【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】気化器４０９は、内部空間を有する容器９００と、容器９００内の空間を加熱し、霧状の材料溶液を気化させる加熱部９０７とを備える。霧化部４０８は、内部空間に向かって材料溶液と霧化支援ガスを噴出し、ヒーター９０８を内蔵するフィン９０７により霧化した材料溶液を加熱する。これにより、溶液材料を効率よく気化することができる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に基板を保持する基板保持部を備えた反応容器４２０と、常温で液体の材料溶液を霧状にする霧化部４０８と、霧状の材料溶液を気化させて反応容器に供給する気化部４０９とを有する成膜装置とする。霧化部４０８は、材料溶液と、霧化を支援するための霧化支援ガスとを噴出することにより材料溶液を霧状にする。霧化部４０８には、霧化支援ガスを所定温度に加熱して供給する霧化支援ガス加熱部４０７が接続されている。これにより、加熱した霧化支援ガスにより材料を霧化させることができ、気化を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】経済的に安価であり、大面積化およびへき開が可能な六方晶窒化ホウ素構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素構造は、サファイア単結晶基板４１と、基板４１上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素４２を有する。また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】ボンベ内の液化塩化水素を気化するときに２段階で減圧しなくても、またボンベ内の液化塩化水素の供給量が変動しても、更にボンベに貯留された液化塩化水素の残量が少なくなっても、液化塩化水素の気化した塩化水素ガスの純度を良好に保ち、これにより安定して高いライフタイムを実現し、これによりエピタキシャルウェーハ等の製品の品質の低下を防止する。
【解決手段】ボンベ１１に貯留された液化塩化水素１２を気化して半導体製造工程に供給する。ボンベの外面にこのボンベに貯留された液化塩化水素に対向して取付けられた外付け温調器１６又はボンベの設置室内に設けられた温調装置２８のいずれか一方又は双方により構成された加温手段がボンベを加温し、ボンベの外面温度を検出する温度センサ１７の検出出力に基づいてコントローラ１９が加温手段を制御してボンベを加温する。 （もっと読む）

【課題】流路の長さを短くすることにより、液の置換時間を短縮できる原料液供給ユニットを提供すること。
【解決手段】
マニホールド７の第１平板面４６に第１原料液供給バルブ２が固設され、マニホールド７の第２平板面４７に第２原料液供給バルブ３が固設されていること、第１原料液供給バルブ２と第２原料液供給バルブ３はマニホールド７をはさんで固設されていること、マニホールド７には、一側面に出力ポートを備える主出力路１４が形成され、主出力路１４と第１原料液供給バルブ２とを連通する第１弁孔２１ａが形成され、主出力路１４と第２原料液供給バルブ３とを連通する第２弁孔２１ｂが形成されていること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置アボート後にポンプが再起動不能状態になるのを回避することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する処理室２０１と、液体原料が気化したガスを処理室２０１に供給する第１液体原料供給管２３２ａおよび第２液体原料供給管２３２ｄと、処理室２０１を排気する排気管２３１と、排気管２３１に接続され処理室２０１を排気する真空ポンプ２４６とを有する処理炉において、排気管２３１の真空ポンプ２４６よりも上流側にストップバルブ２４５を設ける。メインコントローラ２５６はストップバルブ２４５と真空ポンプ２４６とを、リセット時にストップバルブ２４５を閉じ、リセット中に真空ポンプ２４６の稼働を継続させるように制御する。液体原料が真空ポンプ内で固化するのを防止できるので、真空ポンプが再起動が不能となるのを未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが少ないシリコン窒化膜を形成することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】加熱された基板２００を収容した処理室２０１内に、ビスターシャリーブチルアミノシランガスとアンモニアガスとを供給して、ＣＶＤ法により基板上にシリコン窒化膜３０４を形成し、シリコン窒化膜が形成された基板を８００℃以上の雰囲気で加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】前駆体用化学薬品の高純度を維持することが可能で、かつ、装置中での前駆体用化学薬品の使用量を増大させることも可能で、それに応じて化学薬品の無駄を低減する、清浄化が容易な二点部品からなる気相または液相試薬送出装置を提供する。
【解決手段】複数ポートのうちの１つと、対応する弁との間にガスケットと管から成るアダプタを挿入することによって、管付きではない標準２ポート容器が、管（すなわち、ガス供給用気泡管または液体供給用浸漬管）を必要とする用途に使用できる容器に転用できる。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給管とパージガス供給管とが合流する部分でのデッドスペースを解消し、パーティクルの発生を防止し、パージガス供給管の圧力が大きくなり、気化器の気化性能を低下させることを回避できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給手段とを有し、前記ガス供給手段は、液体原料を気化する気化器と、前記気化器からの気化ガスを前記処理室に供給する第１のガス供給管４７ａ，bと、不活性ガスを前記処理室に供給する第２のガス供給管５３と、前記第１のガス供給管４７ａ，bと前記第２のガス供給管とが接続される合流部７１とを備え、該合流部７１は拡散室７３を有し、前記第２のガス供給管５３の下流側の先端部分には前記拡散室７３の方向に向かって内径を絞る絞り部７７を有し、該拡散室７３には前記気化器からの気化ガスが流入すると共に絞り部７７を通して不活性ガスが流入する。 （もっと読む）

