【課題】送出原料ガスに混ざるミストの供給を抑え、パーティクルが発生し難い液体原料気化用の気化器ユニットおよびこれを含むガス輸送路そして半導体処理システムを提供する。
【解決手段】気化器１を原料ガス輸送配管の一部とし、これに接続された加熱装置とともに配管型の気化器ユニット１０を構成する。気化室４は、外側に加熱部材２１ｂを有する配管２１ａの入口側端部に霧化部５を配設することで形成し、気化室４の出口にサイクロン流生成部材３２を配設してサイクロン流を生成することで加熱効率を向上させ残留ミストの発生を防止する。これにより気化器ユニット１０を小型化して反応炉周辺での占有面積を低減し、反応炉から１ｍ以下の近傍において気化器ユニット１０を配置可能とする。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】液体原料を効率的に気化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理する処理室７０と、気化器８２により液体原料を気化して得られた気化ガスを、処理室７０内に供給する第１のガス供給管８０ａ、第１のキャリアガス供給管１００ａ及び第１のガス供給ノズル９６ａと、処理室７０内の雰囲気を排気する真空ポンプ１１４と、を有し、気化器８２は、液体原料を導入して当該液体原料を気化する気化室を少なくとも２以上備える。 （もっと読む）

【課題】成膜工程において、膜質を低下させることなく、プロセスガスの廃棄率を低減させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】第１のウェーハＷ上に第１のプロセスガスを供給するための第１のガス供給機構１７と、第１の排ガスを排出するための第１のガス排出機構１８と、を有し、第１のウェーハＷ上に第１の被膜を形成するための第１の反応室１１と、第１の反応室１１と接続され、第１の排ガスより所定のガス成分を抽出し、第２のプロセスガスを生成するガス再生部３１と、第２のウェーハＷ’上に第２のプロセスガスを供給するための第２のガス供給機構２７と、第２の排ガスを排出するための第２のガス排出機構２８と、を有し、第２のウェーハＷ’上に第２の被膜を形成するための第２の反応室２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バルブや継ぎ手などのガス供給系部品が密集状態であっても、むらなく安定した加熱を行うことができ、安定した状態で原料ガスを基板処理装置に供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理を行う基板処理室と、前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口２７１ａと加熱ガス排気口２７１ｂを有する加熱容器２７１と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段２７２とを有する。 （もっと読む）

【課題】液体材料の残留の問題を解消しつつ、液体材料の気化の促進を図ることができる液体気化システムを提供する。
【解決手段】液体気化システム１０には、液体気化装置２０が設けられている。本装置２０は、ポンプ１１と、気化器１２とを備えている。気化器１２は、ケース２１と、ケース２１の内部に設けられたヒータと、ヒータにより加熱される蓄熱板２３と、蓄熱板２３上に設けられたメッシュ２４とを備えている。メッシュ２４は、線材２４ａが編み込まれることにより形成され、全体としては平板状をなしている。蓄熱板２３の上面にメッシュ２４が重ねられることで蓄熱板２３上にはメッシュ２４により微細な凹凸が設けられている。メッシュ２４の上方にはノズル２７が設けられ、ノズル２７から液体材料が蓄熱板２３（メッシュ２４）上に滴下される。液体材料は蓄熱板２３上を薄膜状に拡がり蓄熱板２３の上面で加熱され気化される。 （もっと読む）

固体前駆体送出組立体（２００）は、概して、上部および下部を有する容器（２０２）と、入口チャンバ（２３８）、出口チャンバ（２４４）、ならびに第１の前駆体チャンバおよび第２の前駆体チャンバ（２４０、２４２）を含む容器内に画定される複数のチャンバを備える。第１の前駆体チャンバおよび第２の前駆体チャンバは、容器内に前駆体物質を保持するように構成される。焼結フリット（２４８、２５０、２５２）は、容器の内部部分に固定結合および封止され、容器内の複数のチャンバの少なくとも一部を画定する。焼結フリットのうちの少なくとも１つは、第１の前駆体チャンバ内で前駆体物質を上に保持するように構成され、焼結フリットのうちの少なくとも１つは、第２の前駆体チャンバ内で前駆体物質を上に保持するように構成される。入口（２０６）は、搬送ガスを容器に送出するために容器に結合され、出口（２０８）は、気化した前駆体物質および搬送ガスを容器から取り出すのに用いるために容器に結合される。 （もっと読む）

