廃棄流出物から熱を回収する方法及び装置を本明細書に開示する。一部の実施形態では、装置は、気体又は液体処理のために構成された第１の処理チャンバと、液体処理のために構成された第２の処理チャンバと、コンプレッサ及び第１の熱交換器を有するヒートポンプとを含むことができ、コンプレッサは、第１の処理チャンバから排出された第１の廃棄物を使用するように構成され、第１の熱交換器は、熱をその間で伝達するように構成された第１及び第２の側面を有し、第１の側面は、それを通過して液体反応剤を第２の処理チャンバ内に流すように構成され、第２の側面は、それを通過して第１の処理チャンバからの加圧された第１の廃棄物を流すように構成される。一部の実施形態では、液体反応剤を第２の処理チャンバに入る前に更に加熱するために、加熱器をヒートポンプと第２の処理チャンバの間に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】液体原料の吐出口が付着物によって閉塞することを防止する。
【解決手段】ノズル３２０の吐出口３２２から吐出された液体原料を加熱された気化室３６０内で気化させて原料ガスを生成する気化器３００であって，ノズルの先端部３２３と気化室との間に吐出口の周囲を覆うように設けられた筒状の被加熱部材３４０と，吐出口の近傍からキャリアガスを噴出するキャリアガス噴出口３２６と，吐出口から吐出された液体原料をキャリアガスと混合させて気化室へ噴出させる混合室３４４と，気化室をその外側から加熱する第１加熱部（ヒータ３９２，３９４）と，被加熱部材をその外側から加熱する第２加熱部（ヒータ３４２）とを設けた。 （もっと読む）

【課題】容易に真空容器内を開放してメンテナンスを行うことができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の天井部及び側壁部を構成する容器本体と、この容器本体に対して着脱自在に設けられ、基板を載置する載置台を備えた真空容器の底板部と、前記真空容器の天井部に設けられ、前記載置台に載置された基板に前記処理ガスを供給するガス供給機構と、真空処理装置が設置される床面に前記容器本体を支持する支持体と、前記底板部を、容器本体に装着される上位置と、容器本体の下方側の下位置との間で昇降させる昇降部と、この昇降部を搭載し、前記床面に沿って移動可能な移動体と、を備えるように真空処理装置を構成し、天井部の真空容器からの取り外しによって必要になる管路の処理ガス及び液体原料の除去作業の手間を無くしてメンテナンスを容易にする。 （もっと読む）

【課題】金属を含む原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行ってスループットを向上させることが可能な処理ガス供給系を提供する。
【解決手段】金属を含む原料ガスを用いて被処理体Ｗに成膜処理を施すための処理容器１４に向けて原料ガスを供給するための原料ガス供給手段７０を有する処理ガス供給系５６において、原料ガス供給手段７０は、処理容器１４に向けて原料ガスを流すための原料ガス通路８８と、原料ガス通路の途中に設けられてピストン運動によって原料ガスを昇圧する昇圧器９０と、昇圧器９０よりも下流側に設けられた供給用開閉弁９２とを備える。これにより、原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
気化ガスに混ざるミストの供給を抑えしかつ気化効率が高く、パーティクルが発生し難い気化器ユニットおよび半導体処理システムを提供することにある。
【解決手段】
この発明は、気化器にクランク状の通路を持つ加熱されたガス輸送管を接続することで、未気化ミストを管路曲折部において曲折先の管路の内壁面に当ててかつ接線接続（サイクロン流結合）により輸送ガスをサイクロン化して気化させ、管路をクランク状にすることでトラップ構造を持つ輸送管として輸送管にフィルタ機能と補助気化機能を持たせるものである。 （もっと読む）

【課題】反応管の経路を長く確保することができるうえ、その内部を通過する際に発生す
る遠心力により原料溶液を分散したキャリアガスが通過方向と交差する方向に攪拌される
ことにより満遍なくヒータからの輻射熱による気化を促進することができる気化方法を提供
する。
【解決手段】螺旋状の反応管１０３に液体若しくは粉体からなる原料溶液を分散したキャ
リアガスが上流側から供給され、反応管１０３内を通過する原料溶液を分散したキャリア
ガスがヒータ１０４の輻射熱により気化される。 （もっと読む）

