【課題】真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステムに関する。
【解決手段】複数のロボットアームセットを持つロボットコンポーネントを使用した半導体を搬送するシステムであって、ロボットコンポーネント４００２は加工中の製品を搬送する下部ロボットアームセットを有し、ロボットコンポーネントは前記下部ロボットアームセットに対して実質上垂直な位置に、前記加工中の製品を搬送する上部ロボットアームセットを有する。 （もっと読む）

【課題】長尺のシート状基板Ｓを真空処理室２を通して搬送し、シート状基板Ｓに所定の処理を施す真空処理装置における基板搬送装置であって、真空処理室２の上流側と下流側に夫々連設した上流側補助真空室３_１や下流側補助真空室３_２に繰出しローラや巻取りローラを収納せずに、且つ、真空処理室２を大気解放せずにシート状基板Ｓを搬送できるようにしたものを提供する。
【解決手段】上流側補助真空室３_１の入口部と、下流側補助真空室３_２の出口部と、真空処理室の入口部及び出口部とに，夫々シート状基板Ｓを挟むようにして閉じる仕切り弁４を配置する。また、上流側補助真空室３_１と下流側補助真空室３_２とに、夫々所定長さ分のシート状基板Ｓを引き込み、引き込んだシート状基板を引き出し自在に保持する基板引き込み機構５_１，５_２を配置する。 （もっと読む）

【課題】アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合であっても、ロード処理を速やかに開始させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の予備室に連通する大気搬送室と、大気搬送室に接続され複数枚の基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、基板収納部と予備室内との間で基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、制御部は、予備室内から基板収納部への基板を搬出するアンロード処理の実行中に、基板収納部から予備室内への基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、アンロード処理の実行を中断させ、ロード処理の実行を優先的に開始させるように大気搬送部を制御する。 （もっと読む）

【課題】配管昇温時の無駄なエネルギーを排除し、効率よく昇温させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理容器と、前記処理容器内にガスを供給するガス供給系と、前記処理容器内に排気する排気系と、前記処理容器、前記ガス供給系および前記排気系の接ガス部分を加熱する複数の加熱部と、前記複数の加熱部のうち最も昇温時間の長い加熱部の昇温が完了する時間に昇温が完了するように他の加熱部の昇温開始時間を設定する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室１１と、成膜室に第一開閉部を介して固定された仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、キャリアに対して基板を脱着する基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対してガスを噴射可能な複数のガス噴出口１５７を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８が接続されている。 （もっと読む）

【課題】パージ時間を短縮し、スループットを向上する。
【解決手段】基板９を出し入れする基板収納口及び基板収納口に着脱自在に装着されたドア１０ａを備えたキャリア１０を載置する基板授受ポートと、基板授受ポートに載置されたキャリア１０のドア１０ａを保持する可動部４０と、可動部４０に保持されたドア１０ａを可動部４０と共に移動させて基板収納口を開閉するキャリア開閉装置と、可動部４０及び基板収納口を少なくとも囲うチャンバ６０と、可動部４０に設けられ、基板収納口からキャリア１０内にガス６２を導入するガス導入部６３、６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】消耗部材の交換頻度を低減できる半導体デバイスの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造装置は、基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、消耗部材の使用限度と現在の消費量がプロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部と、第１，第２の記憶部を参照して、プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出する算出部と、算出したプロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、基板の処理を指示する割当部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】シール材および窒素ガスの使用の増加を防止しつつ、外気の侵入を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１が待機する待機室１２を形成した筐体１１と、待機室１２内に形成されて窒素ガス３０が循環する循環路３１と、循環路３１の途中に設けられて窒素ガス３０を循環させる送風機４３を有するクリーンユニット４１とを備えた熱処理装置１０において、筐体１１内の送風機４３の吸込側空間５５に隔離室５１を形成する仕切板５０を設け、隔離室５１を排気する排気ダクト５２を設ける。窒素ガスが循環路を循環する際に、筐体の隙間から酸素を含む外気が送風機の吸込側空間に侵入する現象を防止する。 （もっと読む）

【課題】緻密で且つ不純物が少なく、更には基板の面内において膜厚及び膜質が均質な薄膜を形成すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＢＴＢＡＳガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＢＴＢＡＳガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、シリコン酸化膜を成膜した後、活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対してＡｒガスのプラズマを供給して、成膜サイクル毎に改質処理を行う。この時、Ａｒガスと共にＯ2ガスを供給してＡｒガスのプラズマ化の連鎖を抑制する。 （もっと読む）

ガリウム及び窒素含有材料の高速成長のための方法が記載される。本方法は、バルクガリウム及び窒素含有基板を提供することを含んでいる。第１の厚さの第１のエピタキシャル材料が、好ましくは擬似形態的プロセスによって、基板上に形成される。本方法は、第１の層上に第２のエピタキシャル層をも形成し、これによってスタック構造がもたらされる。スタック構造は、約２ミクロン未満の全体厚さで構成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物材料膜の結晶化温度を低温化できる水蒸気加圧急速加熱装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る水蒸気加圧急速加熱装置は、処理室３４内に配置された、基板３５を載置する載置台３６と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱機構３８と、前記処理室内を加圧する加圧機構４３と、前記処理室内に加熱及び加圧された水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、前記処理室内を真空排気する真空排気機構５６と、前記処理室内に加熱及び加圧された酸素ガスを供給する酸素ガス供給機構と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】従来の比較可能なサイズの搬送チャンバの平坦な底部より薄く形成することができ、費用と重量を低減する。
【解決手段】基板処理ツール２０１の搬送チャンバ２０３は、少なくとも一の処理チャンバ１７と少なくとも一のロードロックチャンバ１５に連結される側壁部２１５を有する本体部２０７を有している。本体部は、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボット２０５の少なくとも一部を収容している。蓋部２２７は、搬送チャンバの本体の上部に連結されてこれを封止している。搬送チャンバは、搬送チャンバの本体の底部に連結されてこれを封止するために用いられるドーム型底部２３３を有している。 （もっと読む）

