一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
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本発明は、一般に、ＬＥＤ構造を形成する装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）プロセスまたは有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）プロセスによって第１の処理チャンバ内で基板上に第１の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第１の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の処理チャンバ内で第１の層を覆って第２の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第２の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の層を覆って第３の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第３の層を形成するステップとを含む、窒化化合物構造を製作する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】有機金属気相成長法により、成膜室内に載置される基板Ｗに成膜処理を行う成膜装置１は、成膜室を３以上備え、第１の成膜室２と第２の成膜室１０２と第３の成膜室２０２は、互いに独立に、少なくとも原料ガスの組成と、原料ガスの流量と、室内の温度と、室内の圧力とが制御され、それぞれが異なる膜を基板Ｗ上に形成するよう構成されている。成膜室２、１０２、２０２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の搭載のためにホルダーが装着されるバッチ型半導体の製造装置のボートにおいて、製造が簡単な半導体基板ホルダーの製造方法及びこのホルダーを通じてよりコンパクトな半導体基板のボート搭載を遂行してその生産性が向上するバッチ式ボートとそれを用いた半導体基板のローディング／アンローディング方法並びにこれらが含まれた半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の底部が安着される外周と内周大きさを有するパイプ形状のホルダー基材１０を成形し、ホルダー基材１０を半導体基板のローディング用ボートで半導体基板の配置間隔に合わせてリング形状に切断してホルダーリング１２を製作する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理チャンバを備える半導体製造装置に対して最適なウェーハ搬送制御処理を実現し、半導体製造のリードタイムを短縮して効率性を高めることができる半導体製造装置の制御システムおよび制御方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハをロット単位で処理する半導体製造装置の処理動作を指示する処理指示装置１０の搬送制御判断部１２は、装置状態データ収集部１１、ロット処理データ収集部１４および搬送制御データベース１３から取得した、装置状態データ、在庫ロット数、ウェーハ処理時間、ロット間クリーニング時間およびウェーハ搬送制御内容を示すデータに基づいて、ウェーハ搬送制御内容ごとに全在庫ロットの平均リードタイムを算出する。搬送制御判断部１２は、算出結果から最適なウェーハ搬送制御内容を選択し、処理指示部１５が選択されたウェーハ搬送制御内容に従うウェーハ搬送を半導体製造装置１６に実施させる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。
【解決手段】プラズマチャンバ２１，２２に、複数のシャワー電極６が隙間８をあけて設けられる。複数の基板４が等間隔に並べられたトレイ５が、シャワー電極６と下部電極７との間に搬送される。成膜開始時、隣り合うシャワー電極６間の隙間８の真下に基板４がくるように、トレイ５が位置決めされる。成膜中、トレイ５は隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動する。トレイ５は、基板４の長さよりも短い距離だけ移動する。この間に、基板４上に薄膜が形成されるが、シャワー電極７間の隙間８の真下に発生した強いプラズマ放電の影響を受ける領域が基板４上を移動するので、膜厚のばらつきが低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周側に位置するプロセスチャンバー部に設置されている、ウェーハ搬送部とプロセスチャンバー部を仕切るゲートバルブ部近傍部の温度低下を改善する。
【解決手段】ウェーハ搬送部２８とプロセスチャンバー部２１とを仕切るゲートバルブ部２９の近傍温度を制御可能とする。ゲートバルブ部２９とプロセスチャンバー部２１との間に新たな仕切部３２を設け、本仕切部３２の材質はプロセスチャンバー部２１と同じ材質とし、さらに仕切部３２の内部には、温度制御可能なヒータ３３および熱電対３４を設け熱電対３４の温度に基づいてヒータ３３の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制する。
【解決手段】処理室２０１内に設けられたコーティングガス供給ノズル２８０ｂによりコーティングガスを供給して処理室内の石英部材をコーティングし、処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給して基板上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ベース部材に対する機能部材の取り付けを極めて簡易に行うことができ、ベース部材の加工を簡略化することもできるマルチチャンバ処理システムを提供すること。
【解決手段】ロードロック室６，７は、その中の全ての機能部材が一括してユニット化されて構成された機能部材ユニット４０を有し、この機能部材ユニット４０が、搬送室５の筐体５ａとロードロック室６，７の筐体６ａ，７ａとが一体となって構成されたベース部材２０に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】開口部を開閉するための弁体にヒーターを取り付け、且つこのヒーターに容易に電力を供給することができるようにする。