【課題】気化器のコンダクタンスを従来以上に向上させながら，ミストトラップ部の加熱効率を従来以上に高めることができる。
【解決手段】液体原料を液滴状にして吐出する液体原料吐出部３００Ａと，その液滴を気化させて原料ガスを生成する気化室３６０と，生成された原料ガスを送出口３７８から外部に送出する原料ガス送出配管３８２と，これを塞ぐように設けたミストトラップ部３９０とを有する原料ガス生成部３００Ｂと，気化室とミストトラップ部を外側から加熱する第１加熱部（ヒータ３９２，３９４）と，加熱用ガス供給配管１３２に設けられた第２加熱部（ヒータ４３０）とを備え，第２加熱部で加熱された加熱用ガスをミストトラップ部の表面に直接接触させるように構成した。 （もっと読む）

【課題】流体前駆物質をバーポライサに送出し、前駆物質を効率的に気化し、気化前駆物質を基板の表面に送出し、チャンバ内の上昇温度を維持しながら装置を排気し、パスウエイ（通路）に沿って前駆物質の不要な凝固または分解を阻止し、装置中の温度傾斜を回避する。
【解決手段】本発明は流体前駆物質の気化およびフィルムを適当な基板上に堆積する装置および方法に関する。特に、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化チタン（ＢＳＴ）フィルムのような金属酸化物フィルムをシリコン・ウエハ上に堆積して、高容量ダイナミック・メモリ・モジュールに有用な集積回路コンデンサを製作する装置および方法を企図している。 （もっと読む）

【課題】気化器やマスフローメータ等の高価な設備を用いず、無駄になる液体の量を少なくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】制御機構４０は、原料貯留容器２０を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止して原料貯留容器２０を密閉状態とし、原料貯留容器２０内の真空圧により、原料貯留容器２０内を液体原料が気化して形成された処理ガスの雰囲気とし、チャンバ２内に被処理基板Ｗを収容させた状態で、チャンバ２を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止してチャンバ２内を密閉状態とし、次いで開閉バルブ２３を開成し、原料貯留容器２０から処理ガスをチャンバ２に流入させ、チャンバ２内が真空圧よりも高く、液体原料の蒸気圧よりも低い処理圧になった時点で開閉バルブ２３を閉成し、処理圧の処理ガス雰囲気とするように制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は被処理体が載置される載置部材に酸化物が堆積しても、ある程度の量となるまで問題を生じることなく使用できる成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 載置台１２ａのカバープレート６２上にウェハＷを載置する。カバープレート６２はウェハＷが載置されたときにウェハＷの外周に沿って延在する環状の溝よりなる凹部６２ａを有する。凹部６２ａの内周は載置領域の外周と同じ、又は外周より小さい。また、カバープレート６２の載置領域の外側部分を覆うガイドリング６４が設けられ、ガイドリング６４の内周は、カバープレート６２の凹部６２ａの外周と同じか、外周より小さい。 （もっと読む）

【課題】液体原料の吐出口が付着物によって閉塞することを防止する。
【解決手段】液体原料を気化室３６０に向けて吐出し，気化室にて気化させて原料ガスを生成する液体原料気化器であって，液溜室３１０に貯留される液体原料を気化室に向けて吐出させる細孔３１６と，細孔の液溜室側の液入口３１２を開閉する弁体３３４と，この弁体を駆動するアクチュエータ３３０と，細孔に遊挿された突出棒３４０とを備え，突出棒は，その基端部を弁体に取り付けることにより，弁体の動作に連動して突出棒の先端部３４４が細孔の気化室側の吐出口から突没するように構成した。 （もっと読む）

【課題】休止の長期化や配管汚染の危惧を防止しつつ液体原料を補給可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体原料８０を供給するためのタンク８１と、液体原料８０を気化させる気化器８３とを具備し、気化器８３が液体原料８０を気化させた気化ガスを処理室内に供給しウエハ上に成膜する基板処理装置において、タンク８１に、液体原料８０を補給するための補給容器９１と、タンク８１内を減圧する排気管９３とを接続し、補給容器９１内の圧力をタンク８１内の圧力よりも高くすることにより、液体原料８０を補給容器９１内からタンク８１内へ補給する。補給容器９１には洗浄液９５を貯蔵した洗浄液容器９６を接続する。交換作業は補給容器９１について実施すれば済むため、基板処理装置の休止の長期化や配管汚染の危惧を防止しつつ、液体原料を補給することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板面内及び基板間における基板処理の均一性を向上させる。
【解決手段】 複数枚の基板を水平姿勢で積層した状態で保持する基板保持具と、基板保持具が収容されるインナチューブと、インナチューブを取り囲むアウタチューブと、インナチューブ内に配設されたガスノズルと、ガスノズルに開設されたガス噴出口と、ガスノズルを介してインナチューブ内に原料ガスを供給する原料ガス供給ユニットと、インナチューブの側壁に開設されたガス排気口と、アウタチューブとインナチューブとに挟まれる空間を排気してガス噴出口からガス排気口へと向かうガス流をインナチューブ内に生成する排気ユニットと、基板保持具における基板が積層される領域より下方側の領域の外周を囲うガス侵入抑制筒と、を備える。 （もっと読む）