【課題】常温で固体の有機金属化合物を安定した濃度で供給でき、充填した固体有機金属化合物の使用率をより高くすることができる有機金属化合物供給装置を提供すること。
【解決手段】充填容器（１）の下部に不活性担体に担持された該有機金属化合物（８）を保持し、キャリアガスが通過することのできる支持板（９）、該充填容器の上部にキャリアガス導入口（４）、該充填容器の底部であって該支持板の下方に開口したキャリアガス導出口（５）、および該支持板（９）と該キャリアガス導出口（５）との間に取り付けられた該キャリアガス導出口（５）の口径よりも大である邪魔板（１０）を配設し、キャリアガスを支持板上に充填した不活性担体に担持された該有機金属化合物中を上方から下方へ通過させるようにした有機金属化合物供給装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】高い品質のＧａを含む化合物半導体層をより容易に形成できるようにする。
【解決手段】原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスにガリウム（Ｇａ）を接触させるガリウム配置部１０５を備える。ガリウム配置部１０５は、例えば、原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスを通過させる経路と、この経路に配置された金属Ｇａと、この金属Ｇａを加熱する加熱部とを備えるものである。従って、原料ガス供給部１０４より供給される原料ガスに含まれているＩｎ原料ガスは、ガリウム配置部１０５を通過することで、例えば５０℃に加熱された金属Ｇａに接触し、この後、基板Ｗの表面に供給されることになる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の製造および装置において、材料を被着するための前駆体等の気相または液相試薬の送出に使用可能な気相または液相試薬送出装置を提供する。
【解決手段】各種用途を支援するために必要な容器の設計数を削減する。複数ポートのうちの１つと、対応する弁との間にガスケットと管から成るアダプタを挿入することによって、管付きではない標準２ポート容器が、管（すなわち、ガス供給用気泡管または液体供給用浸漬管）を必要とする用途に使用できる容器に転用できる。 （もっと読む）

堆積反応炉内の加熱された基板上に順次自己飽和表面反応によって材料を堆積させるように構成された前駆体ソースを備えるALD(原子層堆積)装置などの装置。本装置は、前駆体ソースからの前駆体蒸気を反応室に供給するための供給管路と、前駆体ソースと反応室との間で前駆体蒸気が液相または固相に凝縮することを防ぐために反応室加熱器からの熱を利用するように構成された構造とを備える。複数のパルス送出弁、前駆体ソース、複数の前駆体カートリッジ、および複数の方法も提示される。 （もっと読む）

