【課題】被処理基板の成膜有効面積の減少を回避し、サセプタへの反応ガスの侵入による膜厚の均一性を損なわず、かつサセプタのメンテナンスの頻度を低減し得るトレイ、気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】被処理基板２４を載置した状態で搬送され、サセプタ７上に載置される。表面に少なくとも一つの凹部２１ｃを有し、その凹部２１ｃ内に上記被処理基板２４が載置した状態で収納する基板載置プレート２１と、基板載置プレート２１を搬送するときに基板載置プレート２１の外周張出部２１ａを下側から保持する段差部２２ｂを備えたプレート搬送保持部材２２と、基板載置プレート２１の周辺部とプレート搬送保持部材２２における、基板載置プレート２１の周辺部からのはみ出し部分とを上から覆うカバープレート２３とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、半導体基板に成膜処理を行うものであって、半導体基板への成膜処理が行われる本体部２と、出し入れ口を介して本体部２に搬入され若しくは出し入れ口を１８介して本体部２から搬出される半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード／アンロード部３と、出し入れ口１８を開閉する開閉機構１６と、本体部２の気圧を検出する第１センサ２６と、基板ロード／アンロード部３の気圧を検出する第２センサ２９と、第１センサ２６および第２センサ２９からの情報に基づいて、開閉機構１６を制御する制御部２４とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置により薄膜を成膜する基板を、昇温してある成膜プレート上に載置した時の基板の反りを防止することにより、膜質や歩留りの低下を防ぐ。
【解決手段】連続式平行平板型ＣＶＤ装置に用いる成膜プレートへの基板載置方法において、基板を前記成膜プレート上に載置する前および／または載置した後に、基板の略中央部に対し加熱を行う。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスによる移載室のパージが自動的になされるようにする。
【解決手段】基板の処理を行う処理室２０２に連接される移載室１０２をガスでパージするレシピを操作画面で作成するよう構成されている基板処理装置であって、操作画面には、移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、移載室１０２内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段が備えられ、切替手段は、移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能を具備したレシピと、移載室１０２を不活性ガス雰囲気でガスを循環させる機能を具備したレシピと、を操作画面上で選択する。 （もっと読む）

【課題】急激な圧力変動に伴うガス流量制御器の制御異常を解決し、大流量のＮ2ガス等によりウェーハを冷却することでスループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室５４と、該処理室に隣設された予備室３６と、該予備室にガスを供給するガス供給ライン４１と、該ガス供給ラインに設けられ、設定圧力値に基づき前記予備室に流すガスの圧力を調整する減圧弁７９と、前記ガス供給ラインに於ける前記減圧弁と前記予備室との間に設けられ、前記予備室に流すガスの流量を調整するガス流量調整弁５８と、前記ガス供給ラインからガスを前記予備室に供給する際に、前記減圧弁の設定圧力を可変させる制御部８２とを有する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させつつ、反応ガスの消費を抑制する装置を提供すること。
【解決手段】真空容器１０内に、多数の基板載置部５が搬送方向に一列に配列された基板載置部５の列を備えると共に、直線搬送路を有する周回搬送路に沿って前記基板載置部５の列を搬送する基板搬送機構４を設ける。また前記直線搬送路に沿って交互に配置され、基板載置部５の搬送路に対して夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給するために、第１の反応ガスノズル６１及び第２の反応ガスノズル６２を設けると共に、前記第１の反応ガスが供給される領域と第２の反応ガスが供給される領域とを分離するために、第１の反応ガスノズル６１及び第２の反応ガスノズル６２の間に、基板載置部５の搬送路に対して分離ガスを供給する分離ガスノズル６３を設ける。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの積算流量条件の検証を省略できる方法を提供する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室２２と、処理室２２内へＨ_２ガスを供給する水素ガス供給管２７と、処理室２２内へＮ_２ガスを供給する窒素ガス供給管２８と、処理室２２内を排気する処理室用排気管２５とを備えたアニール装置１０において、処理室用排気管２５に処理室２２内のＨ_２ガスの濃度を測定する高濃度計Ｇ１と、高濃度計Ｇ１とは検出限界の異なる低濃度計Ｇ２とを設け、コントローラ５５にそれぞれ接続する。コントローラ５５は、Ｈ_２アニール後のＮ_２ガスパージステップにおいて、処理室２２内に残留したＨ_２の濃度を高濃度計Ｇ１により測定しつつ処理室２２内にＮ_２ガスを供給し、高濃度計Ｇ１の検出限界に達すると、低濃度計Ｇ２に切り替えて、低濃度計Ｇ２によりＨ_２ガスの濃度を測定しつつ処理室２２内にＮ_２ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ間のゲートバルブを開放するときの衝撃波を抑えると共に真空チャンバ内にガスが供給されるときの粘性力によるパーティクルの剥がれを抑え、これにより基板に対するパーティクル汚染を抑えること。