【課題】例えば銅などの高融点材料を含む原料粉体を加熱して得られる気体を用いてウェハにこの銅膜を成膜するにあたって、原料粉体中の化合物中に含まれる有機物などの不純物が銅膜に取り込まれることを抑えると共に、簡便に固体状の原料粉体から気体が得られるようにして原料粉体のコストを抑えること。
【解決手段】固体状の原料粉体を貯留する原料貯留部から粉体導入路を介してキャリアガスと共にこの原料粉体を処理容器へと供給し、この粉体導入路に介設された粉体気化部において原料粉体をプラズマ化して気体状の原料を得る。 （もっと読む）

【課題】基板上に酸化ガスを供給して酸化膜を形成する際に、処理時間を短縮し、面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に残留する原料ガスおよび原料ガスの中間体を除去する原料ガス除去工程と、処理室内の雰囲気の排気を実質的に止めた状態で、処理室内にオゾンを供給するオゾン供給工程と、処理室内に残留するオゾンおよびオゾンの中間体を除去するオゾン除去工程と、を複数回繰り返して原料ガスとオゾンとを互いに混合しないよう交互に供給し、基板の表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 気化器の噴霧ノズル閉塞、および噴霧ノズル表面への原料の析出を抑制し、気化効率を上げる。
【解決手段】 気化器は、液体原料を気化する気化室と、気化室内を加熱するヒータと、液体原料とキャリアガスとを混合させる混合部と、混合部でキャリアガスと混合させた液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズルと、噴霧ノズルと混合部とを冷却する冷却部材と、噴霧ノズルの先端部分の表面の一部を気化室から隔離するように覆うと共に、噴霧ノズルの先端部分の周辺にパージガスを流通させる流路を形成するカバーと、を有し、噴霧ノズルの先端部分の中央最先端部には突起部が設けられ、この突起部の先端面には噴霧口が形成され、カバーの突起部の先端面に対応する部分は開放されており、突起部の側面はカバーにより覆われており、突起部の側面とカバーとの間の隙間に、噴霧ノズルの先端部分の周辺に流通させたパージガスを気化室内に吐出する吐出口が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 気化器を分解することなく気化器内部における残留物の蓄積具合を把握し、気化器内部をメンテナンスすべきタイミングを事前に把握する。
【解決手段】 基板が収容される処理室と、気化空間を有し気化空間内に供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化空間内に液体原料を供給する液体原料供給ラインを有する液体原料供給系と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ラインを有する気化ガス供給系と、処理室内の雰囲気を排気する排気系と、気化空間内の圧力を測定する圧力計と、気化空間内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給系と、気化空間内へキャリアガスが供給されている時の圧力計の測定値に基づいて気化器の状態を判断する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料を用いて基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を成膜する成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、ＨｆまたはＺｒを含むアミン系の有機金属化合物からなる成膜原料と、酸化剤とを処理容器内に供給してこれらを反応させることにより基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を形成する成膜方法において、有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。 （もっと読む）

プロセシングチャンバで使用するための装置が提供される。一態様では、環状プレートを含むブロッカプレートが提供され、環状プレートは、第１の厚さの内側部分を有しており、且つ中心部分と、中心部分の周りに同心円状に配置されて第１の数のアパーチャを有する第１の複数のアパーチャを備えた第１のパターン付き部分と、第１のパターン付き部分の周りに同心円状に配置されて、第１の数のアパーチャよりも多い第２の数のアパーチャを有する第２の複数のアパーチャを備えた第２のパターン付き部分と、第２のパターン付き部分の周りに同心円状に配置された外縁部分とを含むアパーチャパターンを有し、更には環状プレートの外縁上に位置する一段高くなった同心円部分を備えた外側部分を含んでいる。別の態様では、第２、第３、及び第４のブロッカプレートが提供される。加えて、プロセシングチャンバで使用するための混合装置及び液体気化装置が提供される。
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【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】常温で液体の材料溶液を霧状にした後気化させ、該気化した材料溶液を基板上に供給する。制御部１６は、材料溶液を気化させる気化器４０９の圧力および温度を検出し、検出した圧力および温度から空間の材料溶液に含まれる溶質の飽和蒸気の飽和率を求め、飽和率が１以下に維持されるように空間の圧力および温度の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）