【課題】固体の粒子を安定的にを昇華させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】常温において固体状態である固体の粒子を気化させる気化器において、前記固体の粒子を供給するための供給部と、前記供給部より供給された前記固体の粒子を気化するための加熱部を有する気化部と、を有し、前記加熱部には傾斜が設けられており、前記固体の粒子は前記傾斜を転がりながら気化することを特徴とする気化器を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 インターロックが発生した場合に、不具合箇所の特定に要する時間が不要となり、メンテナンス性を向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 配管ヒータによる配管の過熱により、配管の温度が過温度に到達した場合、前記配管ヒータへの電源供給を遮断する複数の過温度防止スイッチを備えた半導体製造装置において、前記複数の過温度防止スイッチが前記電源供給を遮断すべく作動した場合に、前記複数の過温度防止スイッチのうちのどの過温度防止スイッチが遮断したかを表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合により均一に成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設置された基板に、気化した複数の物質を化学反応させることにより、前記基板上に前記化学反応により生成された物質からなる膜を形成する成膜装置において、前記チャンバー内には、前記基板に対向して設けられた前記気化した複数の物質を供給するための供給口を有する材料供給器を有し、前記供給口は前記複数の物質の各々に対し、複数設けられていることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】気相中でのキャリアガスに対する前駆体の濃度を維持する方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガス出口ライン２４における気体状混合物中の気化前駆体化合物の濃度を検出し、検出された濃度（ｃ）と参照濃度（ｃ０）とを比較し、濃度差（ｃ−ｃ０）を利用して制御装置２９において信号を発生させ、当該信号によりガス制御バルブ２３を調節し、気化容器内の全圧力を調節し、温度検出手段は前駆体化合物の温度を検出するように配置され、前駆体化合物の温度を検出し、検出された温度（Ｔ）と参照温度（Ｔ０）とを比較して温度差（Ｔ−Ｔ０）を提供し、当該温度差を利用して制御装置２９において信号を発生させ、当該信号がガス制御バルブを調節し、気化容器内の全圧力を調節し、ガス出口ラインにおける気体状混合物中での気化前駆体化合物の実質的に一定の濃度を維持する。 （もっと読む）

【課題】設備負担の少ないガスボックスを提供すること。
【解決手段】ガスボックス３０は、処理装置へガスを供給するガス供給配管２２に設けられたバルブ２４およびマスフローコントローラ２３の少なくとも一方、ならびにそれらをガス供給配管２２に接続する継手２６を収容するボックス本体３１と、ボックス本体３１内に液体を供給し、その中に液体が充填されるようにする液体供給機構３６と、ボックス本体３１内に充填された液体Ｌをガス供給配管２２内の圧力と同等またはそれ以上に加圧する加圧機構３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】実効誘電率を低減させて、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。第二のバリア絶縁膜４は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長において、III族塩化物ガスの供給を迅速にＯＮ／ＯＦＦ制御可能な窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族原料とＨＣｌガスが反応して生成されるIII族塩化物ガスを導入するIII族塩化物ガス導入管７，３３に、真空を利用して弁体２２が作動し、基板へのIII族塩化物ガスの供給のＯＮ／ＯＦＦが切り替わる石英製の弁２０が設けられる。真空管路２６が真空に引かれていないときには、弁体２２は自重で下降し、反応室３へのＧａＣｌガスの供給が遮断される（ａ）。一方、真空管路２６が真空に引かれたときには、弁体２２は真空管路２６に接続された管３２側に吸引されて上昇し、管３１と管３３とが連通接続されて、ＧａＣｌガス導入管７側から管３３を通って反応室３へとＧａＣｌガスの供給が行われるようになる（ｂ）。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第１の圧力まで上昇させ（工程３）、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第２の圧力まで上昇させ（工程４）、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う（工程５）。 （もっと読む）

インライン堆積システムにおいて有機材料層を基板上に形成する方法であって、有機材料は、所定の一定でない堆積レートプロファイルで堆積される。該プロファイルは、所定の第１平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第１単分子層を堆積するために用意した所定の第１堆積レート範囲と、所定の第２平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第２単分子層を堆積するために用意した所定の第２堆積レート範囲とを含む。インジェクタの開口を経由した有機材料の注入は、所定の堆積レートプロファイルを実現するために制御される。
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【課題】原料容器内のガスあるいは原料容器内の液体原料を気化したガスにより処理容器内の基板に対して成膜処理を行い、成膜処理の回数が予め設定した回数に達したときにクリーニングガスにより処理容器内をクリーニング処理するガス処理装置において、原料容器の交換による当該ガス処理装置の処理効率の低下を防ぐこと。
【解決手段】クリーニング処理を終了した後、次のクリーニング処理に至るまでのガスの予測消費量を、使用する処理レシピと成膜処理の回数とに基づいてガスの種類毎に算出する手段と、前記残量とガスの予測消費量とに基づいて次のクリーニング処理時に至るまでに原料容器が空になるか否かを判断する手段と、原料容器が空になると判断されたときにはアラームを発生する手段と、を備えている。従って、このアラームに基づいて原料容器が空になるタイミングを知ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板が積層されていない領域への処理ガスの流入を抑制し、基板が積層されている領域への処理ガスの供給を促進させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を収納して処理する処理室４と、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂと、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄと、処理室内を排気する排気ライン７ａと、を有し、一対の不活性ガス供給ノズルは、基板が積層されている領域に対向する位置及び前記基板が積層されていない領域に対向する位置に各１箇所以上の不活性ガス噴出口２４ｃ，３１ｃ，３１ｄ，３２ｃ，３２ｄをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に高品質なＳｂ系結晶を成長させた半導体素子を提供することを可能にする。
【解決手段】本発明の一態様による半導体素子は、Ｓｉ基板１１上に設けられ、Ｓｂと、Ｓｂ以外のＶ族元素を含み、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の、第１の層１２と、第１の層上に設けられＳｂを含む第２の層１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】連続運転に伴う液体オゾンガスの蓄積速度の低下及び供給オゾンガスの純度の低下（不純物濃度の上昇）を防止する。
【解決手段】オゾン供給装置１はオゾン含有ガスが供されると共に液体オゾンを貯留するベッセル１０とこのベッセル１０内で赤外光領域の光を照射する光源１１とを備える。光源１１は発光の出力を調整して前記ベッセル内の圧力を調節することよりオゾンの気化量を制御する。ベッセル１０内には前記オゾン含有ガスが供される区画と前記液体オゾンが貯留される区画に区分すると共に前記光源の光の照射を受けてオゾンより蒸気圧を有する不純物をトラップする隔壁ブロックを備えるとよい。前記液体オゾンが貯留される区画には紫外線領域の光を照射する光源を備えるとよい。また、前記紫外光線領域の光が照射された区画内の照度を検出する照度検出手段を備えるとよい。 （もっと読む）

