【課題】熱分解やガスの反応による生成物質が処理室周辺に付着する事を抑制可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置２０２は、複数のサセプタ（被誘導加熱体）２１８と該サセプタ上に載置された複数のウェハ２００を有し、サセプタ２１８からの輻射熱によりウェハ２００を加熱処理する、インナーチューブ２３０から形成される処理室２０１と、インナーチューブ２３０の外側に設けられ、インナーチューブ２３０と間隙ＳＰを成して囲うアウターチューブ２０５と、間隙ＳＰに配置されるガス供給ノズル２３２１と、アウターチューブ２０５の外側に設けられ、サセプタ２１８を誘導加熱する誘導加熱装置と、を備え、インナーチューブ２３０には、処理室２０１に配置されるウェハ２００の周縁側方に開口部ＦＨが設けられている。また、ガス供給ノズル２３２１には、開口部ＦＨおよびウェハ２００に向けてガスを吹き出す吹出し口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の劣化を抑制することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置４０は、内部を真空状態に維持可能であってウエハ１４を処理する処理容器４２と、処理容器４２内であって少なくともウエハ１４の載置領域を囲むように設けられる被加熱体６０と、処理容器４２内壁と被加熱体６０との間であって、被加熱体６０を囲むように設けられる断熱体６６と、被加熱体６０内にガスを供給する第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０と、処理容器４２の外側に設けられ、被加熱体６０を誘導加熱する磁気コイル６２と、被加熱体６０内に設けられ、第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０から供給されたガスと被加熱体６０との接触を抑制する保護壁９４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】真空搬送室１３の周囲に、基板に対して処理が行なわれる複数の処理室３０を設ける。前記真空搬送室１３の上方側に回転テーブル６を介して第１のガイドレール５４を設けると共に、前記回転テーブル６が対応する位置に静止したときに前記ガイドレール５４の延長線上に位置するように第２のガイドレール５２を設ける。移動体７１を、第１及び第２のガイドレール５２，５４に沿って、処理室３０の上方側に移動させ、移動体７１に設けられた蓋体保持機構８を上昇させることにより、蓋体３２に設けられた被保持部５を持ち上げて、処理室３０から蓋体３２を開放する。 （もっと読む）

【課題】性能を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含むＳｉＣ半導体を準備する（ステップＳ１〜Ｓ３）。ＳｉＣ半導体の第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する（ステップＳ４）。第２の表面上にＳｉ元素を含む膜を形成する（ステップＳ５）。Ｓｉ元素を含む膜を酸化することにより、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成の再現性を向上させる。
【解決手段】薄膜形成装置は、第１のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第１のサセプタの表出面を覆う第２のサセプタを前記第１のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数のボートを用いる基板処理方法に於いて、ボートの個体差に基づく処理品質の相異を解消し、処理品質の安定化、向上を図る。
【解決手段】 反応炉１１と、該反応炉内で基板を保持する為の複数のボート２１ａ，２１ｂと、該ボートの識別手段を有し、基板処理の内容に応じてボートを指定して基板処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置に備わる真空室と装置外部との間のリークを早期に検知することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】真空室において、高真空領域の圧力判定値と低真空領域の圧力判定値との間の圧力領域に任意の圧力値（例えば１Ｐａ）を設定し、ウエハ搬送室の圧力が低真空側から高真空側へ通過する任意の圧力値を第１トリガポイントＰ１と設定し、次にウエハ搬送室の圧力が低真空側から高真空側へ通過する任意の圧力値を第２トリガポイントＰ２と設定する。第１トリガポイントＰ１と第２トリガポイントＰ２との間で、低真空側の最大圧力が低真空領域の圧力判定値に到達しているか否かの判定と高真空側の最小圧力が高真空領域の圧力判定値に到達しているか否かの判定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴って半導体製造装置から発生する微細粒径異物の低減が求められており、半導体処理装置のロードロック室と大気搬送手段間の試料搬入出処理時に乾燥窒素ガスを導入することにより、ロードロック室内のガス中に残留する水分を極力排除し、減圧排気時のガスの温度変化に伴う凝縮水の発生を大幅に抑制し、凝縮水の落下による試料上の付着異物によるパターン不良を低減しつつ、試料の生産効率を向上する。
【解決手段】ロードロック室９ａと大気搬送手段間の試料搬入出処理操作に対し、乾燥窒素ガスを導入し、ロードロック室９ａ内の湿度を低減する構成とし、乾燥窒素ガスの導入時に多孔質材により構成するガス導入部材４０を試料台１４ａに対向するロードロック室蓋２１の上面に設置することにより構成する。 （もっと読む）