【課題】基板上に第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する際に、第３の金属酸化膜の膜厚方向における組成の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内２０２で、基板２００に対し、第１の金属元素を含む第１の金属酸化膜を形成する工程と、第２の金属元素を含む第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に複数回繰り返すことで、基板上に前記第１の金属元素および前記第２の金属元素を含む所定組成の第３の金属酸化膜を形成する工程を有し、第３の金属酸化膜を構成する第１の金属元素および第２の金属元素のうち組成比の大きい方の金属元素を含む金属酸化膜をＣＶＤモードもしくはＡＬＤ飽和モードにて形成し、組成比の小さい方の金属元素を含む金属酸化膜をＡＬＤ非飽和モードにて形成する。 （もっと読む）

【課題】ボートの個体差によるウエハ移載ミスの発生を防止する。
【解決手段】第一ボート２１Ａと第二ボートが使用されるＣＶＤ装置において、ボートが載置された状態でウエハ移載装置によるウエハのボートへの移載作業が実施される待機台３３の上面にはボート識別手段のボート検出装置７２の有無検出部７３と識別用検出部７４とが設置され、第一ボート２１Ａには有無検出部７３と識別用検出部７４とに対応した被検出子７９、７９が突設され、第二ボートには有無検出部７３に対応した被検出子７９だけが突設される。ボート検出装置７２が両被検出子７９、７９を検出した時は第一ボート２１Ａと、一方の被検出子７９だけを検出した時は第二ボートと判断される。第一ボート２１Ａか第二ボートかを識別することで、個体差に対応した条件でウエハ移載装置を制御できるため、ウエハ移載ミスの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】供給された基板の加熱時間の短縮ができ、タクトタイムの短縮を図ることができる真空処理装置の提供。
【解決手段】被処理基板１０は、連通領域９に移動可能に設けられたサセプタ１１，１２に載置される。搬送装置８は、基板搬入時および搬出時に連通開口１ａを閉鎖してロードロック室領域７を密閉する第１の位置へサセプタ１１，１２を搬送し、成膜処理時に連通開口１ｂを閉鎖して処理室領域４を密閉する第２の位置へサセプタ１１，１２を搬送する。サセプタ１１，１２が第１および第２の位置に搬送されると、連通開口１ａ，１ｂの周囲と載置台との間にＯリング４１，６２が挟持される。サセプタ１１，１２は、載置された被処理基板１０を加熱して所定温度に保持する載置部１０１と、載置部１０１に対して断熱的に設けられたシール部１０２とを有するので、Ｏリング４１，６２の熱劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の不純物による汚染を防止するために基板の搬送環境を整える。
【解決手段】基板を予備室１から搬送室３を介して処理室２に搬送する工程と、処理室内で基板を処理する工程と、処理済基板を処理室２から搬送室３を介して予備室１に搬送する工程とを有し、基板を搬送する各工程では、基板の存在する室に連通する室の全てに対して、不活性ガスを供給しつつそれぞれの室に接続された排気系の全てより真空ポンプを用いて排気する。 （もっと読む）

【課題】処理条件の異なる基板の組合わせを処理実行前に、事前にチェックし、自動運転が失敗することを未然に防止し、自動運転失敗に伴う時間のロスを無くし、基板処理装置の稼働率の向上を図る。
【解決手段】基板処理をする為の基板載置手段を有する複数の処理室２５，２６と、該処理室へ基板４を搬送する第１搬送手段５を有する前記各処理室と真空ゲート２７，２８を介して連設される第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段１６を有する第２搬送室１３と、前記第１搬送室と前記第２搬送室を連結する減圧可能な予備室７，８と、前記第２搬送室に連設され複数の基板が収納される基板収納手段２４と、該基板収納手段と前記処理室との間の搬送を前記第１搬送手段や前記第２搬送手段により制御させる為の制御手段とを設けた基板処理装置１であって、前記制御手段は自動運転開始時に基板毎に割付けられた処理レシピの整合性を判断する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板が存在しない状態で処理容器内をＣｌおよびＦの少なくとも一方を含むガスに曝露させる前処理工程（工程１）と、その後、処理容器内に基板を搬入する工程（工程２）と、基板が搬入された処理容器内に、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスに必要な寸法を減少し専有床面積を減少する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を移載する基板移載装置が配置された移載室と、該移載室の背面に配設され、基板を待機させる待機室と、前記待機室の上方に配設され基板を処理する処理室とを備えており、前記基板移載装置は、前記移載室内の幅方向一方側に配置され、前記移載室内の前記幅方向他方側には、前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットが配置され、前記幅方向他方側の前記移載室の正面または背面には、開口部と該開口部を開閉する開閉手段とが、前記基板移載装置よりも前記クリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】リアクタの金属汚染を低減し、歩留まりを向上させる半導体基板処理方法を提供する。
【解決手段】リアクタ２、その内部に設けられた支持体４、及び支持体４と対向して平行に設けられたシャワープレート６を備える基板処理装置１を用いて、半導体基板３を処理する方法は、リアクタ２の内壁面、支持体４の露出面及びシャワープレート６の露出面にプリコート膜を形成する工程と、プリコートした支持体４上に半導体基板３を載置する工程と、半導体基板上に低誘電率の薄膜を形成する工程とを含み、プリコート膜の弾性係数は少なくとも３０ＧＰａである。 （もっと読む）