【課題】常温で固体の有機金属化合物をキャリアガスに随伴させて供給する供給装置において、有機金属化合物を長時間にわたって安定して供給する。
【解決手段】 供給装置は、カラム型の２つの容器１ａ、１ｂと、容器１ａ、１ｂの内部をその下端で連絡する連通管５とを有する。容器１ａの上部にはガス導入管２が設けられており、容器１ｂの上部にはガス導出管３が設けられている。容器１ａの内部には、有機金属化合物１０、およびガス導入管２から導入されたキャリアガスを分散させる分散材１１が、容器１ａの底部からこの順番に充填されている。もう一方の容器１ｂには、有機金属化合物１０が充填されている。 （もっと読む）

【課題】酸化性ガスと還元性ガスとを用いることによって、設備コストの大幅な上昇を招来することなく、石英製の構成部材の表面から不純物金属、特に銅を除去することが可能なクリーニング方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４と、処理容器内で被処理体を支持するための支持手段６と、被処理体を加熱する加熱手段２４と、処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段２８とを有すると共に、各構成部材の内の少なくとも１つが石英製になされて被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置のクリーニング方法において、処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して両ガスを反応させることによって石英製の構成部材をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】混合ガスの完全気化を実現する気化装置を提供する。
【解決手段】気体及び液体を混合した混合ガスを流通する発熱管２１と、発熱管の両端部同士を電気的に短絡させる短絡部材２２と、発熱管及び短絡部材を包囲するように配置し、高周波電力に応じて発熱管に対して電磁誘導電力を発生させる加熱コイル２３とを有し、発熱管は、電磁誘導電力に応じた短絡部材の短絡電流に応じて、同管内を流通する混合ガスを完全気化して目標温度に温度調整する気化器１６のシステムであって、混合ガスの液相温度及び気化温度に基づき、管内を流通する混合ガスを気化するように発熱管を温度調整する第１制御要素と、混合ガスの気相温度及び目標温度に基づき、流出口を流通する混合ガスの気相温度が目標温度になるように、発熱管を温度調整する第２制御要素とに基づき、気化器を駆動制御するＰＬＣユニット１８を備えている。 （もっと読む）

【課題】分流される流体流量を瞬時に管理し、所定の分流比で流体を素早く出力することができる流体分流供給ユニット及び分流制御プログラムを提供すること。
【解決手段】流体を分流して供給する流体分流供給ユニット１において、流体の流量を制御する流量制御機器８と、前記流量制御機器８の二次側に接続される複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃと、を有し、前記複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、前記開閉弁１０の動作周期を１サイクルとして、分流比に応じて１サイクルを時分割して前記複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの弁開閉動作をデューティ制御されるものである。 （もっと読む）

【課題】 金属窒化物膜の水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）のような堆積プロセスに利用可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 第１組の通路は、金属含有前駆ガスを導入することができる。第２組の通路は、窒素含有前駆ガスを供給することができる。第１組の通路と第２組の通路は、金属含有前駆ガスと窒素含有前駆ガスが基板に到達するまで分離するように散在されているのがよい。不活性ガスは、また、通路を通して流されて、通路での反応或いは通路の近くでの反応を分離し続け制限するのを助けることができ、それによって通路上への望ましくない堆積が防止される。 （もっと読む）

【課題】液体原料タンクの交換に際する液体原料供給ライン及び押出しガス供給ラインの大気開放部位を十分にパージする。
【解決手段】基板処理装置は、液体原料３００を気化器２５５ａに供給する液体原料供給ライン３２０，２３２ａと、押出しガスを液体原料タンク３１０内に供給する押出しガス供給ライン４２０，４５５と、を備える。液体原料供給ライン３２０，２３２ａが互いに分離される接続部３５０を有し、押出しガス供給ライン４５５，４２０が互いに分離される接続部４５０を有する。液体原料供給ライン３２０の接続部３５０より液体原料タンク３１０側と押出しガス供給ライン４２０の接続部４５０より液体原料タンク３１０側とには、液体原料供給ライン３２０と押出しガス供給ライン４２０とを連結する連結ライン５００が架け渡されている。 （もっと読む）