【課題】短時間で減圧室を大気圧に昇圧することを可能としながらも、設備コストを大きく低減することができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】減圧下で処理ガスを被処理物に接触させ、被処理物を表面処理する表面処理装置１であって、開閉自在な扉体３を備えた減圧室２と、前記減圧室２に接続された排気管１０と、排気管１０に備えた真空バルブ機構６１を介して接続され、減圧室２を所定圧力に減圧する減圧機構６０と、減圧室２に圧縮エアを供給して減圧室２を昇圧する昇圧機構１１とを備えている。昇圧機構１１は、エアコンプレッサから供給される圧縮エアを調圧する調圧機構１２と、調圧されたエアを蓄積するエアタンク１３と、エアタンク１３と排気管１０とを接続する圧縮エア供給管１４と、圧縮エア供給管１４を開閉するバルブ機構１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】キャリアの数が少数であってもプロセスチャンバの稼働率の向上を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２と３つのロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２，ＬＬ３が交互に直列に連結されており、隣り合うプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）とロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）との間でだけ複数のキャリアを搬送する搬送装置を備えている。搬送装置によってキャリアがプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）内に位置するとき被成膜材は成膜処理され、ロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）内に位置するとき被成膜材が交換される。 （もっと読む）

【課題】基板の保持状態を良好に検知することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、搬送室を中心として第１ロードロック室、第２ロードロック室、二つの処理室が配置され、搬送室は、第１のロードロック室及び第２ロードロック室と二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、基板搬送部は、第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂが設けられた上アーム７４を有し、第１フィンガ７２ａは、第１貫通孔８３及び第２貫通孔８４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 加熱された被処理体を、この被処理体が反ることを抑制しつつ冷却することが可能な冷却装置を提供すること。
【解決手段】 下部冷却部材１０１と、下部冷却部材１０１の上方に設けられた上部冷却部材１０２と、加熱された被処理体Ｗを、下部冷却部材１０１と上部冷却部材１０２との間で昇降させる被処理体昇降機構１０３と、を具備し、被処理体Ｗと下部冷却部材１０１との間隔ｄ１と、被処理体Ｗと上部冷却部材１０２との間隔ｄ２とを互いに等しくしながら、被処理体Ｗを下部冷却部材１０１に近づける。 （もっと読む）