【課題】 量子ドットの寸法と分布密度とを独立に制御することができ、かつ粒界に起因するポテンシャル障壁の影響を軽減させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面に、複数の半導体微粒子を供給することにより、表面に半導体微粒子を分布させる。半導体基板の表面に分布した半導体微粒子が変形する温度まで半導体微粒子を加熱する。変形した半導体微粒子を覆うように、半導体基板の上に半導体膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に残留する水分や内壁に付着したガス成分を従来以上に効率よく除去する。
【解決手段】真空雰囲気下で基板に所定の処理を施す処理室（プロセスチャンバ）２００と，処理室内を排気して所定の真空圧力に減圧する排気系２７０と，所定温度以上の過熱水蒸気を発生させる過熱水蒸気発生装置３００と，処理室に設けられた過熱水蒸気導入口２０４から過熱水蒸気発生装置で発生した過熱水蒸気を導入するための過熱水蒸気導入配管３１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的にを昇華させることが可能な気化器を有する成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設置された基板に、気化した第１の物質と気化した第２の物質とを供給し反応させることにより前記基板上に第３の物質の膜を形成する成膜装置において、常温では固体である前記第１の物質を気化させて供給するための気化器を有しており、前記気化器は、前記第１の物質の粒子を供給するための供給部と、前記供給部の下部に設けられた段部を有する傾斜状の加熱部と、を有し、前記第１の物質の粒子は、前記段部を有する傾斜状の加熱部において気化されるものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で第１及び第２の原料ガスを反応させ、基板表面に薄膜を成膜する場合において、第１及び第２の原料ガスを、インジェクタの近傍で均一に混合してから基板に到達させることができ、成膜する薄膜の膜質、膜厚を基板間及び面内で均一に揃えることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器内に第１及び第２の原料ガスを吐出する第１及び第２のインジェクタ１１、１２を備え、第１及び第２のインジェクタ１１、１２は、第１及び第２の原料ガスを基板に向けて吐出する複数の第１の吐出口Ｎ１、Ｎ２が設けられ、第１の吐出口Ｎ１から吐出された第１の原料ガスの流路ＦＬ１が、対応する第２の吐出口Ｎ２から吐出された第２の原料ガスの流路ＦＬ２と略同一であり、第１の原料ガスは、第１の吐出口Ｎ１から吐出された後、基板に到達する前に、第２の原料ガスと混合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 キャリアガス噴出部の流路幅をキャリアガス噴出部全周に渡り均等に構成する。
【解決手段】 液体原料を気化する気化室と、気化室内を加熱するヒータと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズルと、噴霧ノズルの先端部分の表面の一部を覆うと共に、噴霧ノズルの先端部分の周辺から気化室内にキャリアガスを噴出させるキャリアガス噴出部を形成するキャリアガス噴出部形成部材と、を有し、キャリアガス噴出部形成部材には、噴霧ノズルの先端部分が収容される貫通孔が設けられており、その貫通孔の内壁面の複数箇所には噴霧ノズルの先端部分と接触する複数の突起部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】固体原料を昇華して発生させた原料ガスを成膜装置へ供給する場合において、十分な気化量を継続して安定的に供給することができる気化器を提供する。
【解決手段】固体原料ＲＭを加熱して昇華させ、原料ガスＲを発生させる加熱部２と、加熱部２の上方に設けられ、加熱部２に固体原料ＲＭを供給する供給部１と、加熱部２で発生させた原料ガスＲを搬送するキャリアガスＣを導入するガス導入部３と、発生させた原料ガスＲをキャリアガスＣとともに導出するガス導出部４とを有する。ガス導入部３から導入されたキャリアガスＣが、加熱部２を通過する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜全体の誘電率を損なうことなく、不純物濃度の低い高誘電率絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の温度を第１の温度とした状態で、基板に対して原料ガスを供給して基板上に高誘電率絶縁膜を形成する成膜ステップと、基板の温度を前記第１の温度よりも低い第２の温度とした状態で、基板上に形成された前記高誘電率絶縁膜を、酸素ラジカルを含む雰囲気に晒すことにより前記高誘電率絶縁膜を改質する改質ステップと、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返す。このサイクルの繰り返しにより、基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成する。 （もっと読む）