【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ５２上の基板Ｗを加熱しつつ、ステージ５２と対向するガスヘッド５３から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第１の成膜用ガスが基板Ｗの中央に供給され、複数の金属元素を第１の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第２の成膜用ガスが基板Ｗの周縁に供給されることで、基板Ｗ上に薄膜が製造される。チャンバ５１内では基板Ｗ上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第１の成膜用ガスと第２の成膜用ガスとによって、基板Ｗ上のガスの分布を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第１の材料ガス及び第２の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第１の材料ガス供給室及び第１の材料ガス供給室の上部に設けられた第２の材料ガス供給室と、第１の材料ガス供給室に隣接して第１の材料ガス供給室の下部に設けられた第１の冷却ジャケット及び第１の冷却ジャケットの下部に配された第２の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第１の材料ガス供給室に連通して第１の材料ガスを噴出する第１の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第２の材料ガス供給室に連通して第２の材料ガスを噴出する第２の材料ガス通気孔と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属機能物質粒子ガスを生成し、当該生成金属機能物質粒子ガスをＣＶＤチャンバー側に供給することが可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルを囲繞する筐体とを備えている。前記電極セルは、第一の電極３と、放電空間６と、第二の電極１と、誘電体２ａ，２ｂと、平面視において中央部に形成された貫通口ＰＨとを、有する。円筒形状の絶縁筒部２１が、貫通口ＰＨの内部に配設されており、円筒形状の絶縁筒部２１側面部に噴出孔２１ｘを有する。さらに、プラズマ発生装置は、絶縁筒部２１の空洞部２１Ａに配設される導電性部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ装置の大型化にも対応でき、膜厚や組成比が均一の良質なデバイスの製造が可能なシャワープレート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置に用いるシャワープレートの製造方法であって、第一構成部材及び第二構成部材にザグリ孔及び貫通孔を設ける工程と、前記第一構成部材のザグリ孔に前記ガス吐出パイプを差し込む工程と、第二構成部材のザグリ孔に前記第一構成部材に差し込まれた前記ガス吐出パイプの他端が前記第二構成部材から突出するように差し込む工程と、前記第一構成部材のザグリ孔と、前記ガス吐出パイプを溶接する第一溶接工程と、前記第二構成部材のザグリ孔と、前記ガス吐出パイプを溶接する第二溶接工程と、前記第一構成部材と前記第二構成部材を溶接する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスの加熱効率を向上させ、成膜ガスを処理基板と同等の温度まで加熱することができるガス導入路を提供することを課題とする。
【解決手段】ガス供給管３４０を流れてきたガスは、ガス予備加熱筒３６０のガス導入口３４２からガス予備加熱筒３６０内のガス流路３７４に流入する。ガス流路３７４を流れるガスが、ガス予備加熱筒３６０のガス導出口３６４へ到達するまでの間に、電磁誘導コイル２０７が誘導加熱したインナーチューブ３５０が、ガス予備加熱筒３６０を加熱し、ガス流路３７４を流れるガスは均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】
結晶膜のＣＶＤ装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるＧａＮなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長ＣＶＤ装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にＣＶＤの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 （もっと読む）