【解決手段】ゲートバルブ装置１０は、隣接する２つの空間を仕切る壁に設けられた開口部１１２を開閉するための弁体１２と、弁体１２を移動させる弁体移動装置２０と、弁体１２を加熱するためのヒーター１３と、ヒーター１３に電気的に接続されていると共に、ヒーター１３に供給される電力を出力する電力出力部に対して電気的且つ物理的に接続可能なコネクタとを備えている。弁体１２、ヒーター１３およびコネクタは一体化されている。コネクタは、弁体１２が開口部１１２を閉塞した状態では電力出力部に対して電気的且つ物理的に接続され、弁体１２が開口部１１２を開放した状態では電力出力部から電気的且つ物理的に乖離するように、弁体１２と連動する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被処理物の搬送情報と、処理室の使用状況に関する情報と、に基づいて被処理物が収納された処理容器を選択的にポート部に供給することで、処理室の使用効率を向上させることができる被処理物の処理方法、処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】搬送情報に基づいて、ポート部に載置された収納容器から被処理物を所定の処理室へ搬送し、前記処理室において前記被処理物の処理を行う被処理物の処理方法であって、前記搬送情報は、前記被処理物ごと、または前記処理容器ごとに予め定められており、前記搬送情報と、前記処理室の使用状況に関する情報と、に基づいて、前記被処理物が収納された収納容器を選択的に前記ポート部に供給すること、を特徴とする被処理物の処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】センサ及びコントローラの信号値を取得する装置側モジュールＡ，Ｂ，・・・，Ｚと、これらの信号値を演算する演算モジュールＭ１と、演算モジュールＭ１により得られる演算結果をチェックするチェックモジュールＭ２とを備え、信号値を演算モジュールＭ１で基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値がチェックモジュールＭ２でチェックされる。 （もっと読む）

【課題】より高い誘電率を有する高誘電率絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程Ｓ１０６と、前記高誘電率絶縁膜に対し真空下で熱処理を施す工程Ｓ１１０と、熱処理後の前記高誘電率絶縁膜が室温となるまでの間、前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧を、前記熱処理時に前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧と同等もしくはそれ以下に保持する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜全体の誘電率を損なうことなく、不純物濃度の低い高誘電率絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の温度を第１の温度とした状態で、基板に対して原料ガスを供給して基板上に高誘電率絶縁膜を形成する成膜ステップと、基板の温度を前記第１の温度よりも低い第２の温度とした状態で、基板上に形成された前記高誘電率絶縁膜を、酸素ラジカルを含む雰囲気に晒すことにより前記高誘電率絶縁膜を改質する改質ステップと、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返す。このサイクルの繰り返しにより、基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスのための装置及び方法に関する。一実施形態では、ＣＶＤ反応装置は、蓋サポート上に互いに連続して直線的に配置された、反応装置本体の上に配置され、第１のシャワーヘッドアセンブリを含む反応装置の蓋アセンブリと、アイソレータアセンブリと、第２のシャワーヘッドアセンブリと、排気アセンブリと、を有している。ＣＶＤ反応装置は、更に、反応装置本体の両端部に配置した第１及び第２のフェースプレートを含み、第１のシャワーヘッドアセンブリが第１のフェースプレートとアイソレータアセンブリとの間に配置され、排気アセンブリが第２のシャワーヘッドアセンブリと第２のフェースプレートとの間に配置されている。反応装置本体は、ウエハキャリアトラック上のウエハキャリアと、ウエハキャリアトラックの下に配置され、ウエハキャリアに配置されたウエハを加熱するために利用することができる、複数のランプを含むランプアセンブリと、を有している。
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【課題】膜の成膜中に膜厚をリアルタイムにモニターすることが可能な成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する成膜装置２００は、真空容器１の天板１１に透過窓２０１を有しており、この透過窓２０１を通してサセプタ２上のウエハＷに光を照射することにより、上に成膜される膜の膜厚が測定される。具体的には、膜厚測定システム１０１は、透過窓２０１の上面に配置される３つの光学ユニット１０２ａから１０２ｃと、光学ユニット１０２ａから１０２ｃのそれぞれに光学的に接続される光ファイバ線１０４ａから１０４ｃと、これらの光ファイバ線１０４ａから１０４ｃが光学的に接続される測定ユニット１０６と、測定ユニット１０６を制御するため測定ユニット１０６と電気的に接続される制御ユニット１０８とを有している。 （もっと読む）

【課題】均一性をより向上することが可能な成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する成膜装置において、サセプタ２には、底部に貫通孔２ａを有する凹部２０２と、載置領域２４を有し凹部２０２に離脱可能に収容されるサセプタトレイ２０１とが設けられている。また、貫通孔２ａを通して上下動可能な昇降ロッド２０４と、昇降ロッド２０４を駆動して、サセプタトレイ２０１を押し上げ、回転する昇降回転部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】エラー解析のためのデータを効率的に収集し、エラー解析を高精度で行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラとを備える基板処理装置であって、前記上位コントローラは、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知し、前記下位コントローラは、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理のタクト時間を長くすることなく、加熱工程での消費電力を低減する。
【解決手段】インライン成膜処理装置において、生産停止中に成膜処理室に設けたシースヒータを用いて全カートを高温に保持することによって、生産開始に移行した際のランプヒータを用いて行う加熱工程での消費電力を低減する。消費電力が少ないシースヒータによって全カートを高温に保持することによって、消費電力が大きなランプヒータによる加熱を低減し、加熱室での加熱工程による消費電力を低減する。全カートが高温に保持されているため、加熱室における加熱工程で行う昇温幅を従来よりも小さくすることができ、これによってタクト時間を短縮することができる。 （もっと読む）