【課題】 気化器を備えたガス供給装置の省エネルギ化と装置の小型化を図ると共に、厳密な気化器側の温度制御を必要とすることなしに高精度なガス流量制御を安定に且つ簡単に行えるようにしたガス供給装置を提供すること。
【解決手段】 液体受入れタンクと，液体を気化する気化器と，気化ガスの流量を調整する高温型圧力式流量制御装置と，気化器と高温型圧力式流量制御装置とこれ等に接続した配管路の所望部分を加熱する加熱装置とから気化器を備えたガス供給装置を構成する。 （もっと読む）

有機金属化学気相成長の方法は、第１のガスを提供するように濃縮物質源を変換するステップを含み、該物質源は、金、銀、およびカリウムから成る群より選択される少なくとも１つの元素を含む。方法はさらに、亜鉛を含む第２のガスおよび酸素を含む第３のガスを提供するステップと、第１のガス、第２のガス、および第３のガスを、基板に移送するステップと、基板上でｐ型酸化亜鉛系半導体層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によれば、濃縮物質源は、非ハロゲン化および非シリル化源であってもよい。非ハロゲン化および非シリル化濃縮物質源は、固相であってもよく、変換するステップは、物質源を昇華させるステップを含んでもよい。
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【課題】液体原料の吐出口がキャリアガスに晒されないようにすることで，液体原料とキャリアガスとの反応生成物によって吐出口が閉塞することを防止する。
【解決手段】液体原料をミスト状にするミスト化室３００Ａと，ミスト化室の下流側に連通して設けられ，ミスト化室からのミスト状の液体原料を気化させて原料ガスを生成する気化室３００Ｂとを備え，ミスト化室は，ミスト化室内に設けられた液体原料を吐出する吐出口３２４に連通する液体原料供給流路３２０と，液体原料の吐出口に対向する振動面３１６を有する超音波振動子３１０と，超音波振動子の振動によりミスト状にされた液体原料を移送するキャリアガスを，液体原料の吐出口よりも下流側から気化室に向かうように噴出する噴出口３３４に連通するキャリアガス供給流路３３０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】液滴状の液体原料を気化させる通気性を有するミストトラップ部材の加熱効率を高めるとともに，液体原料の液滴の気化効率を高めて十分な流量の原料ガスを生成する。
【解決手段】液滴状の液体原料を導入する導入口３４４側に開口端を有する有底筒状のハウジング本体３３０Ｂと，その開口端から内部に遊嵌することによりハウジング本体の内側表面との間で気化流路３３６を形成する円柱状ブロック３５０と，これらを囲む加熱部３９０とを設け，気化流路内に通気性を有するミストトラップ部材３８０をハウジング本体の内側表面に密着するように設けるとともに，円柱状ブロックの内部に形成した噴出孔３５１からミストトラップ部材の内側表面に向けて液滴状の液体原料が噴出されるように構成した。 （もっと読む）

本発明は基本的には、バッキングプレートにガス供給源から離れた位置で 接続されるＲＦ電源を有するプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む。ガスを前記処理チャンバに、前記ＲＦ電源から離れた位置で供給することにより、前記処理チャンバに至るガスチューブ内での寄生プラズマの発生を低減することができる。前記ガスは、前記チャンバに複数の位置で供給することができる。各位置では、前記ガスは、前記処理チャンバに前記ガス供給源から、リモートプラズマ源だけでなくＲＦ絞り部またはＲＦ抵抗部を通過させることにより供給することができる。
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【課題】水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をｎ型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム１０と水素Ｈ２を反応させることにより水素化ガリウムガスを発生させる。その水素化ガリウムガスを含窒素化合物と反応させることで、窒化ガリウムの結晶を成長させる。その水素化ガリウムガスの発生に伴って発生する水分子由来の酸素を、窒化ガリウムの結晶を成長させる工程においてｎ型ドーパントとして窒化ガリウム結晶にドープする。 （もっと読む）