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Fターム[5F045EE03]の内容

Fターム[5F045EE03]に分類される特許

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【課題】キャリアガス中の液体原料の蒸気の飽和度を向上可能な気化原料供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクを第1の温度に制御する第1の温度制御部と、前記貯留タンク内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入管と、前記貯留タンクに接続され、前記キャリアガス導入管から前記貯留タンク内に導入された前記キャリアガスに前記液体原料の蒸気が含まれることにより生成される処理ガスを前記貯留タンクから流出させる処理ガス導出管と、前記処理ガス導出管が接続される流入口、前記流入口から流入する前記処理ガスを流出させる流出口を備える容器と、前記容器内の前記流入口と前記流出口の間に設けられ、前記処理ガスの流れを妨げる障害部材と、前記容器を前記第1の温度よりも低い第2の温度に制御する第2の温度制御部とを備える気化原料供給装置により上述の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ52上の基板Wを加熱しつつ、ステージ52と対向するガスヘッド53から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第1の成膜用ガスが基板Wの中央に供給され、複数の金属元素を第1の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第2の成膜用ガスが基板Wの周縁に供給されることで、基板W上に薄膜が製造される。チャンバ51内では基板W上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第1の成膜用ガスと第2の成膜用ガスとによって、基板W上のガスの分布を最適化することができる。 (もっと読む)


【課題】混合ガス内の原料濃度を正確に調整し、高精度な流量制御の下でプロセスチャンバへ安定供給できる原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置を提供する。
【解決手段】マスフローコントローラ3を通してキャリアガスGをソースタンク5内へ供給し、恒温部により一定温度に保持して発生させた原料4の飽和蒸気Gをプロセスチャンバへ供給する原料気化供給装置において、前記ソースタンクからの混合ガスGの流出通路に自動圧力調整装置8を設け、その下流側にマスフローメータ9を設け、前記自動圧力調整装置のコントロールバルブ8aを開閉制御することによりソースタンク5の内部圧力Poを所定値に制御する。マスフローコントローラ3によるキャリアガスGの流量Qと前記ソースタンク内圧Poとマスフローメータ9の混合ガスGsの流量QSの各検出値を原料濃度演算部へ入力して原料4の流量Qを演算し、更に原料濃度Kを演算し、表示する。 (もっと読む)


【課題】液体前駆体物質を気化形成するための方法及び装置の提供。
【解決手段】この方法又は装置は、例えば、基板上に膜を形成するための化学気相堆積装置又はシステムの部分として使用することができる。この方法及び装置は、液体前駆体211及び拡散素子232を含むための容器218を準備することを含み、その拡散素子は、その容器の内側断面寸法に実質的に等しい外側断面寸法を有している。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム200は、原料ガスXを生成するバブリングユニット212と、原料ガスが導入されるとともに、加圧ガスPが導入されることにより、反応室112よりも高圧の混合ガスMを生成する加圧タンク214と、加圧タンクと反応室との差圧によって混合ガスを反応室に供給する混合ガス供給部216と、加圧タンクで生成された混合ガスが導入されるとともに、混合ガスに含まれる原料ガスを凝縮させて液体の原料Lに戻すガス回収部220と、ガス回収部において凝縮された液体の原料をバブリングユニットに導入する原料導入部222と、を備える。 (もっと読む)


【課題】固体前駆体の蒸気濃度が均一でかつ充分に高い濃度のままである、固体前駆体の蒸気を送達するための改良された送達装置および方法を提供する。
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置102にキャリアガスの第1の流れ202を移送することを含む。キャリアガスの第1の流れは20℃以上の温度である。この方法は、送達装置の下流の位置にキャリアガスの第2の流れ204を移送することをさらに含む。第1の流れおよび第2の流れは一緒にされて第3の流れ206を形成し、この第3の流れにおける固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第1の流れのフロー方向、第2の流れのフロー方向および第3の流れのフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 (もっと読む)


【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器60内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器60内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 (もっと読む)


【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物S上に成膜する真空成膜装置1であって、開閉自在の天板11aを備えた外チャンバー11と、外チャンバー11内の下方部分に設置され、開閉自在の天板12aを備えた内チャンバー12との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー12内に原料ガスを供給するガスノズル15が処理対象物Sの表面に対して平行になるように内チャンバー12内に設けられており、内チャンバー12内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置1内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 (もっと読む)


【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板S上に薄膜を形成する原子層堆積装置10であって、原料ガスと反応ガスとが供給される成膜容器20と、原料ガス供給管を介して原料ガスを供給する原料ガス供給部60と、反応ガスを供給する反応ガス供給部90と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部52と、を備え、原料ガス供給部は、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部62と、原料ガスを生成するために、液体原料を加振する超音波振動部66と、液体原料貯蔵部に接続され、かつ、原料ガス供給管を通して成膜容器と接続される原料ガス供給バルブと、原料ガス供給バルブから成膜容器までの原料ガス供給管の温度を調節する温度調節部86と、を備える。 (もっと読む)