【課題】ダウンタイムを短縮することが可能であり、安全性の高い半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、液体原料供給源より液体原料供給ラインを介してアミン系液体原料を気化器に供給し、気化器によりアミン系液体原料を気化し、気化されたアミン系原料ガスを、原料ガス供給ラインを介して処理室内に供給して、基板上に膜を成膜する工程と、成膜後の基板を処理室内より搬出する工程と、液体原料供給ライン内をアミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒で洗浄する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】鉄が添加されており半絶縁性のＧａＮ基板のための窒化ガリウムを形成する方法を提供する。
【解決手段】有機金属塩化水素気相装置１１のサセプタ上に、（０００１）面を有するサファイア基板といった基板１を配置する。次いで、フェロセンといった鉄化合物のソース１３からの鉄化合物ガスＧ_Ｆｅと塩化水素ソース１５からの塩化水素ガスＧ１_ＨＣｌを混合器１６において反応させて、塩化鉄（ＦｅＣｌ_２）といった鉄含有反応物のガスＧ_{ＦｅＣｏｍｐ}を生成する。この生成と共に、鉄含有反応物Ｇ_{ＦｅＣｏｍｐ}、窒素ソース１７からの窒素元素を含む第１の物質のガスＧ_Ｎおよびガリウム元素を含む第２の物質のガスＧ_Ｇａを反応管２１に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム２３を基板１上に形成する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の液滴を通気性部材を通して気化させる際に，通気性部材全体の温度を均一にして，気化しきれずに目詰まりを起こすことを防止する。
【解決手段】液滴状の液体原料を導入する導入口３５４と，導入口に対向して配置され，通電により発熱する電気抵抗を有する部材で構成された板状の通気性部材４１０と，通気性部材を挟み込むように対向して配置された一対の電極４２０，４３０と，一対の電極を介して通気性部材を通電して発熱させる交流電源３８０と，導入口からの液滴状の液体原料を発熱した通気性部材の内部に通して気化させることにより生成された原料ガスを外部に送出する送出口１３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性や膜質の良好な成膜処理行いつつ、装置の熱的劣化を抑えることのできる成膜装置等を提供する。
【解決手段】
真空容器２内に処理ガスを供給し、基板Ｗを加熱して成膜処理を行う成膜装置１において、昇降機構３０は基板Ｗの処理位置及び受け渡し位置の間で載置台３００を昇降させ、囲み部分２６は基板Ｗ処理時に載置台３００を取り囲むことにより真空容器２内を上部空間と下部空間とに区画する。前記上部空間に連通し、基板Ｗ上方の処理雰囲気よりも外側に位置する真空排気路２１は、前記処理雰囲気の真空排気のために設けられ、排気されるガスの通流空間に露出する部位は処理ガスの反応物が付着しないように加熱手段２１４、４７により加熱される。これら加熱手段２１４、４７と、真空容器２の下側部分との間には断熱部２１２、２５４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流路途中で低温部分が発生することを防止し、もって原料ガスが再液化したり再固化することを抑制することが可能な原料ガスの供給システムを提供する。
【解決手段】減圧雰囲気になされたガス使用系２に対して原料ガスを供給する原料ガスの供給システムにおいて、液体原料又は固体原料を貯留する原料タンク４０と、原料タンクに一端が接続され、ガス使用系に他端が接続された原料通路４６と、原料タンク内へ流量制御されたキャリアガスを供給するキャリアガス供給機構５４と、原料通路の途中に介設された開閉弁４８，５０と、原料通路と開閉弁とを加熱する加熱手段６４と、加熱手段を制御する温度制御部９２とを備え、原料通路と前記開閉弁とを、それぞれ熱伝導性が良好な金属材料により形成する。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】熱分解を起こしやすい液体材料であってもこれを熱分解させることなく確実に気化させることのできる液体材料気化装置を提供する。
【解決手段】液体材料とキャリアガスとが供給され、前記液体材料を流量制御しながらキャリアガスと混合する流量制御機能を備えた制御バルブよりなる気液混合部１と、この気液混合部１と独立して設けられ、管路３を介して導入される気液混合部１からの気液混合体をノズル部から放出して減圧することにより前記液体材料を気化し、この気化によって生じたガスを前記キャリアガスによって導出する気化部２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の品質低下を防止できるＭＯＣＶD法による半導体製造設備のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応炉ＰＣへの原料ガスを供給するメインガス供給ラインＬ_１と前記原料の排気をするべントガス供給ラインＬ_２とを備え、前記メインガス供給ラインの入口側に圧力式流量制御装置ＦＣＳ−Ｎを設け、当該圧力式流量制御装置により流量制御をしつつ所定流量のキャリアガスＣ_１〜Ｃ_５をメインガス供給ラインへ供給すると共に、前記ベントガス供給ラインの入口側に圧力制御装置ＦＣＳ−ＲＶを設け、当該圧力制御装置により圧力調整をしつつ所定圧力のキャリアガスをベントガス供給ラインへ供給し、前記圧力式流量制御装置のオリフィスＯＬ下流側で検出したメインガス供給ラインの圧力Ｐ₁₀とベントガス供給ラインの圧力Ｐ₂とを対比し、両者の差が零となるようにベントガス供給ラインのガス圧Ｐ₂を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板に対して液体材料を気化させた気体材料を供給して成膜処理を行うにあたり、高い効率で液体材料を気化して、パーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】基板に対して成膜処理を行うための液体材料中に、正及び負の一方に帯電した粒径がナノレベルの気泡を発生させ、この液体材料を霧化して更にそのミストを加熱して気化させる。液体材料中には、予め極めて微少な気泡が高い均一性をもって分散するため、この液体材料を霧化すると、極微細で均一なミストが得られので、熱交換しやすい状態となる。従って、このミストを気化すると、気化効率が高くなり、パーティクルの発生が抑えられる。 （もっと読む）

