【課題】所望の不純物濃度のプロファイルが形成された積層膜を成膜することができる気相成長方法および気相成長装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１を収容する第１の成膜室１０２および第２の成膜室１０３と搬送機構１２４とを備え、第１の膜の成膜後に速やかに第２の成膜室１０３にシリコンウェハを搬送して第２の膜の成膜を行なう。これにより、すでに成膜が完了している第１の膜からシリコンウェハ１０１に対する不純物の内部拡散を抑止することができ、所望の不純物濃度のプロファイルが形成された積層膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に各種薄膜を連続的に高速で形成することのできる連続薄膜の形成方法、形成装置、薄膜付きガラス基板及び半導体装置素子を提供する。
【解決手段】断面の厚さｄと幅ｂからなるｄｂ／（２（ｄ＋ｂ））が０．０１５以上０．１５以下の範囲の薄い帯状の基板１０を導入口１１４から隔離部１１０に連続的に導入するとともに、供給口１１６から反応ガス１１を加圧して供給し、基板１０および反応ガス１１を第１隔離ゾーン１１１内を通過させて所定の温度まで急速加熱し、続く第２隔離ゾーン１１２内でさらに加熱して反応ガス１１を基板１０上で分解し、続く第３隔離ゾーン１１３内を通過させて基板１０を所定の温度勾配で急速冷却することにより、基板１０上に反応ガス１１の所定の成分からなる薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムを短縮でき、生産量を増大させることが可能な真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバー１と、チャンバー１の内部において移動可能に設けられた第１及び第２のサセプタ１１，２１とを備える。チャンバー１の上部の一部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、処理室４が定義され、チャンバー１の上部の他の一部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、ロードロック室７が定義される。第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかをロードロック室７側から処理室４側に、相補的に第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかを、処理室４側からロードロック室７側に搬送し、第１及び第２のサセプタ１１，２１上に載置された被処理基板１０ａ〜１０ｃ，２０ａ〜ｃを、処理室４において順次処理する。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置のガスディフューザー取り付け部のメンテナンス性向上させることによって、異物粒子の発生量を低減する。
【解決手段】真空処理装置に、ガスディフューザーを収納するためのガスディフューザーチャンバーを設置した。 （もっと読む）

【課題】画面操作数が多く、操作が面倒であるという問題点を解消し、作業効率を向上させるとともに、操作の快適さを向上させる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続され、複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う一台の第一の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第二の基板搬送装置と、前記第一の基板搬送装置、第二の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜積層体の各層が他の層の材料で汚染されることを防ぐことができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】容量結合方式でプラズマを生成する容量結合プラズマ成膜室１１と、誘導結合方式でプラズマを生成する誘導結合プラズマ成膜室１２と、容量結合プラズマ成膜室１１と誘導結合プラズマ成膜室１２の間で基板Ｓを搬送する基板搬送手段１５２を内部に備える基板搬送室１５と、基板搬送室１５内の圧力を切り替える搬送時圧力切り替え手段（圧力調整ガス供給口１４４及び排気装置１５５）を備える。ここで、基板搬送室１５内の圧力は、容量結合プラズマ成膜室１１と基板搬送室１５の間で基板を搬出入する際には容量結合プラズマ生成時の圧力に近い値に設定し、誘導結合プラズマ成膜室１２と基板搬送室１５の間で基板を搬出入する際には誘導結合プラズマ生成時の圧力に近い値に設定する。 （もっと読む）

【課題】搬送アーム表面の異物を除去する手段を有する基板処理装置であって、装置構成を簡素化すると共に異物除去によって装置のスループットが低下しない基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１１は、半導体ウェハＷに処理を施す少なくとも１つの処理室２１と、処理室２１に隣接する搬送室１４と、搬送室１４の内部を減圧する真空ポンプ１６と、搬送室１４および処理室２１の間で半導体ウェハＷを搬送する搬送装置１５と、搬送装置１５に付着した異物を、搬送室１４内で除去する異物除去手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している大気の成分を除去する。
【解決手段】ロードロック室に基板が搬入されると、ロードロック室の中は、まず排気され、その後パージガスが導入されて圧力が上昇する。そしてロードロック室は再び排気される。これにより、基板上に付着している大気の成分は除去される。その後、基板はロードロック室から処理室に搬送され、処理室の中で処理される。基板を処理する工程は、例えば大気に含まれる成分と反応するガスを用いて基板に膜を成膜する工程である。 （もっと読む）

