【課題】改良されたガス輸送装置を提供する。
【解決手段】ガス供給源を含むベッセル、始端と、使用のポイントへのガスの輸送に適合した終端とを有するピグテール導管、第一端と、ボディーセクションと、第二端とを有するサージチャンバーであって、前記第一端は前記ピグテール導管の始端と連絡されており、前記サージチャンバーの前記ボディーセクションは前記ピグテール導管の断面よりも大きい断面を有し、第二端は前記ガス供給源を含む前記ベッセルと連絡されている、サージチャンバー、前記ピグテール導管内で、前記終端からガス供給源を含むベッセルに向かう方向へのパージガスの輸送のためのパージガス供給源であって、前記パージガスでの前記ピグテールの加圧の交互サイクルの間に用いられるパージガス供給源、及び、前記ピグテール内に保持された不純物ガスの除去を可能にする、前記ピグテール導管内の脱圧源を含む、ガスを輸送するための装置。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化不足による材料供給に起因するパーティクルの発生を低減し、気化器内のパーティクルやノズルの詰りの発生を抑制する事で当該詰りを原因とする装置稼働率の低下を防止する。
【解決手段】基板を収容する処理室２０３と、液体原料を収容する液体原料収容部３００と、前記液体原料を気化する気化機構３０４と、前記気化機構と前記処理室を接続する液体原料ガス供給配管２５０ｈ，２５０ｊと、前記液体原料収容部と前記気化機構を接続する液体原料供給配管２５０ｅ，２５０ｆ，２５０ｇと、前記液体原料供給配管に設けられ、前記液体原料を加熱しつつ収容する予備加熱部３０２とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜組成の制御が容易、かつ、薄膜化が可能なゲート絶縁膜を有した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、トランジスタが形成される半導体基体１上に、ゲート絶縁膜となる酸化マンガン膜１２を形成する工程と、前記酸化マンガン膜１２上に、ゲート電極となる導電体膜１３を形成する工程と、前記導電体膜１３及び前記酸化マンガン膜１２を加工し、ゲート電極１３及びゲート絶縁膜１２を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスを効率良く冷却することができ、ガス通路５出口付近での材料目詰り発生防止効果を向上し得て、メンテナンス時期の長期化並びに稼動効率の向上に貢献することができ、しかも、より一層均一な分散効果を奏することができる気化器を提供する。
【解決手段】分散器２に形成されたキャリアガス導入穴に挿入されてその内壁との協働によりガス通路５を形成するセンターロッド３５と、分散器２のキャリアガス導入穴の外周側に配置されてガス通路５内を冷却する冷却部と、前記センターロッドの軸線方向に沿い且つ前記センターロッドの略全長に跨って形成された冷却部材挿入穴と、該冷却部材挿入穴内に配置されて前記センターロッドを冷却する冷却部材と、を備えていることを特徴とする気化器。 （もっと読む）

【課題】 液体材料の流量調整用バルブの開閉頻度を低減し、気化器で気化させた原料ガスを高精度に流量制御可能で、該バルブの寿命を延命することができる、液体材料の気化供給システムを提供する。
【解決手段】 加圧供給される液体材料を受け入れて気化させるための気化器４と、気化器４からの流出ガスの流量を調整する流量制御装置５と、気化器４から流量制御装置５に供給されるガスの圧力を検出する圧力検出器６と、気化器４への液体材料の供給を制御する制御弁７と、気化器４内のガス圧が低下して圧力検出器６の検出値が予め設定された閾値以下となったときに制御弁７を開き、制御弁７の開操作によって気化器４内のガス圧が上昇し圧力検出器６の検出値が前記閾値を超えた後の所定の遅延時間経過後に制御弁７を閉じるように制御する制御装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速で再現性のある、均一性が高く、かつ高速な半導体又は液晶ディスプレイの製造を可能とする装置を提供する。
【解決手段】設定流量より任意の過剰のガスを任意の時間供給することが可能である装置内の圧力及び複数のガス分圧の制御システムを装置の上流に備え、制御システムと装置の下流に備えられた開度可変型流体制御バルブもしくは排気速度可変型真空排気装置とを連動させる事により装置内の圧力及び複数のガス分圧を一定に保つ事が可能なフィードフォワード方式の製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 キャリアガス中の原料ガスの濃度を安定化させ、原料の巻き上げや飛散による影響を抑制する。
【解決手段】 容器内に収容された常温常圧下において固体である原料を固体から液体に変化させる工程と、液体に変化させた前記原料を固体に戻す工程と、固体に戻した前記原料を昇華させて前記容器内で原料ガスを生じさせる工程と、前記容器内で生じさせた前記原料ガスを基板に対して供給し、基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】原子層成長において、所望とする供給比で複数の原料ガスが供給できるようにする。
【解決手段】原料ガスＡ供給部１０５は、原料Ａ気化器１５１，バッファタンクＡ１５２，充填弁Ａ１５３，供給弁Ａ１５４，および圧力計Ａ１５５を備える。また、原料ガスＢ供給部１０６は、原料Ｂ気化器１６１，バッファタンクＢ１６２，充填弁Ｂ１６３，供給弁Ｂ１６４，および圧力計Ｂ１６５を備える。制御部１０９は、圧力計Ａ１５５により計測されたバッファタンクＡ１５２内の圧力値をもとに、充填弁Ａ１５３の開度を制御する。また、制御部１０９は、圧力計Ｂ１６５により計測されたバッファタンクＢ１６２内の圧力値をもとに、充填弁Ｂ１６３の開度を制御する。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に複数種類の反応物質を複数回供給することにより基板を処理する工程を有し、複数種類の反応物質のうち少なくともいずれか一つは、液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒を連続的に流すと共に、気化部に液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流すフラッシング動作を行う。 （もっと読む）

ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤ法などの薄膜堆積プロセスに使用される前駆体材料を保持するための前駆体ソース容器を記載する。特に、該容器は、液体前駆体又は溶解前駆体溶液及び濯ぎ溶媒の両方を別個のチャンバに保持し、総体的なスペース要件を削減している。一態様において、シリンダー内シリンダーの配置が、二つの別個のチャンバ、すなわち一つは前駆体溶液用、もう一つは濯ぎ溶媒用のチャンバを提供している。 （もっと読む）

【課題】パージ・システムを有する化学物質デリバリー・システムを提供する。
【解決手段】中レベル真空源、ハード真空源および／または液体フラッシュ・システム（５０６）の種々の組合せを用いるパージ技術を用いた化学物質デリバリー・システム（５００）。また、化学物質デリバリー・システムを加熱するヒータ・システムを備え得る化学物質デリバリー・システムも開示される。 （もっと読む）

【課題】気化器を有する成膜装置を再稼働するときに、気化器が目詰まりすることを抑制する。
【解決手段】この成膜装置の再稼働方法は、成膜材料となる液体原料を気化させる気化器と、気化器で気化された液体原料が供給される成膜室を有する成膜装置の再稼働方法であって、停止時洗浄工程、停止工程、及び再稼働時洗浄工程を有する。停止時洗浄工程は、成膜装置を停止させるときに気化器の内部を洗浄剤で洗浄する工程である。停止工程は、成膜装置を停止した状態で保持する工程である。再稼働時洗浄工程は、成膜装置を再稼働させるときに、気化器の内部を洗浄剤で洗浄する工程である。 （もっと読む）

【課題】固体および／または液体ケミカルソースを効率的に蒸発させる蒸発器システム及び方法を提供する。
【解決手段】可蒸発ソース材料を保持するための複数の垂直に積重された容器２２を備え、半導体製造プロセスで用いるための蒸発器配送システム。垂直に積重された容器２２のそれぞれが、各積重された容器２２の内部へ延伸する複数の孔付き突出部３０を備え、それによって、近接し垂直に積重された容器間に、キャリヤガスが通過するための通路。 （もっと読む）

【課題】 材料ガスの分圧が変動したとしても、混合ガスにおける材料ガスの濃度を一定に保つことができ、応答性の良い材料ガス濃度制御システムを提供する
【解決手段】 材料Ｌを収容するタンク１３と、収容された材料Ｌを気化させるキャリアガスを前記タンク１３に導入する導入管１１と、前記タンク１３から気化した材料ガス及び前記キャリアガスの混合ガスを導出する導出管１２とを具備した材料気化システム１に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられた第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された材料ガスの測定濃度が、予め定めた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣとを具備した。 （もっと読む）

【課題】 材液量計などの検出器を用いることなく、タンク内の材料が減少していることを推定し、新しく設定された設定濃度に安定するまでにかかる時間が長くなるという不具合を防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】 導出管１２上に設けられた第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部２１と、前記タンク内の圧力を測定する圧力測定部２２と、前記濃度測定部２２で測定された材料ガスの測定濃度が、予め定めた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記材料液の貯留量を推定する材料液量推定部２４５とを具備し、前記濃度制御部ＣＣが、予め定めた設定圧力を、前記測定濃度と設定濃度との偏差が小さくなる向きに変更する設定圧力設定部２４３と、前記圧力測定部２２で測定された測定圧力が前記設定圧力となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する第１バルブ制御部２４２とを具備した。 （もっと読む）

【課題】 タンク内の材料液が減少した場合や濃度測定部の応答速度が遅い場合などにおいて、設定濃度を変更したとしても、短時間で測定濃度を設定濃度に安定させることができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】
濃度制御部ＣＣが、前記温度測定部Ｔで測定された測定温度に基づいて、材料ガスが前記設定濃度となるためのタンク内圧力を算出する全圧算出部２４４と、前記設定濃度が変更された後の一定期間においては、設定圧力を前記全圧算出部２４４で算出されたタンク内圧力とする一方、その他の期間においては、設定圧力を前記測定濃度と設定濃度との偏差が小さくなる向きに変更する設定圧力設定部２４３と、前記圧力測定部２２で測定された測定圧力が前記設定圧力となるように第１バルブ２３の開度を制御する第１バルブ制御部２４２とを具備した。 （もっと読む）

【課題】 材料ガスの分圧が変動したとしても、混合ガスにおける材料ガスの濃度を一定に保つことができ、応答性が良く、バブリングシステムに容易に取り付けて濃度制御を行うことができる材料ガス濃度制御装置を提供する
【解決手段】 材料Ｌを収容するタンク１３と、収容された材料を気化させるキャリアガスを前記タンクに導入する導入管１１と、材料が気化した材料ガス及び前記キャリアガスの混合ガスを前記タンク１３から導出する導出管１２とを具備した材料気化システム１に用いられるものであって、前記導出管１２に接続され、前記混合ガスを流すための内部流路Ｂ１を有した基体Ｂと、前記内部流路Ｂ１を流れる混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記内部流路Ｂ１において前記濃度測定部ＣＳよりも下流に設けられ、前記濃度測定部ＣＳによって測定された測定濃度を調節する第１バルブ２３とを具備しており、前記濃度測定部ＣＳと前記第１バルブ２３は前記基体Ｂに取り付けた。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施す反応管と、反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、複数のノズルとは別に設けられ、反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、ノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルのうち選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給すると共に、反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくともクリーニング用ノズルより反応管内にクリーニングガスを供給するように制御するコントローラと、を有する。 （もっと読む）