【解決手段】例えば一方の真空チャンバが基板に対して真空処理を行うための基板処理室、他方が基板搬送装置を備えた搬送室であるとするとゲートバルブを開く前に両方のチャンバ内の圧力が６６．５Ｐａよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の２倍よりも小さいことを条件にゲート弁を開くようにする。この場合、基板処理室内に圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスの流量よりも大きな流量でパーティクル剥離用のパージガスを供給することが好ましい。また両方のチャンバ内のいずれもが９．９８Ｐａよりも低いことを条件にゲートを開くことも有効である。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の搬入出を確実に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、回転テーブル２の回転中心の下方に設けられ、回転テーブル２を回転駆動するモータ２７とを備え、回転テーブルの回転軸と前記モータの駆動軸とは、空転しないように結合されることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】高品質な成膜が可能な反応性ガスを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、回転テーブルを回転させるための駆動部を備え、基板が第１の処理領域に存在しているときには、第２の処理領域に基板は存在しておらず、基板が第２の処理領域に存在しているときには、第１の処理領域に基板が存在していない場合であって、駆動部は、基板が前記第１の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度と、第２の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度とが異なる角速度となるよう回転させるものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の分離ガスによる冷却を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、第１の分離ガスを加熱する加熱装置８とを備える成膜装置。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に複数の反応ガスを順番に供給して積層された反応生成物の薄膜を形成するにあたり、高いスループットが得られ、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる成膜装置等を提供する。
【解決手段】成膜装置は回転方向に沿って複数の基板Ｗを載置する回転テーブル２を備え、分離領域Ｄは各反応ガスが供給される第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との雰囲気を分離するために、これらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に設けられている。第１の排気路６３ａ及び第２の排気路６３ｂはこれらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の雰囲気を互いに独立して排気するために各々第１の真空排気手段６４ａ、第２の真空排気手段６４ｂと接続されている。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成により基板割れを防止して基板を冷却することができる処理装置及びこれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】処理装置である冷却室１５は、チャンバと、基板を搬送する搬送手段１５１と、前記搬送手段の作動を制御して前記基板を前記チャンバ内の所定位置で停止させるための制御手段と、前記チャンバの天井部に、所定位置に搬送され停止された前記基板の中央部に対向するように設置された２以上の冷却用ファン１５５ａ、１５５ｂとを備える。成膜装置は、この冷却室１５を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置を構成する部材に蓚酸系陽極酸化処理を施すことにより、前記部材からの微粒子の発塵を抑制する。