【課題】低い蒸気圧を有する、高粘度の又は固体の有機金属前駆体のＤＬＩのための、改良された組成物の開発に関して、継続した必要性が未だ存在している。
【解決手段】次の（ａ）及び（ｂ）を含有する配合物：（ａ）一以上の配位子が、β−ジケトナート、β−ケトイミナート、β−ジケトエステラート、β−ジイミナート、アルキル、カルボニル、アルキルカルボニル、シクロペンタジエニル、ピロリル、アルコキシド、アミジナート、イミダゾリル、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属−配位子錯体であって、その金属が元素周期表の２族〜１６族の元素から選択される、少なくとも一つの金属−配位子錯体；及び（ｂ）Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３ＯＲ^４ＮＲ^５Ｒ^６、Ｒ^１ＯＲ^４ＮＲ^５Ｒ^６、Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＲ^１、Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ、Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３ＯＲ^４Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ、Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＲ^１ＯＲ^２Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ及びこれらの混合からなる構造から選択されるアミノエーテルであって、Ｒ^１〜６は、Ｃ_１〜１０直鎖アルキル、Ｃ_１〜１０分岐鎖アルキル、Ｃ_１〜１０環状アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１０芳香族、Ｃ_１〜１０アルキルアミン、Ｃ_１〜１０アルキルアミノアルキル、Ｃ_１〜１０エーテル、Ｃ_４〜Ｃ_１０環状エーテル、Ｃ_４〜Ｃ_１０環状アミノエーテル及びこれらの混合物からなる群より個々に選択されるアミノエーテル。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【課題】効率よく、良質なケイ素含有薄膜に転化できる化学気相成長用原料、及び該化学気相成長用原料を用いて、化学気相成長法により、ケイ素含有薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】トリイソシアネートシラン（ＨＳｉ（ＮＣＯ）₃）を含有してなる化学気相成長用原料。該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法、特にＡＬＤ法により、ケイ素含有薄膜、好ましくは酸化ケイ素薄膜を形成する原料として好適である。 （もっと読む）

【課題】気化器内に付着する残留物を除去し、長期間安定的に気化器を動作させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内２０１に基板を搬入する工程と、液体原料を気化部２２９ｔで気化させた原料ガスを処理室内２０１に供給して基板を処理する工程と、処理済みの基板を処理室２０１内から搬出する工程と、気化部２２９ｔ内をクリーニングする工程と、を有し、気化部２２９ｔは、液体原料を気化させる気化室２０ｔ，ｓと、気化室２０１内に液体原料を噴霧させる噴霧ノズルと、気化室２０１内を加熱する加熱部と、を有しており、気化部２２９ｔ内をクリーニングする工程は、噴霧ノズル内に洗浄用液体を供給して噴霧ノズル内に付着した物質を除去する工程と、気化室２０１内に洗浄用ガスを供給して気化室２０１内に付着した物質を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配管昇温時の無駄なエネルギーを排除し、効率よく昇温させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理容器と、前記処理容器内にガスを供給するガス供給系と、前記処理容器内に排気する排気系と、前記処理容器、前記ガス供給系および前記排気系の接ガス部分を加熱する複数の加熱部と、前記複数の加熱部のうち最も昇温時間の長い加熱部の昇温が完了する時間に昇温が完了するように他の加熱部の昇温開始時間を設定する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】気化器内部の圧力を低く保ち、安定的に大流量の液体原料の気化動作を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔには、圧力損失が小さい、大口径のゲートバルブ方式のメンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４がそれぞれ設けられている。メンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４の設置箇所には、ダイヤフラムバルブのようにバルブ内で流路が狭くなっていたり、バルブ内で流路が屈曲していたりする箇所はなく、実質的にバルブが設けられていない場合の第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔと同等である。 （もっと読む）

