【課題】金属塩化物ガス濃度の安定性の向上と金属塩化物ガスの濃度変化の応答性の向上が図れる金属塩化物ガスの発生装置を提供する。
【解決手段】金属原料Ｍを収容する原料容器１と、原料容器１内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスＧ１を供給する、原料容器１に設けられたガス供給口２と、塩素系含有ガスＧ１に含まれる塩素系ガスと金属原料Ｍとの反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスＧ２を原料容器１外に排出する、原料容器１に設けられたガス排出口２と、原料容器１内の金属原料Ｍの上方の空間Ｓを仕切って、ガス供給口２からガス排出口３へと続くガス流路Ｐを形成する仕切板６とを備え、ガス流路Ｐは、ガス供給口２からガス排出口３へと至る一通りの経路Ｒとなるように形成され、ガス流路Ｐの水平方向の流路幅Ｗが５ｃｍ以下であり、且つガス流路Ｐには屈曲部Ｅを有する金属塩化物ガスの発生装置である。 （もっと読む）

【課題】固体前駆体の蒸気濃度が均一でかつ充分に高い濃度のままである、固体前駆体の蒸気を送達するための改良された送達装置および方法を提供する。
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置１０２にキャリアガスの第１の流れ２０２を移送することを含む。キャリアガスの第１の流れは２０℃以上の温度である。この方法は、送達装置の下流の位置にキャリアガスの第２の流れ２０４を移送することをさらに含む。第１の流れおよび第２の流れは一緒にされて第３の流れ２０６を形成し、この第３の流れにおける固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第１の流れのフロー方向、第２の流れのフロー方向および第３の流れのフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物の膜の堆積のために使用される固体有機金属化合物前駆体を連続して均一に供給するガス送達システムを提供する
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置１０２にキャリアガスの第１の流れ２０２を移送することを含む。キャリアガスの第１の流れ２０２は２０℃以上の温度である。この方法は、送達装置１０２の下流の位置にキャリアガスの第２の流れ２０４を移送することをさらに含む。第１の流れ２０２および第２の流れ２０４は一緒にされて第３の流れ２０６を形成し、この第３の流れ２０６における固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第１の流れ２０２のフロー方向、第２の流れ２０４のフロー方向および第３の流れ２０６のフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの供給側と処理容器側との差圧を小さくすることによりパーティクルの発生を抑制することが可能なガス供給装置である。
【解決手段】原料貯留槽６８内の原料ガスをキャリアガスを用いて処理容器４へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置６０において、原料貯留槽内へキャリアガスを導入するキャリアガス通路７８と、原料貯留槽と処理容器とを連結してキャリアガスと原料ガスを流す原料ガス通路７０と、原料ガス通路に接続されて圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス通路９２と、圧力調整ガスの処理容器への供給を始めると同時にキャリアガスにより原料貯留槽から原料ガスを処理容器内へ供給することを始める第１の工程を開始し、その後、圧力調整ガスの供給を停止する第２の工程を行うように開閉弁を制御する弁制御部１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】混合ガス内の原料濃度を正確に調整し、プロセスチャンバへ安定して供給し、原料の残量管理を容易にする原料の気化供給装置を提供する。
【解決手段】原料４を貯留したソースタンク５と、キャリアガス供給源１からのキャリアガスＧ_１をソースタンク５の内部上方空間５ａへ供給する流路Ｌ_１と、コントロール弁ＣＶ_１の開度調整により内部上方空間５ａの圧力を制御する自動圧力調整装置１５と、原料４より生成した原料蒸気と前記キャリアガスとの混合体である混合ガスＧ_０をプロセスチャンバ１１へ供給する流路Ｌ_２と、コントロール弁ＣＶ_２の開度調整によりプロセスチャンバ１１へ供給する混合ガスＧ_０の流量を自動調整する流量制御装置１９と、流路Ｌ_１及び流路Ｌ_２を設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、内部上方空間５ａを所望の圧力に制御しつつプロセスチャンバ１１へ混合ガスＧ_０を供給する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】珪素水素化物ガスを使用する装置に不純物が混入していない珪素水素化物ガスを確実に供給することができる珪素水素化物ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】珪素水素化物ガス使用装置に供給する珪素水素化物ガス、例えばモノシラン中の酸素含有化合物、例えばジシロキサンの濃度を測定し、測定した酸素含有化合物の濃度があらかじめ設定された濃度を下回ったときに珪素水素化物ガス使用装置への珪素水素化物ガスを開始する。 （もっと読む）

