２に続く第３のステップ１０３とを備える。本発明はまた、本方法を実装するための装置に関する。
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【課題】加熱効率を増加させ、加熱処理の所要時間の増大を抑制可能な真空加熱装置を提供する。
【解決手段】真空加熱装置は、カセット２６を搬送する搬送ロボット２０が設置された搬送室１０、搬送室１０に真空を維持して接続され、カセット２６上に載置されて搬送された基板５０を加熱処理する加熱室１４を有する。加熱室１４は、基板５０の上面方向から基板５０を輻射加熱するランプヒータ３８、ランプヒータ３８の上方から側方を囲む第１リフレクタ４０を有する加熱部３９と、カセット２６を下面側から支持する支持ピン３２、支持ピン３２に結合された第２リフレクタ３４を有する支持部２８と、支持部２８を昇降させる昇降部２９とを備える。 （もっと読む）

【課題】清浄な表面処理を実行可能な基板処理システムおよび基板処理方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボット室１１、第１ロードロック室２１、予熱チャンバ３１、処理チャンバ４１、冷却チャンバ５１および第２ロードロック室６１のいずれにおいても、その内部圧力が大気圧以上に調整される。また、予熱チャンバ３１内の圧力が搬送ロボット室１１内の圧力よりも低くなるように圧力調整が実行される。したがって、プリベーク処理時に発生した酸素や水分などが予熱チャンバ３１から搬送ロボット室１１に流入するのを効果的に防止することができ、プリベーク処理後の基板Ｗに対する酸素や水分の再付着が抑制される。その結果、酸素や水分が処理チャンバ４１に入り込むのを抑制することができ、各電子ビームキュアユニット４Ａ、４Ｂにおいて清浄なキュア処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】一度に複数枚の被処理体を処理してスループットを向上させることができ、更に過大な反射波の発生を抑制し、インターロック機能を設ける必要がなく、投入電力を増加させることができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して電磁波を用いて熱処理を施すようにした処理装置２において、所定の長さを有する金属製の処理容器４と、処理容器の一端に設けられた搬出入口６と、搬出入口に設けられる開閉蓋５２と、搬出入口より処理容器内へ搬出入され、複数枚の被処理体を所定の間隔を隔てて保持すると共に電磁波を透過する材料よりなる保持手段４２と、処理容器内へ電磁波を導入する電磁波供給手段１４と、処理容器内へ必要なガスを導入するガス導入手段２２と、処理容器内の雰囲気を排気する排気手段３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｗに処理を施す処理室２１ａ又は２１ｂを備えた処理部２と、処理室２１ａ又は２１ｂに、被処理基板Ｗを搬入出する搬入出室３１と、搬入出室３１に設けられ、被処理基板Ｗを収容する被処理基板キャリアＣが取り付けられる被処理基板用ロードポート３２ａ乃至３２ｃと、搬入出室３１に設けられ、ダミー基板Ｗｄを収容するダミー基板キャリアＣｄが取り付けられるダミー基板用ロードポート３３と、搬入出室３１に設けられ、ダミー基板Ｗｄを格納するダミー基板格納部３４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板のような被処理物に対して、複数回プラズマ処理を施す場合に、比較的強いプラズマ処理を施される箇所を、被処理物にて重複させないプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置５９は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、をずらす。 （もっと読む）