【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置１１におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置１１への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 （もっと読む）

【課題】 基板が収容された処理室内に光を照射して複数枚の基板を連続的に処理する際に、基板間における基板処理の均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ、基板を載置する載置面を備える基板載置部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、基板載置部の載置面に対向する位置に設けられ、処理室内に向けて光を照射する光源を備える光源格納室と、処理室と光源格納室とを気密に隔離する光透過性窓と、光透過性窓の温度を調整する窓温度調整部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】短時間で、エピタキシャル成長された基板の非接触材料特性評価を行うことのできる装置を提供する。
【解決手段】非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板１２を保持するように適合されたウエハキャリア１０と、材料特性評価装置２０、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板１２を含むウエハキャリア１０の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型、Ｎ型（Ｉ型）結晶を別々に形成する２チャンバ方式により、Ｍｇのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ８の表面に対して水平方向であり、Ｐ型層成長とＮ型（Ｉ型）層成長ではそれぞれ別のＮ型（Ｉ型）層成長用チャンバ１４・Ｐ型層成長用チャンバ１６で成長するように構成され、ウェハ８を保持するサセプタも別々のＮ型層成長用サセプタ３・Ｐ型層成長用サセプタ５を使用するＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴデバイスにおける高品質ゲート誘電体層を形成するのに有用な方法及び装置を提供する。
【解決手段】高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。次に、第２誘電体層をＣＶＤ又はＰＥＣＶＤ堆積処理を用いて基板上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生及び拡散を抑制して反応室を開放する反応室開放方法、及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１へガスを導入して昇圧し、反応室１０１と作業室１０２の圧力差が所定値以下になるときに排出弁１１２ｂと均圧弁１０７ｂを開き、反応室１０１からガスを排気しながら均圧路１０７ａを介して反応室１０１と作業室１０２を連通し、反応室１０１と作業室１０２の圧力を等しくしてから反応室１０１を開放する。 （もっと読む）

【課題】基板用キャリアへの電気的接触を改善した要素を備える真空処理チャンバを提供する。
【解決手段】 具体的な実施例は、キャリアを支持する台を有するプラズマ処理チャンバを提供し、複数の固定ポストおよび弾性接触部が台の領域を通じて配布されている。固定ポストはキャリアへの物理的な支持を与える。一方、弾性接触部は、信頼性が高く繰り返し可能なキャリアへの多点電気的接触を提供する。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの使用量を大幅に削減し、冷却効率も向上させることが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗを複数枚保持した基板保持具５６を処理容器４６に対して昇降させるローディングユニット１６において、ローディング用筐体６８と、基板保持具を昇降させる昇降エレベータ機構６６と、処理容器の開口部を閉じるシャッタ部８６と、基板の移載を行うための基板移載機構７２と、昇降エレベータ機構を囲み、この移動範囲を囲むようにして設けられた第１の区画箱９０と、第１の区画箱に連結され、基板移載機構とこの移動範囲を囲むようにして設けられた第２の区画箱９２と、第１の区画箱に連結され、シャッタ部を囲むようにして設けられた第３の区画箱９４とを備え、第１の区画箱には、第１の区画箱の内側に対して冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射手段９６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】スループット（単位時間当たりの生産量）を向上させることができる成膜処理装置の提供。
【解決手段】成膜処理装置(1)は、成膜用ガス（N2，SiH4，NH3）を用いて基板(W0)への成膜処理が行われる成膜室(20)と、成膜室(20)に成膜用ガスを導入する成膜ガス導入手段としてのマスフローコントローラ(204A〜204C)と、成膜室(20)へ搬送するための基板(W0)が準備されるロードロック室(10)と、成膜室(20)とロードロック室(10)との間を仕切るゲートバルブ(G2)と、ゲートバルブ(G2)を開いて基板(W0)をロードロック室(10)から成膜室(20)へ搬送してゲートバルブ(G2)を閉じるまでの搬送期間に、圧力調整用ガスを成膜室(20)に導入する調整ガス導入手段としてのマスフローコントローラ(204A)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの使用量を低減することが可能なＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供することである。
【解決手段】ノンプラズマ工程と、プラズマ工程を行うことで、成膜室２２のクリーニングを行う。ノンプラズマ工程では、成膜室２２内にフッ素と窒素の混合ガス等を導入して成膜室２２内を摂氏２５０度未満に保つ。ノンプラズマ工程においては、プラズマ放電を行わない。プラズマ工程では、成膜室２２内を減圧し、フッ素ガスと窒素ガスの混合ガス等を導入してプラズマを発生させる。プラズマ工程においても、成膜室２２内を摂氏２５０度未満に保つ。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質管理作業の負担を低減し、基板品質を継続して安定化させる。
【解決手段】基板処理装置及び測定器と通信回線を介して接続した自動品質管理装置によりレシピデータに基づいて基板処理を実行させ、測定器から得られた処理結果としての膜厚データに基づいて基板処理装置で処理される基板の品質を管理する。管理装置は、測定器から測定データを通信手段２２で受信し、当該基板の処理を行ったレシピデータに対応付けてファイル４２に蓄積する。複数の測定データからレシピデータと基板の膜厚との関係を回帰式決定手段３１で算出し、入力手段５１から入力した品質管理ルール及び目標値に基づき、統計解析手段３２が受信した測定データが当該ルールから外れる場合には、当該目標値を用いて回帰式を逆算し、当該目標値を満たすレシピデータを算出し、このレシピデータを通信手段２１からダウンロードして基板処理装置に処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程において、エピタキシャル膜の高品質を維持しながら生産性を向上させ、原料ガスの利用効率を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入され、成膜処理が行われる複数の反応室と、複数の反応室内に原料ガスをそれぞれ供給する複数の原料ガス供給ラインと原料ガス供給ラインにおける原料ガスの流量を制御する流量制御機構とを有する原料ガス供給機構と、複数の反応室内にキャリアガスをそれぞれ供給する複数のキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給機構と、複数の原料ガス供給ラインの内、同時刻において少なくとも一つが開放状態となるように複数の原料ガス供給ラインをそれぞれ断続的に開閉し、原料ガスを供給する反応室を順次切り替える原料ガス切り替え機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 真空排気系が簡素化された、しかもコストの安いマルチチャンバー型真空処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】 被処理物１を搬入・搬出するロードロック室３と前記ロードロック室３及び所定の処理をするプロセス室４と、該プロセス室４に隣接して、前記被処理物１を前記プロセス室４との間で搬送するセパレーション室５を備えたマルチチャンバー型真空処理装置であって、真空排気装置として、前記プロセス室４には粗排気装置だけを備え、前記セパレーション室５には高真空排気装置と粗排気装置を備えている。 （もっと読む）