【課題】溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。
【解決手段】ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。不安定な溶質は溶液中で安定化されてもよく、溶液の全量が室温でデリバリされてもよい。溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液は交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で固体原料を補充できる基板処理装置および簡単に固体原料を補充できる固体原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料容器３００と、固体原料容器と処理室２０１との間の配管２３２ｂと、固体原料容器と接続された配管３８０であって、補充用の固体原料を保持する原料補充容器３５０が取り付けられる取付部を備える配管３８０と、配管３８０と真空排気手段２４６との間に接続された配管２５９と、配管３８０に接続され、パージガスを導入するための配管２８４と、配管２５９の途中に接続されたバルブ２６８と、配管２８４の途中に接続されたバルブ２６９と、を備え、原料補充容器から固体原料容器へ固体原料を補充するために原料補充容器が取付部に取り付けられた際に、配管内３８０を真空引きし、その後配管３８０内にパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制することが可能な気化装置を提供する。
【解決手段】液体原料６０をキャリアガスにより気化させて原料ガスを形成する気化装置１２において、気化室９４が形成された気化容器９６と、中央に液体原料を噴射する液体原料用ノズル１２２を有し、液体原料用ノズルの外周に同心状にキャリアガスを噴射するキャリアガス用ノズル１２４を有して原料ガスを形成する噴射ノズル部６４と、噴射ノズル部より液体原料の噴射方向に沿ってその開き角度が鋭角で広がって行き気化室に向けて開放されたガス拡散抑制領域１３０を形成するガス拡散抑制ブロック１００と、原料ガス出口８４とを備える。これにより液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制する。 （もっと読む）

【課題】処理室より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が処理装置のアイドリング時に昇華及び排気されることを防止することができる回収装置を提供する。
【解決手段】気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置３に、前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部５と、前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管５１と、前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管５２と、前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管６１と、前記流入管に設けられた第１弁と、前記流入管を加熱する加熱部７と前記排出管に設けられた第２弁と、前記迂回管に設けられた第３弁とを備える。 （もっと読む）

【課題】
ライン数を抑え簡素な装置構成により界面急峻性の優れた薄膜の形成が可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、反応炉に接続された材料ガス供給ラインと、べントラインと、材料ガス供給ラインに第１バルブを介して接続され且つべントラインに第２バルブを介して接続された配管を有する少なくとも１以上の材料ガス供給源と、材料ガス供給ラインに第３バルブを介して接続され且つべントラインに第４バルブを介して接続された第１流量調整ラインと、材料ガス供給ラインに第５バルブを介して接続され且つべントラインに第６バルブを介して接続された第２流量調整ラインと、第３バルブと第６バルブが開いた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが閉じた状態とし、第３バルブと第６バルブが閉じた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが開いた状態とする制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給し、固体材料の残量を簡便に精度よく検知することができること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料Ｓを処理対象とし、キャリアガスＣの供給部１と、キャリアガスＣの分散手段２と、分散手段２を収容し、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散室３と、固体材料Ｓが充填される充填層４と、充填層４から供出される固体材料ガスＧを合流させる供出室５と、固体材料ガスＧの供出部６と、分散室３と充填層４を仕切る第１メッシュ部７と、充填層４と供出室５を仕切る第２メッシュ部８と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、プロセスガスの温度の差を基板間で低減することにより処理の均一性を改善することができ、基板到達前にプロセスガスが分解するのを抑制することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体；前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の側部に設けられ前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管と、該複数のガス供給管の対向位置からずれて設けられ前記ガスを排気する排気部とを有する当該反応管；及び前記反応管の内部に収容された前記基板を加熱する第１の加熱部であって、該第１の加熱部の下端から上端まで延び、前記複数のガス供給管が通り抜けられるスリットを有し、該スリット以外の内面が前記反応管の側部に面する第１の加熱部；を備える熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】異なる沸点を有する複数の材料から成る液体材料を気化する場合でも残渣の発生を防止して好適に気化可能な液体材料気化装置を提供する。
【解決手段】液体材料ＬＭとキャリアガスＣＧとを混合して気液混合体ＧＬを生成する気液混合部１と、前記気液混合部１からの気液混合体ＧＬを気化しこの気化によって生じたガスを前記キャリアガスＣＧによって外部へ導出する加熱型の気化部２と、前記気液混合部１と前記気化部２とを接続し、内部に前記気液混合体ＧＬの流路を有する接続部３と、前記接続部３を冷却する接続部冷却部４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキが生じるとの課題があった。
【解決手段】液体原料又は固体原料を貯留する液体原料タンク３１５と、液体原料又は固体原料をガス状態にするガス化機構３１５、３１０と、ガス化機構３１５、３１０と処理室２０１との間に設けられたＭＦＣ３１８とを有し、コントローラ２８０は、液体原料又は固体原料をガス状態にして供給する際、ガス化機構３１５、３１０及びＭＦＣ３１８を制御して原料ガスの流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、原料ガスと反応ガスとが供給される成膜容器２０と、原料ガス供給管を介して原料ガスを供給する原料ガス供給部６０と、反応ガスを供給する反応ガス供給部９０と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部５２と、を備え、原料ガス供給部は、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部６２と、原料ガスを生成するために、液体原料を加振する超音波振動部６６と、液体原料貯蔵部に接続され、かつ、原料ガス供給管を通して成膜容器と接続される原料ガス供給バルブと、原料ガス供給バルブから成膜容器までの原料ガス供給管の温度を調節する温度調節部８６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）