【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】移載アーム機構が熱的ダメージを受けることを防止し、被処理体の移載操作を効率的に行う被処理体の処理システムを提供することにある。
【解決手段】被処理体Ｗの収容ボックス６から被処理体を取り出して熱処理を施す処理システム２において、縦型の処理ユニット２４と、処理ユニットの下方に設けた被処理体移載エリア１０と、被処理体を保持する複数の被処理体ボート２０と、被処理体ボートを昇降させるボート昇降手段６８と、被処理体ボートを載置する移載用ボート載置台５２と、収容ボックスと移載用ボート載置台上に載置された被処理体ボートとの間で被処理体を移載する移載アーム機構５６と、移載アーム機構を昇降させるアーム昇降手段５８と、被処理体ボートを移載するボート移載機構７４と、被処理体移載エリア内の上部に設けられた温度測定手段８６と、温度測定手段の測定値に基づいて移載アーム機構の移載動作を制御する移載制御部８８とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの中心位置及び回転位置（回転角）を正確に計測し位置ずれを確認することができる画像処理装置を提供する。
【解決手段】トランスファチャンバ４の外側からに設置され、トランスファチャンバ４に設けられたビューポートを介してウエハ３の少なくとも輪郭線（エッジ部）を含む画像を撮像する１つの撮像カメラ２と、撮像カメラ２で撮像された画像から抽出したウエハのエッジ位置データを用いて、ウエハ３の輪郭を示す関係式を求め、この関係式に基づいてウエハ３の位置を計測する計測部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】搬入禁止であった処理室のエラーが解除された場合、搬送経路を最適化する。
【解決手段】処理システムは、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２とロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２と装置コントローラＥＣとマシーンコントローラＭＣとを有する。ＥＣは、処理システム内のウエハの搬送と処理を制御する。ＥＣの搬送先決定部は、正常に稼働しているＰＭ１、ＰＭ２に対してウエハが順番に搬送されるようにウエハの搬送先を定める。ＥＣの退避部は、ＰＭ２に異常が発生した場合、異常ＰＭ２を搬送先と定め、かつ異常ＰＭ２に未だ搬入していないウエハＰ１２を、一旦、カセット容器Ｃに退避させる。ＥＣの搬送先変更部は、異常が発生していたＰＭ２のエラーが解除されたとき、カセット容器Ｃから最先に搬出予定のウエハＰ１４の搬送先を搬入禁止が解除されたＰＭ２に変更する。 （もっと読む）

【課題】実用的な速度で加熱することができ、かつ加熱後に短時間で降温可能なロードロック装置を提供すること。
【解決手段】ロードロック装置６，７は、真空の搬送室５に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器３１と、搬送室５との間を開閉可能に設けられた第１のゲートバルブＧ１と、大気雰囲気の搬入出室８との間を開閉可能に設けられた第２のゲートバルブＧ２と、容器３１内の圧力を搬送室５に対応する真空と大気圧に調整する圧力調整機構４８と、容器３１内に設けられウエハＷを載置する載置台３２と、載置台に設けられたウエハＷを加熱する加熱機構６０とを具備し、加熱機構６０は、固体発光素子６４が搭載された加熱源６５を有する。 （もっと読む）

【課題】キャリアカセット内のウエハの処理の終了時点を正確に予測して、キャリアカセット交換を迅速に行うことのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアカセット１１〜１３に収納されたウエハを大気搬送装置２３を介してロードロック室３０１に搬送し、真空搬送装置２０２によりロードロック室から処理室１０１〜１０４に搬送し、搬送された処理室内で処理を施されたウエハを真空搬送装置によりアンロードロック室３０２に搬送し、更に大気搬送装置により元のキャリアカセットに戻す真空処理装置において、制御コントローラ３０１は、前記ウエハの種類毎の処理条件および複数の処理室における処理状況をもとに前記キャリアカセット内に収納された全てのウエハの処理が終了する時点を予測する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜の移動度を高める。
【解決手段】ｎチャネル薄膜トランジスタおよびｐチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造する半導体製造方法であって、高密度プラズマを用いて少なくとも（２２０）の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜２０を形成する第１の工程と、水素含有プラズマにより微結晶シリコン膜２０を水素にて終端させる第２の工程と、を有する。これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜２０を形成して、移動度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】２つのチャンバ間で被処理基板を往復させる必要がある場合でも、スループットの低下を抑えることができ、装置の小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１１は、真空雰囲気の第１チャンバ１５と窒素雰囲気の第２チャンバ１６とを有する。第１チャンバ１５及び第２チャンバ１６は、正八角形の平面形状を有しているので、互いの一つの辺部１５ａ，１６ａが対向するように配置させると、第１チャンバ１５と第２チャンバ１６との間に、９０°に開口する２つの領域Ａ，Ｂが存在する。そして、この領域Ａ，Ｂに、第１チャンバ１５及び第２チャンバ１６と連通可能であると共に、複数枚の被処理基板１２を収納可能な第１連結室４１と第２連結室４２とを配置する。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の反応炉内の洗浄等のメンテナンスの際に異臭の発生を抑止する。
【解決手段】シリコン成分を有するプロセスガスを所定の温度に加熱されたウェハ１５０に供給し、ウェハ１５０上に気相成長による成膜を行なう気相成長装置１００であって、反応炉１０１と、プロセスガス供給部１０３と、第１排気部１２０と、第１排気部１２０から分岐して設けられ、反応炉１０１から大気を排出するバイパス管１３０とを備えることを特徴とする。これにより、メンテナンス時に反応炉１０１内から排出される大気と、第１排気部１２０に堆積する副生成物とを接触させないため、異臭の発生を抑止することができる。
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【課題】不活性ガスによる移載室のパージが自動的になされる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の処理を行う処理室２０２に連接される移載室１０２をガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、前記移載室１０２内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段を有する。 （もっと読む）