【課題】１装置当たりの処理能力を増加する基板搬送装置。
【解決手段】半導体加工部品処理装置は第１チャンバと、搬送ビークルと、他のチャンバとを有している。第１チャンバは外部環境から隔離されることが可能である。搬送ビークルは第１チャンバ内に位置しており、第１チャンバから移動自在に支持されており、第１チャンバに対して直線状運動する。搬送ビークルはベースと、該ベースに運動自在に取り付けられて、該ベースに対して多アクセス運動が可能な統合した半導体加工部品移送アームとを有している。他のチャンバは第１チャンバに第１チャンバの閉鎖自在な開口部を介して連通自在に接続されている。開口部は搬送ビークルが第１チャンバと他のチャンバとの間で開口部を介して通行可能な大きさを有している。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、タクトタイムの短い真空処理装置を提供すること。
【解決手段】複数のロードロックチャンバ１１〜１４と、ロードロックチャンバに各々開閉部を介して連通する複数のプロセスチャンバ５１〜５４とから構成されてなる真空処理装置１であって、各ロードロックチャンバを選択して排気する１つの第一排気手段３１と、プロセスチャンバ毎に設けられ、各プロセスチャンバを個別に排気する複数の第二排気手段７１〜７４と、ロードロックチャンバに排気の必要性が生じた場合に、ロードロックチャンバの状態に応じた優先度を付加した排気要求を発行する制御手段と、複数の排気要求を優先度に従って順序調整することにより、複数のロードロックチャンバの中から第一排気手段が排気処理を実施する１つのロードロックチャンバを選択し、第一バルブの開閉動作を指示する順序調整手段と、を少なくとも備えた真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が記載される。方法は、無炭素シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合すること、シリコン−窒素含有層を基板上に堆積することを含む。ラジカル−窒素前駆体は、プラズマ内に水素−窒素含有前駆体を流すことによって、プラズマ中で形成される。シリコン−窒素含有層を堆積する前に、酸化ケイ素ライナ層が形成され、シリコン−窒素含有層の接着、平滑性、流動性を改善する。シリコン−窒素含有層は、膜を硬化およびアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換することができる。方法は、酸化ケイ素ライナ層を形成し、その後スピンオンシリコン含有材料を塗布することも含む。
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【課題】ＴｉＯ_２膜やＳｒＴｉＯ膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成し、第１の高誘電率絶縁膜の結晶性を第２の高誘電率絶縁膜に反映させて、第２の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ドーパント濃度を精度よく検出でき、製品管理能力が高い薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】この薄膜製造装置１は、フィルム基板１０の搬送方向の上流側から下流側に向けて設けられ、減圧条件下でフィルム基板１０上に薄膜を形成する第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃと、第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃの下流側に隣接して設けられた第１サンプリング室１４ａ及び第２サンプリング室１４ｂとを備える。第１サンプリング室１４ａには、第１成膜室１３ａで第１薄膜層４１が形成されたフィルム基板１０が搬入され、減圧条件下でフィルム基板１０から試料を採取する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの搬送時間が短く処理の効率を向上させた真空搬送装置を提供する。
【解決手段】後方側に配置され、内部の処理室内で処理対象のウエハが処理される真空容器と、前方側に配置され、その内部で前記ウエハが大気圧下で搬送される搬送室とこの搬送室の前方に配置され前記ウエハが収納されたカセットが載せられるカセット台と、前記搬送室の後方でこれを連結されたロック室と、前記搬送室内に配置され前記カセットと前記ロック室との間で前記ウエハを搬送するロボット及び前記ウエハの位置を所定のものに合わせる位置合わせ機と、前記ロボットによる前記ウエハの前記カセットから前記搬送室内への取出しの際に、このウエハの位置ずれ量が所定の値より大きな場合に前記位置合わせ機上において前記ウエハの位置合わせをした後に前記ロック室に搬送する真空処理装置。 （もっと読む）

【解決手段】 基板処理装置と、基板保管手段と、基板搬送手段と、基板処理装置、基板保管手段及び基板搬送手段に機能的に関連付けられている製造実行システムとを備えた半導体製造設備内の基板を取り扱う装置において、
−搬送手段により搬送され、保管手段内に保管される少なくとも１つの基板保管及び搬送箱と、
−基板保管及び搬送箱の内部雰囲気を形成するガスのための少なくとも１つのガス分析装置であって、保管及び搬送箱内に存在して分子汚染を作り出し得る臨界ガスの量を表す分析信号を生成するガス分析装置と、
−搬送手段及び保管手段を制御する実行装置であって、ガス分析装置から発せられた分析信号に応じて、分子汚染除去の必要性を検出するための命令を備えた実行装置とを備えている装置。 （もっと読む）

【課題】シャットダウンが正常に終了しなかった場合、再起動後の誤動作を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置の起動後、シャットダウンが正常に終了しなかった場合には、基板処理装置の再起動後、シャットダウンが正常に終了しなかった旨を操作者に通知する通知手段と、基板処理装置の再起動後、操作者によって適切な処置がなされるまで、基板処理装置の各部を一時停止する停止手段とを有する基板処理装置。 （もっと読む）