【課題】筐体内で発生したパーティクルの筐体外への流出を防止することができ、筐体内で安定したダウンフローを生成することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理炉５１を有するウエハ処理領域と、ウエハを収納するポッド２を搬送するポッド搬送装置３５を有するポッド保管室１１ｂと、ウエハ処理領域とポッド保管室１１ｂとを内部に有するメイン筐体１１とを備えたバッチ式ＣＶＤ装置において、メイン筐体１１の正面壁１１ａに開設されたポッド搬入口１２とエアインテーク２６を開閉する第一シャッタ１３と第二シャッタ２８とを両側ロッドシリンダ装置２９によって連動させる。ポッド２の搬入搬出時にはポッド搬入口１２を第一シャッタ１３で開き、エアインテーク２６を第二シャッタ２８で閉じる。ポッド保管室１１ｂ内でのポッド搬送時にはポッド搬入口１２を第一シャッタ１３で閉じ、エアインテーク２６を第二シャッタ２８で開く。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、シーケンスのパラメータの設定値を容易に変更し得、容易に基板処理装置の作動確認が行える様にし、作業効率の向上を図る。
【解決手段】
基板に所要の処理を行う処理室１３と、基板の搬送空間として前記処理室に隣接して設けられた移載室７と、該移載室にパージガスを供給するガスパージ手段と、該移載室のガスパージを実行するためのガスパージシーケンスが実行されると、前記ガスパージ手段を制御して前記移載室をガスパージする制御手段と、少なくとも前記パージガスの流量、時間及び前記移載室の酸素濃度を設定するガスパージシーケンス設定画面を表示可能な表示部と、少なくとも前記ガスパージシーケンスのパラメータを入力可能な操作手段とを具備し、前記ガスパージシーケンス設定画面より前記パラメータを各機構部の状態や装置の動作状態に対応させて入力することで、前記ガスパージシーケンスが実行可能となるよう構成した。
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【課題】戻りの搬送ラインを必要としないことで装置を小型化・簡略化して製造コストを低減でき、結果として太陽電池等の製品の価格低下を実現する。
【解決手段】所定の間隔で平行に設けられ、原材料Ｋ_０あるいは製品を搬送する一対の工場側搬送ライン１，１’と、一対の工場側搬送ライン１，１’間に複数の処理室を一列に並べて構成され、当該複数の処理室内を一対の工場側搬送ライン１，１’の一方から他方へ被処理物を移動させる間に所定の処理を施す第一処理ラインＬ_１と、一対の工場側搬送ライン１，１’間に複数の処理室を一列に並べて構成され、当該複数の処理室内を一対の工場側搬送ライン１，１’の他方から一方へ被処理物を移動させる間に所定の処理を施す第二処理ラインＬ_２と、第一処理ラインＬ_１から第二処理ラインＬ_２に循環するように設けられ、被処理物あるいは処理済物のホルダを搬送する搬送ラインＣと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複合材料開発用のマルチチャンバシステムの小型化に貢献できる、試料をチャンバ内で搬送させる基板搬送機構を提供する。
【解決手段】複数のプロセスチャンバを周囲に接続した試料搬送用のトランスファーチャンバ５に設けられる試料搬送用の機構１０であって、試料を支持するホルダー４０と、トランスファーチャンバ５内で水平方向へ直線状に延びてホルダー４０を先端部で支持する支持手段３０と、支持手段３０の延出方向をガイドするガイド手段２０と、複数のプロセスチャンバに対するガイド手段２０の臨む方向を変えるようガイド手段２０を回転する回転手段６０と、ガイド手段２０から繰り出される支持手段３０の長さＬを調整する調整手段７０と、を備えている。支持手段３０は長尺な板ばねで構成されている。 （もっと読む）

【課題】オイルバブラーのオイル量の調節をすることなく、グローブボックス内の圧力を簡単に制御することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】グローブボックスは、不活性ガスの導入管と導出管とを備え、該導出管にオイルバブラー２６を接続する。該オイルバブラー２６は、導出管に接続されオイルバブラー２６の蓋部材２８に上下位置調節可能に装着されるノズル管２９と、該ノズル管２９の先端開口部２９ａが浸漬するオイルＯＬと、排気口２７ａとを備え、オイルＯＬの液面からノズルの先端開口部２９ａまでの距離Ｄを調節することにより、グローブボックス１３内の圧力を制御する。 （もっと読む）