封止するOLEDデバイスの表面に薄膜材料を堆積させてそのOLEDデバイスを薄膜封止パッケージするため、一連のガス流を実質的に平行な細長い出口開口部に沿った方向に向ける操作を含む方法であって、上記一連のガス流が、順番に、少なくとも1つの第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料を、場合によっては繰り返して含んでおり、上記第1の反応性ガス材料は、上記第2の反応性ガス材料で処理した基板の表面と反応して封止薄膜を形成することができ、上記第1の反応性ガス材料は、揮発性の有機金属前駆体化合物である方法が開示されている。この方法は、実質的に大気圧で、または大気圧よりも大きな圧力で実施され、堆積中の上記基板の温度は250℃未満である。
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履物のような１またはそれ以上の大型物品に、望ましい表面特性を付与するために、処理チャンバ（１４）へ物質を運搬する運搬システム（１０）は、液体が充填される第１コンテナ（１６）と、第１コンテナ（１６）から液体を受ける第２コンテナ（１８）と、第１コンテナから第２コンテナ（１８）に流れる液体の量を制御する第１流量制御手段（２０）と、第２コンテナ内の液体を気化させる気化手段（３０）と、第２コンテナ（１８）から処理チャンバ（１４）に流れる気化した物質の流量を制御する第２流量制御手段（３８）と、を具える。 （もっと読む）

ALD装置内において少なくとも２つのコーティングモジュールの間のアラインメント又は位置関係を維持するための装置であって、
コーティングセクションにある複数のコーティングモジュール、コーティングモジュールを支持するための少なくとも第一のバー及び第二のバー、及び、バーを支持するための少なくとも第一のバー取り付け構造及び第二のバー取り付け構造、を含み、
コーティングモジュールの各々は第一のバー及び第二のバーによって支持されており、少なくとも２つのコーティングモジュールと第一のバー及び第二のバーとの組み合わせはコーティングモジュールのアウトプット面についてのコーティングセクション形状を画定する、装置。このような装置の製造方法も開示される。
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【課題】化学気相蒸着法による薄膜形成の際に、蒸着チャンバーへ供給するソースガスの量を正確に制御することができるソースガス供給装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るソースガス供給装置１００は、ソース物質１２０を気化させてソースガスを生成するソース物質蒸発部１１０、ヒーター１３０、搬送ガス供給部１４０、待機チャンバー１５０、及び複数の弁Ｖ１〜Ｖ６を備えており、ソース物質蒸発部１１０と蒸着チャンバーとの間に、蒸着チャンバーへ所定量のソースガスを供給するための待機チャンバー１５０が設けられている。待機チャンバー１５０内には、ソースガス１２５を堆積させる堆積板１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】一定の再現性ある有機金属化合物の蒸発量が得られ、キャリアガス流量を多くして有機金属化合物の気化量を多くした場合に、充填した有機金属化合物の使用率の低下を少なくできる有機金属化合物供給容器を提供する。
【解決手段】容器上部にキャリアガス導入管の先端部、底部にキャリアガス導出管の先端部を配設し、かつ該容器内に有機金属化合物に対して不活性な担体に常温で固体の有機金属化合物を被覆した担体担持有機金属化合物を充填してなる有機金属化合物供給容器において、キャリアガス導入管の先端部より供給されるキャリアガスが、容器を垂直に設置した場合、その中心軸に対し略垂直方向に噴出するように、キャリアガス導入管の先端部を構成していることを特徴とする。 （もっと読む）