【課題】液体原料が気化器へ供給される際の応答性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理する処理室１６と、第１の液体原料の流量を制御するＬＭＦＣ７８ｈと、ＬＭＦＣ７８ｈにより流量制御された液体原料を気化する気化器７６ｈと、気化器７６ｈで液体原料を気化した原料ガスを処理室１６内に供給する原料ガス供給管９０と、ＬＭＦＣ７８ｈにおける液体原料の流量設定値をウエハ１４処理時の第１の流量設定値（ｆ１）に設定する際に、それよりも先行して一旦第１の流量設定値（ｆ１）よりも小さい第２の流量設定値（ｆ２）に設定するようにＬＭＦＣ７８ｈを制御するコントローラ１５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】液体流量制御装置の初期調整の際に不具合が発覚した場合の作業を軽減すると共に、液体原料が残留したことによる汚染を防止できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室と、該処理室に常温常圧で液体である液体原料を供給する液体原料供給系５９と、前記処理室に液体原料よりも蒸気圧が高い溶媒を供給する溶媒供給系６１と、前記液体原料及び前記溶媒の流量を制御する液体流量制御装置３５と、前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する制御部５７とを具備し、該制御部は前記液体原料供給系が前記液体流量制御装置を介して前記処理室に液体原料を供給する前に、前記溶媒供給系より溶媒を前記液体流量制御装置に供給することで該液体流量制御装置の動作確認を行う様前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する。 （もっと読む）

【課題】供給安定性のある固体原料ガス加熱気化装置を用いる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理室と、固体原料容器５０１と、該容器内の固体原料５０２を加熱昇華させる第１の加熱部５１１と昇華原料ガスを固化保持する原料保持板５１０と、前記原料保持板を加熱する第２の加熱部５１２と、前記固体原料容器５０１に接続された第１のバルブ５０５と第２のバルブ５０６と、５０５、５０６を加熱する第３の加熱部５１３とを備え、前記基板処理室に原料ガス及びキャリアガス５０８を供給する前に、前記５１３を前記５１１よりも高い温度で加熱し、前記５１２を前記５１１よりも低い温度で加熱することにより、前記固体原料５０２を加熱して昇華させつつ昇華した原料ガスを前記原料保持部５１０に固化して堆積させ、その後、前記基板処理室に原料ガス及びキャリアガス５０８を供給する際には、前記５１２の温度を、前記５１１と同じ温度とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子や平板ディスプレイを製造するための薄膜蒸着工程において、蒸着工程毎に所定の均一な量の蒸着ガスが供給できるようにする蒸着ガス供給装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る蒸着ガス供給装置（１００）は、蒸着物質が貯蔵される蒸着物質貯蔵部（２００）と、蒸着物質を加熱して蒸着ガスを発生させる蒸着物質蒸発部（３００）と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給部（４００）とを備える蒸着ガス供給装置（１００）であって、蒸着物質貯蔵部（２００）と蒸着物質蒸発部（３００）との間に配置される蒸着物質供給部（５００）をさらに備え、蒸着物質供給部５００は、蒸着工程毎に蒸着物質蒸発部３００に所定の一定量の蒸着物質を供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する際に、第３の金属酸化膜の膜厚方向における組成の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内２０２で、基板２００に対し、第１の金属元素を含む第１の金属酸化膜を形成する工程と、第２の金属元素を含む第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に複数回繰り返すことで、基板上に前記第１の金属元素および前記第２の金属元素を含む所定組成の第３の金属酸化膜を形成する工程を有し、第３の金属酸化膜を構成する第１の金属元素および第２の金属元素のうち組成比の大きい方の金属元素を含む金属酸化膜をＣＶＤモードもしくはＡＬＤ飽和モードにて形成し、組成比の小さい方の金属元素を含む金属酸化膜をＡＬＤ非飽和モードにて形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマによって生成される活性種量を増大することができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】処理容器２０３と、処理容器２０３内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａ、２３２ｂと、処理容器２０３から余剰の処理ガスを排出するガス排出部２４６と、処理容器２０３内にて複数の基板２００を積層した状態で載置する基板載置部材２１７と、処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極３０１とを有し、電極３０１は、平行に配置された２本の細長い直線部３０２、３０３と、直線部３０２、３０３のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部３０４と、を備え、直線部３０２、３０３が基板２００の側方に、基板２００の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される。 （もっと読む）

【課題】 インターロックが発生した場合に、不具合箇所の特定に要する時間が不要となり、メンテナンス性を向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 配管ヒータによる配管の過熱により、配管の温度が過温度に到達した場合、前記配管ヒータへの電源供給を遮断する複数の過温度防止スイッチを備えた半導体製造装置において、前記複数の過温度防止スイッチが前記電源供給を遮断すべく作動した場合に、前記複数の過温度防止スイッチのうちのどの過温度防止スイッチが遮断したかを表示するようにした。 （もっと読む）