【課題】 雰囲気汚損防止用のバッファチャンバーを備えた実用的な基板処理装置を提供する。
【解決手段】第一のチャンバーと、第二のチャンバーと、前記第一のチャンバーと前記第二のチャンバーとの間に設けられたバッファチャンバーと、前記第二のチャンバー内に設けられ、前記第二のチャンバーと前記バッファチャンバーとの間で基板を搬送する第一の搬送機構とを有し、前記バッファチャンバー内には、前記バッファチャンバーと前記第一のチャンバーとの間で基板を搬送する第二の搬送機構と、基板を複数枚係留することが可能な係留具と、該係留具を移動させて基板の受け渡しを行わせる移動機構とが設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止部材の劣化によるシール性の低下およびパーティクルの発生を防止し、稼働率を維持することができるゲートバルブおよび半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置のプロセス処理が行われる処理ユニット１０とプロセス処理が施されるウェハを搬送する搬送室８との間に設けられるゲートバルブ２０であって、処理ユニット１０側のゲートバルブ２０ａと、処理ユニット１０側のゲートバルブ２０ａに備えたＯリング３４ａと、搬送室８側のゲートバルブ２０ｂと、搬送室８側のゲートバルブ２０ｂに備えたＯリング３４ｂと、処理ユニット１０側のゲートバルブ２０ａと搬送室８側のゲートバルブ２０ｂとの間に断熱材３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出機構３４を備え、大気圧状態で被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出室３１ａと、被処理基板搬送機構２４を備え、減圧状態で被処理基板Ｗを搬送する搬送室２１ａと、大気圧状態で搬入出室３１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室４２ａと、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で被処理基板Ｗに対して処理を行う複数の処理室２２、２３と、を備え、搬送室２１ａ内に、被処理基板Ｗを冷却する冷却部６を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板を下部電極上に置かずにプラズマを生成することによって、プラズマ処理室内の生成物の除去を行うことによる不具合を除去し、基板をプラズマ処理する処理工程の後に前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、所定時間放置する保持工程を設けることにより、基板の帯電除去および基板に静電的に付着しているパーティクルの他の基板への裏面転写を抑制する。
【解決手段】基板をプラズマ処理室に搬入する搬入工程Ｓｔ１と、前記基板をプラズマ処理する処理工程Ｓｔ２と、前記基板を前記プラズマ処理室から予備室に搬送する搬送工程Ｓｔ３と、前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、これを所定時間放置する保持工程Ｓｔ４と、前記基板を前記予備室から搬出する搬出工程Ｓｔ５を備える。 （もっと読む）

【課題】開発段階から量産段階にスムーズに移行でき生産性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１１は、被処理基板１２を備えた有機ＥＬ装置、液晶装置、半導体装置などを製造する際に用いられる装置である。基板処理装置１１は、第１処理室１３ａ〜第５処理室１３ｅと、搬送室１４とを有し、例えば、処理室１３ａ〜１３ｅが搬送室１４の側面に沿って直線状に並んで配置されている。処理室１３ａ〜１３ｅのそれぞれは、第１ゲートバルブ１５を介して、搬送室１４と被処理基板１２の授受が可能になっている。また、処理室１３ａ〜１３ｅは、第２ゲートバルブ１６を介して、隣接する処理室１３同士が連通可能に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間の処理を均一化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム励起プラズマを用いた半導体製造装置は、プラズマを発生するプラズマ発生室１７と、プラズマ発生室で生成されたプラズマから電子を集束させるグリッド１９と、グリッドで集束させた電子を加速させるアノード２０と、グリッドとアノードとの間に配置され正電圧を印加される制御電極２９とを備え、アノードで加速させた電子をプラズマ発生室の隔壁の吹出口１２から処理室に吹き出させる。グリッドと制御電極とアノードには複数の電子通過孔をジグザグ状に配列して開設する。上下の電子通過孔同士で起きる電界の干渉を防止できるので、プラズマ発生室で発生したプラズマ中の電子を狭いピッチのウエハ間でも安定して照射でき、電子ビーム励起プラズマをウエハ上に均一に形成できる。 （もっと読む）

【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】成膜装置１は、成膜室２内に載置された基板に成膜処理を行う。成膜室２には、第１の開閉部３を介して基板待機部４が接続しており、基板待機部４と成膜室２の間で複数の基板が載置されたサセプタを自動的に搬送する基板−サセプタ搬送用ロボット１７を有する。成膜室２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。 （もっと読む）