【課題】液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制することが可能な気化装置を提供する。
【解決手段】液体原料６０をキャリアガスにより気化させて原料ガスを形成する気化装置１２において、気化室９４が形成された気化容器９６と、中央に液体原料を噴射する液体原料用ノズル１２２を有し、液体原料用ノズルの外周に同心状にキャリアガスを噴射するキャリアガス用ノズル１２４を有して原料ガスを形成する噴射ノズル部６４と、噴射ノズル部より液体原料の噴射方向に沿ってその開き角度が鋭角で広がって行き気化室に向けて開放されたガス拡散抑制領域１３０を形成するガス拡散抑制ブロック１００と、原料ガス出口８４とを備える。これにより液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で熱処理を行う基板処理装置において、排気コンダクタンスの低下や副生成物の形成を抑制しつつ、排気ガスの温度を低下させる。
【解決手段】基板が搬入され処理される処理室と、処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、処理室へ接続され処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、ガス排気配管において排気ポートと真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブと、排気ポートと圧力制御バルブとの間に設けられ排気ガスを通しつつ冷却する排気ガス冷却装置とを備えた基板処理装置において、排気ガス冷却装置は、内管と外管を有し、内管内部に排気ガスを通し、内管と外管の間の空間に冷却媒体を流すようにする。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ガス配管部材内でのガスの液化を低減できるガス配管部材を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体基板を処理するガスを供給するためのガス配管部材であって、前記ガスを内側に通過させる内管と、前記内管の外壁に接触しながら前記内管の長手方向に延びたヒータと、前記内管及び前記ヒータの外側に前記内管と同軸に配され、端部が前記内管側に傾斜し前記内管と接続される傾斜部を有する外管と、前記内管と前記外管との間に配された断熱材とを有し、前記ヒータは、前記傾斜部を貫通し他のガス配管部材のヒータと接続できるように構成されていることを特徴とするガス配管部材が提供される。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の労力を低減するとともに、ダウンタイムを短くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１の洗浄方法は、加熱工程と洗浄工程とを備えている。加熱工程では、反応管２内と排気管１６内との少なくとも一方を所定の温度に加熱する。洗浄工程では、加熱された反応室２内と排気管１６内との少なくとも一方に、酸素ガスと水素ガスとを含むクリーニングガスを供給してクリーニングガスを所定の温度に加熱することにより、クリーニングガスに含まれる酸素ガス及び水素ガスを活性化させる。そして、活性化した酸素ガス及び水素ガスにより、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去する。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】従来の薄膜形成装置に比べて、薄膜を均一に形成することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成する成膜容器と、原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有する。ガス供給ユニットは、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ガス配管同士を接続するフランジ部に於いて、該フランジ部を加熱するヒータの寿命の延長を図ると共に、前記フランジ部を効率よく加熱可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に処理ガスを供給するガス供給管、前記反応管内の雰囲気を排気するガス排気管等のガス配管を具備し、該ガス配管同士は端部に形成されたフランジ部４４ａ，４６ａを介してクランパ３によって接続され、該フランジ部に連続する直管部４４，４６にヒータ９４を設けると共に前記フランジ部にもヒータ９３，９５を設け、前記フランジ部及び前記直管部を覆う断熱材９２を設けた。 （もっと読む）

【課題】基板処理室内に石英部材を用い、高温時よりも低温時の方が石英部材のエッチング速度が大きいクリーニングガスを使用する基板処理装置において、クリーニングガスの加熱を安定して行う加熱機構を用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、基板を収容し処理を行う基板処理室と、基板処理室内に連通するクリーニングガス供給管を経由して、前記基板処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、クリーニングガス供給管内に連通する不活性ガス供給管を経由してクリーニングガス供給管内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、基板処理室外に設けられ、不活性ガス供給管からクリーニングガス供給管内に供給される不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部とを備え、基板処理室内をクリーニングする際は、クリーニングガスと不活性ガス加熱部により加熱された不活性ガスとを混合して基板処理室内に供給する。 （もっと読む）

【課題】送出原料ガスに混ざるミストの供給を抑え、パーティクルが発生し難い液体原料気化用の気化器ユニットおよびこれを含むガス輸送路そして半導体処理システムを提供する。
【解決手段】気化器１を原料ガス輸送配管の一部とし、これに接続された加熱装置とともに配管型の気化器ユニット１０を構成する。気化室４は、外側に加熱部材２１ｂを有する配管２１ａの入口側端部に霧化部５を配設することで形成し、気化室４の出口にサイクロン流生成部材３２を配設してサイクロン流を生成することで加熱効率を向上させ残留ミストの発生を防止する。これにより気化器ユニット１０を小型化して反応炉周辺での占有面積を低減し、反応炉から１ｍ以下の近傍において気化器ユニット１０を配置可能とする。 （もっと読む）

【課題】同軸二重管構造のガス導管を採用した場合に、内側導管の外側を流れる外側流路の幅を容易に精度よく均一に確保し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０は、被処理基板３に向かって第１ガスを供給する複数の第１ガス流路３３と、第１ガス流路３３を形成する第１ガス流路内壁面３４ａの内部にそれぞれ挿入されて被処理基板３に向かって第２ガスを供給する第２ガス流路４３を形成する第２ガス導管４４とを備えている。第１ガス流路内壁面３４ａと第２ガス導管４４との間には、第１ガス流路内壁面３４ａと第２ガス導管４４との間隔を一定に保持し、かつ第１ガス流路内壁面３４ａに非螺合的に挿入されるアライメント部材２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】バルブや継ぎ手などのガス供給系部品が密集状態であっても、むらなく安定した加熱を行うことができ、安定した状態で原料ガスを基板処理装置に供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理を行う基板処理室と、前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口２７１ａと加熱ガス排気口２７１ｂを有する加熱容器２７１と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段２７２とを有する。 （もっと読む）