【課題】床面側に設けた凹部内に基板保持具の下端部を収容できるようにし、実質的な高さを抑制することが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗに熱処理を施す処理ユニットの下方に設けられて、基板が保持された基板保持具５８を処理ユニットに対してロード及びアンロードさせると共に基板保持具に対して基板の移載を行うローディングユニットにおいて、処理ユニットに連設されて全体を囲むようになされたローディング用筐体７２と、基板保持具の下部を保持する保持アーム８２を有すると共に基板保持具５８を処理ユニット内に対して昇降させる昇降エレベータ機構６８と、基板保持具に対して基板の移載を行う基板移載機構７４と、基板保持具の下方に対応するローディング用筐体の底部に設けられて、基板保持具の下端部を収容できるようにするために下方へ突出させて形成された基板保持具収容凹部９０とを備える。 （もっと読む）

【課題】平坦度や膜厚均一性が向上した不純物ドープトシリコン膜を成膜できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】金属膜と該金属膜の表面の少なくとも一部に金属酸化膜が形成された基板を処理室内へ搬入する工程と、前記基板を収容した処理室内へ不純物含有ガスを供給し、前記金属酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、前記処理室内に前記不純物含有ガスおよびシリコン含有ガスを供給し、前記金属膜上に不純物が添加されたシリコン含有膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、前記シリコン含有膜が形成された基板を処理室内から搬出する工程とから、半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロファイルを改善する為の方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する方法において：基板が、あるシステム１０の窒化用チャンバ２０Ｂ内に置かれている間に、前記基板上に形成されたゲート誘電層に窒素（Ｎ）を導入するステップと；前記システム１０から前記基板を外に搬送することなく、前記基板を前記システム１０のアニール用チャンバ２０Ｃに搬送するステップと；前記窒化用チャンバ２０Ｂ内の前記基板の温度を超える温度まで、前記アニール用チャンバ２０Ｃ内で前記基板を加熱することにより、前記ゲート誘電層をアニールするステップと；を備え、前記アニールの間、前記アニール用チャンバ２０Ｃ内の圧力は、少なくとも５０トルであり、前記基板を、前記窒素が導入された後、５分以内にアニールする、前記方法。 （もっと読む）

【課題】大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置１は、チャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、基板２が載置されるステージ１２と、ガス供給ライン１３ａを通じて、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段１３と、前記チャンバ内の圧力Ｐ_１ を検出する圧力センサ１５と、前記ガスの導入圧力Ｐ_２ を制御する制御手段１６と、を備え、前記ガス供給手段が、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力Ｐ_２ で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記圧力センサは、チャンバ内の圧力Ｐ_１ を検出し、前記制御手段は、前記Ｐ_１ に対して、前記Ｐ_２ と前記Ｐ_１ との差が略一定となるように、前記Ｐ_２ を制御すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗがキャリア２１からヒータ（アノードユニット）９０に移載された後、キャリアは成膜室１１から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 （もっと読む）