【課題】搬送室内の汚染を軽減し、メンテナンス頻度の減少を図ることが可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】被処理基板に対して処理を行う処理チャンバ２２及び２３と、処理チャンバ２２及び２３に接続され、内部が処理チャンバ２２及び２３の処理圧力と適合した圧力に調整可能な搬送室２１と、搬送室２１内に設けられ、被処理基板を処理チャンバ２２及び２３に対して搬入出する搬送機構２６と、搬送室２１内を、この搬送室２１内に処理チャンバ２２及び２３からの放出物が付着しない温度に加熱する加熱機構７１と、搬送室２１内を排気する排気機構５４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】
待機室でのウェーハの変形を防止しつつ、又ウェーハの移動を防止しつつ、不活性ガスを供給して冷却効果を増大させ、更に冷却時間を短縮してスループットの増大を図る。
【解決手段】
基板１を収納し、処理する処理室４１と、該処理室と連設する待機室３３と、該待機室に設けられ、冷却ガスを拡散して噴出する第１ガス噴出手段５１，５５と、前記待機室に設けられ、基板に向けて冷却ガスを噴出する第２ガス噴出手段５２，５６と、前記処理室から前記待機室に基板を搬出した際に、前記第１ガス噴出手段から冷却ガスを噴出させ、所定時間経過後前記第２ガス噴出手段により冷却ガスを噴出させる様、前記第１ガス噴出手段、前記第２ガス噴出手段を制御する制御部５７とを具備する。
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【課題】ハードディスクヘッド・ディスクなどの電子部品用薄膜の製造装置として使用される成膜装置に於いて、プロセス室用真空ポンプの着脱に供するためのポンプ昇降手段を架設した水平方向スライド手段を設けた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプ７装着時は最初にスライド架台Ｓをフレーム１３の右方に置き昇降機構１１上に真空ポンプ７を積載する。スライド架台Ｓを左方に移動し、真空ポンプ７を第１スパッタ室下部の接続フランジＦの直下に置き、昇降機構１１のパンタグラフ機構を利用して真空ポンプ７を上昇させ、接続フランジＦに密着させた後締結金具で両者を緊結する。真空ポンプ７の取り外し時には上記と逆順序で真空ポンプ７を搬送室１の下部に引き出した後、真空ポンプ７をさらに下降させスライド架台Ｓから取り外して外方に移動する。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバ内のターゲット近傍に設けられた構造物に付着した発生した物質が剥離して微粉塵となることを抑えることを目的とする。
【解決手段】 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをＴとして、半径１．５Ｔの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シャッタの漏水による二次的障害の発生を防止する。
【解決手段】処理室５６と待機室２８との間を開閉するシャッタ４１に冷却水路４２が敷設されたバッチ式ＣＶＤ装置において、冷却水路４２から漏れる冷却水を受ける漏水パン４３と、漏水パン４３に溜まった漏水を排出する排水路４４とを設ける。漏水パン４３はシャッタ４１に一体移動するように取り付け、排水路４４の排水受け４４ａは漏水パン４３の排水口４３ｆがシャッタ４１の開閉と一体作動する範囲よりも大きくする。排水路４４の排水管４４ｂは排水受け４４ａの底面に接続し、下端開口を待機室２８の底壁の近傍に配置する。排水管４４ｂの下端開口には漏水センサ４５を設置する。シャッタからの漏水は漏水パンで受け止め排水路で排水できるので、漏水によるウエハの直撃や汚染を防止できる。漏水センサで漏水を警報できる。
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【課題】
真空チャンバ内のパーティクルの巻き上げ防止とスループットの低下防止を実現でき、操作および構成が簡単で製造コストも低いベントバルブを提供する。
【解決手段】
ケーシング１１内の内部空間１２に弁体２１を設けると共に、スプリング３１によって弁体２１を全開位置に向かって付勢する。スプリング３１に抗して弁体２１をその閉鎖位置に向かって変位させるエアシリンダ５１を設ける。弁体２１が閉鎖位置にあり貫通孔２４が閉鎖されていると、入口通路１６と出口通路１７との連通は遮断され、貫通孔２４が開放されると連通する。閉鎖位置以外では、入口通路１６と出口通路１７は、貫通孔２４と、ケーシング１１の内面１１ａのテーパ溝１３により連通する。テーパ溝１３の断面積は、弁体２１の閉鎖位置からの変位量の増加に応じて増加する。 （もっと読む）

【課題】それぞれの被処理物同士間における真空処理される前の被処理物の温度分布の差異を低減できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】第１の処理室１０１内において被処理物１０７に真空処理を施している間に、次に処理されるべき被処理物１０７が第２の処理室１０２の搬入部１０８において加熱される。真空処理された後の被処理物１０７が第２の処理室１０２の搬出部１０９に搬出され、搬入部１０８および搬出部１０９は搬送部２０２による被処理物１０７の搬入および搬入方向Ｘと垂直な方向Ｙへと移動し、搬入部１０８にて支持されている被処理物１０７が真空処理室１０１内に搬入される。真空処理が施されている間に、新たな被処理物１０７が搬入部１０４に支持されて、搬出部１０９に支持されている被処理物１０７が第２の真空室１０２から取出され、前記新たな被処理物１０７が予備加熱される。 （もっと読む）

本発明は概して、クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステムを提供する。一実施形態において、洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。一実施形態において、酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 （もっと読む）