【解決手段】ウエハを真空処理する複数の真空処理室７と、該各真空処理室にウエハを搬入出する真空搬送手段８を備えた真空搬送容器６と、前記各真空処理室にウエハを搬入出するための大気雰囲気あるいは真空雰囲気に切り替え可能なロードロック室９と、ウエハを収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段１０と、該カセット載置手段上の任意のカセット内からウエハを抜き取れるように構成された大気搬送手段４とを備え、前記任意のカセット内のウエハを前記大気搬送手段及び前記切り替え可能なロードロック室並びに前記真空搬送手段を介して各真空処理室に搬入し、前記各真空処理室で真空処理された処理済ウエハを搬出する真空処理装置において、前記真空搬送容器６を構成する部材の内表面には蓚酸を用いた陽極酸化処理を施した。 （もっと読む）

本明細書内で開示される実施形態は、概して、チャンバ内の開口を密閉するためのスリットバルブドアアセンブリに関する。スリットバルブの開口を密閉するためにチャンバに対して押し付けられるスリットバルブドアは、スリットバルブの開口が縮むとき、チャンバと共に移動するので、スリットバルブドアとチャンバの間で押し付けられるＯリングは、スリットバルブドア及びチャンバと共に移動できる。従って、チャンバに対するＯリングの摩擦は、ほとんど起こらないかもしれない。摩擦がほとんど無いので、粒子はほとんど発生しないかもしれず、Ｏリングの寿命が延びるかもしれない。Ｏリングのより長い寿命によって、基板のスループットは増加するかもしれない。
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【課題】極めて薄い膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素、および希ガスを含む処理ガスの存在下で、ウエハＷ上に平面アンテナ部材ＳＰＡを介してマイクロ波を照射することにより、酸素と希ガスとを含むプラズマ（ないし窒素と希ガスとを含むプラズマ、または窒素と希ガスと水素を含むプラズマ）を形成する。このプラズマを用いて前記ウエハ表面に酸化膜２（ないし酸窒化膜２ａ）を形成し、必要に応じてポリシリコン等の電極１３を形成して電子デバイス構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの有無と、ウエハのプロセス進捗状況とを対応させて表示し、装置が停止した場合にも、操作者にウエハの処理状況を正確に知らせて、良品を廃棄するのを防ぎ、歩留りを向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ毎に搬送レシピを指定した搬送テーブル２９と、搬送レシピ毎にウエハの位置情報を格納する位置管理テーブル２２ａ〜２２ｃと、ウエハＮｏ．毎に位置情報とプロセス状況を格納する状況テーブル２５´を設け、位置情報監視手段２１´が、個々のウエハについて位置及びプロセス状況を監視し、ウエハ毎に異なる搬送レシピを設定した場合にも、ウエハ毎のプロセス進捗状況を表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】ウェハの種類にかかわらずその温度分布を最小限にして成膜することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜が行なわれるシリコンウェハ１０１の種類に応じて、シリコンウェハ１０１の面内の温度分布を均一にするのに最適な第２の部材１０７を選択して成膜室１０２内に搬送し、第１の部材１０３に載置することでサセプタ１１０を完成させる。第２の部材１０７は、シリコンウェハ１０１の温度分布に応じて厚みが変化している。これにより、異なる種類のシリコンウェハ１０１を処理する場合であっても、温度分布を最小限にして成膜することができる。保管室には、第２の部材を加熱する第２の加熱部が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 複数の内部処理空間を有する多重基板処理チャンバーおよびこれを含む基板処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 少なくとも二つの内部処理空間が形成されたチャンバーハウジングと、前記チャンバーハウジングに設置され、前記チャンバーハウジングを前記少なくとも二つの内部処理空間に分割する少なくとも一つのパーテーション部材とを含んで、前記各内部処理空間は前記パーテーション部材と結びついて均一な処理反応が発生する対称的な形状を有することを特徴とする。本発明の多重基板処理チャンバーは、内部処理空間がパーテーション部材との結合によって、対称的な形状を有するので処理反応が内部処理空間の全領域にかけ均一に発生して基板処理工程の再現性と均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程の加熱処理プロセスにおいて、輻射率のウェーハ面内のばらつきに起因するウェーハ面内の到達温度のばらつきを抑え、特性のばらつき、劣化を抑えることが可能な半導体装置の製造方法と半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの輻射率のパターン依存性を検出し、検出された前記輻射率のパターン依存性に基づき、ウェーハの加熱面を決定し、加熱面が決定されたウェーハと、加熱面が決定された他のウェーハのそれぞれ非加熱面が対向するように、ウェーハと他のウェーハを所定間隔離間するように保持し、ウェーハと他のウェーハのそれぞれ前記加熱面を加熱する。 （もっと読む）