【課題】爆発の危険性が高いSiHを用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでSi系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Si系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、t−CSiX(Xは任意の基)と、前記t−CSiXと反応する反応性化合物とを有する。 (もっと読む)


【課題】調整バルブが全開又は全閉である場合の材料ガスの濃度値や流量値が、設定値と略一致する場合であっても、濃度や流量の制御状態が異常であるかを診断できる材料ガス制御システムを提供する。
【解決手段】収容室10と、キャリアガスを導入する導入管20と、材料ガス及びキャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管30と、第1調整バルブ45と、材料ガスの濃度又は流量を測定する測定計と、測定計で測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、第1調整バルブ45に開度制御信号を出力する第1バルブ制御部46と、収容室10内の圧力を測定する圧力計44と、開度制御信号の値の時間変化量及び圧力計44で測定した測定圧力値の時間変化量が、所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断部47とを具備するようにした。 (もっと読む)


【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができるとともに、効率よく高純度の有機亜鉛化合物を貯蔵し、あるいは搬送・供給することができる方法および供給装置を提供すること。
【解決手段】 有機亜鉛化合物の液体材料を処理対象とし、該液体材料が周期表第4族の金属または金属化合物と接液することによって、該液体材料中での不純物の発生を抑制することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができる有機亜鉛化合物の処理装置を提供すること。
【解決手段】 液体材料供出部2に繋がる流通管2aの先端部2bが、液体材料の液層内に配設されるとともに、抑制処理部3に近接するように配設され、処理槽10内において液体材料と抑制処理部3が接液し、該液体材料中での分解生成物を含む不純物の発生を抑制することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】熱CVD法によって、M(BH(Mは、Zr又はHfを意味する)を原料としてM/Zr比が適正範囲内で良質なMB膜(Mは前記と同じ意味を有し、xは1.8〜2.5の数を意味する)を成膜する。
【解決手段】ガス供給源19から、ガス供給配管15aを介してHガスを原料容器21内に供給する。原料容器21内では、導入されたHガスとの接触によって、固体原料のZr(BHが気化する。そして、成膜ガスとしてのHガスとZr(BHガスの混合ガスが、ガス供給配管15c,15c1、シャワーヘッド11のガス拡散空間12及びガス吐出孔13を介して処理容器1内に導入され、ウエハW上の絶縁膜の表面を覆うように、ZrB膜の薄膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】容器の容量を増やした場合であっても、チャネリングが発生しにくく、有機金属化合物をより長時間安定して供給できる有機金属化合物の供給装置を提供する。
【解決手段】供給装置は、有機金属化合物6を充填するカラム型の2つの容器10A、10Bと、容器10A、10Bの内部をその下端で連絡する連通管5とを有する。容器10Aの上部にはガス導入管2が設けられており、容器10Bの上部にはガス導出管3が設けられている。容器10Aの内部は、ガス導入管2が接続された側から連通管5が接続された側まで、キャリアガスの流れ方向が上下方向となるように順番に連通する複数の空間S1〜S3に区画されている。 (もっと読む)


【課題】液体原料の種類・蒸気圧に応じて基板処理装置への原料ガス供給方式を選択可能なバブラを提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、液体原料をバブリングするためのキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン103に設けられたキャリアガス用MFC106、第1バルブ107及び第2バルブ108と、液体原料を気化して得た原料ガスを処理容器200内に供給する原料ガス供給ライン109に設けられた低差圧MFC112、第4バルブ111及び第5バルブ113と、原料ガス供給ライン109から分岐して前記低差圧MFC112、前記第4バルブ111及び前記第5バルブ113をバイパスするように設けられたバイパスライン115及び第6バルブ116と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 原料の反応性を高め、効率的に酸化亜鉛薄膜を成膜することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも有機原料ガスと酸素源ガスとを含む成膜ガスを、反応容器160の側面に配列されたシャワーヘッド150から個別に供給し、有機金属気相堆積成長法により、反応容器160に載置された基板S上に酸化亜鉛薄膜を成膜する成膜方法において、酸素源ガスとしてオゾンガスを用い、かつ、有機原料の分解を促進する水素ガスを前記成膜ガスに添加するとともに、オゾンガスと水素ガスとを異なるガス導入孔から反応容器内に供給する。 (もっと読む)


【課題】リアクター部への前駆物質の供給、特に有機金属化合物の供給に関係する改良された方法と装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物などの前駆物質を、バブラー1のようなバルク容器から複数のリアクター部12、14、16、18、20へバルク供給するための方法および装置であって、前駆物質を取り込んでガス状混合物を作るためにキャリヤーガス2が前駆物質の容器1に導入される。このガス状混合物は、次に、複数のリアクター部12、14、16、18、20に選択的に供給される。ガス状混合物は貯蔵部9に貯蔵され、必要とされる時に、圧力差または真空により各リアクター部に引き出される。 (もっと読む)


【課題】TiO膜やSrTiO膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成し、第1の高誘電率絶縁膜の結晶性を第2の高誘電率絶縁膜に反映させて、第2の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 (もっと読む)


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