【課題】被加熱体の劣化を抑制することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置４０は、内部を真空状態に維持可能であってウエハ１４を処理する処理容器４２と、処理容器４２内であって少なくともウエハ１４の載置領域を囲むように設けられる被加熱体６０と、処理容器４２内壁と被加熱体６０との間であって、被加熱体６０を囲むように設けられる断熱体６６と、被加熱体６０内にガスを供給する第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０と、処理容器４２の外側に設けられ、被加熱体６０を誘導加熱する磁気コイル６２と、被加熱体６０内に設けられ、第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０から供給されたガスと被加熱体６０との接触を抑制する保護壁９４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合によるポリイミドの成膜に適した基板処理装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプにより排気可能なチャンバーとなる外部管と、前記外部管内に設けられており、内部に基板が設置される内部管と、前記内部管内にガスを導入するためのガス供給部と、前記基板、前記外部管、前記内部管を加熱するためのヒーターと、前記外部管と前記内部管との間に設けられたトラップ部と、を有し、前記基板を前記ヒーターにより第１の温度に加熱することにより、前記ガス供給部から供給されたガスが蒸着重合反応し、前記基板表面において前記蒸着重合反応によりに生成された膜が成膜され、前記内部管に設けられた開口部から流入した前記ガスにより、前記トラップ部においても、前記蒸着重合反応により生成された膜が成膜されることを特徴とする基板処理装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内を加熱するとともに圧力を大気圧よりも低くした状態で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して半導体ウエハ１を酸化処理する工程と、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内より搬出する工程とを有し、酸化処理する工程では、水素含有ガスを、複数枚の半導体ウエハ１が垂直方向に積層されて配列される基板配列領域に対応する領域の半導体ウエハ１が配列される方向における複数箇所から供給することで、酸素含有ガスと水素含有ガスとを基板配列領域に対応する領域の複数箇所で反応させて反応種を生成し、酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】大型基板上においても光による均一な処理を行うことの可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板３２を載置する基板載置部３３を備える処理室１３と、処理室の外に設けられ処理室内に光を照射する発光部１１と、処理室内外を隔てる隔壁に設けられ、光を透過させるための複数の透過窓１５と、前記透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられ、透過窓を支持する透過窓支持部１６と、処理用ガスを処理室内へ導入するための、複数のガス導入口２３を有するガス配管２１と、処理室内のガスを処理室外へ排気するガス排気部とを備え、前記複数のガス導入口が、前記透過窓境界部に設けられるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池などの薄型の平板状半導体基板を公知の炉で処理するための改良された方法を提供する。
【解決手段】太陽電池の処理方法は、互いに離隔された集積回路処理用の円形半導体ウェーハ６の配列を受容するために縦型炉１を用意するステップと、太陽電池用基板用６のプロセスチャンバ装填構成１４を構成するステップであって、互いに離隔された複数の太陽電池用基板６から成る配列１６をプロセスチャンバ１０内に収容できるように、処理対象の第１の表面に沿って延在する太陽電池用基板６のサイズが円形半導体ウェーハの対応サイズより小さい、ステップと、上記太陽電池用基板６を上記プロセスチャンバ１０内に装填するステップと、上記太陽電池用基板６を上記プロセスチャンバ１０内で処理にかけるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】液体原料からの気化ガスを使用するＡＬＤ装置への該気化ガスの流量を常に目標値になるようにする。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスを供給することにより液体原料８０を気化させ、該気化ガスを処理室３２内に供給してウエハ１に成膜するＡＬＤ装置において、前記不活性ガスをタンク８１に供給する流量を制御するレギュレータ８７と、タンク８１内部の絶対圧力を監視する圧力センサ８８と、を設け、コントローラ６１により、圧力センサ８８の監視圧力値に基づいて前記不活性ガスの流量をレギュレータ８７によって調整し、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の膜厚の面内均一性を向上させることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを収容した状態で処理ガスを一端から他端に向けて流して所定の処理を行うようにした処理容器構造４２内で前記被処理体を支持する支持体構造において、天板部４８と、底部５０と、前記天板部と前記底部とを連結し、前記被処理体を支持する複数の支持部８８がその長さ方向に沿って形成されると共に前記支持部のピッチは前記処理ガスの流れ方向の上流側よりも下流側が大きくなるように設定された複数の支持支柱６０とを備える。これにより、被処理体の膜厚の面内均一性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に供給したガスの処理室外の間隙への進入を抑制する。
【解決手段】 反応管の内部に設けられ基板を処理する処理室と、反応管の内部に設けられ処理室を囲い基板を加熱する被誘導体と、反応管の内部に設けられ被誘導体を囲う断熱体と、反応管の外部に設けられ少なくとも被誘導体を誘導加熱する誘導体と、処理室内に第１ガスを供給する第１ガス供給部と、被誘導体と断熱体との間に設けられる第１間隙に第２ガスを供給する第２ガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート上に、表面に凹凸が形成された複数の第１の基板（製品ウエハ）を積層保持するとともに第１の基板の上端若しくは下端に第１の基板よりも表面の凹凸が少ない第２の基板（ダミーウエハ）を保持し、処理室内にて第１の基板および第２の基板を処理する際に、第１の基板および第２の基板に向けて処理ガスを供給するとともに、第２の基板に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、ツリー状のガス流路から噴き出されるガスの流速ムラを抑制でき、装置のコンパクト化が可能なエピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、エピタキシャル成長させる基板を載置するサセプタが内部に設置されるチャンバーと、該チャンバー内の前記サセプタ上に載置された基板にガス供給源からのガスを供給するガス供給手段と、前記供給されたガスを前記チャンバー外に排出するガス排出手段とを具備するエピタキシャル成長装置であって、前記ガス供給手段が、少なくとも、下流に向かって複数の流路に分岐していくツリー状のガス流路を具備し、該ツリー状のガス流路の少なくとも一つの外コーナーに、半円状の断面を有するガス溜り部が形成されたものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体のエピタキシャル成長中における、種基板の裏主表面及び側面への窒化物半導体の成長を抑制し、スライス時の基準面を確保することができる窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 種基板となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、前記種基板の裏主表面全体及び側面の少なくとも一部にＳｉＯ_２又はＳｉ_３Ｎ_４からなる被膜を形成する工程と、前記種基板の表主表面上に、前記種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、前記エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板の前記被膜上に析出した堆積物及び前記被膜を除去する工程と、前記エピタキシャル成長基板を、前記被膜を除去した主表面を基準面として、平行にスライスして２分割する工程とを含み、１枚の種基板から２枚の窒化物半導体自立基板を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜室内の部材へのダメージを抑制しつつ、クリーニング速度の均一性を向上させることのできるプラズマＣＶＤ装置の提供。
【解決手段】不活性ガスを含む第１のクリーニングガスを成膜室６の外部でプラズマ励起させて第１供給口９から成膜室内に供給する第１供給手段１，２と、フッ素を含むガスが含まれる第２のクリーニングガスをプラズマ励起させずに第２供給口１１から成膜室内に供給する第２供給手段３と、を備え、第１供給口と第２供給口とが成膜室６内の異なる位置に形成されているプラズマＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】処理室内の雰囲気を排気する真空ポンプが動作する際に、排気管内に存在する大気が、処理室内に拡散や逆流することを抑制し、処理室内を汚染することを抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給管と、処理室内から処理ガスを排気する排気管と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、前記排気管には、処理ガスの排気される方向において、上流側より順に、開閉弁と、排気管内の圧力を検出する圧力計と、処理室内の雰囲気を排気する排気装置とが設けられ、前記制御部は、前記圧力計の検出値が所定の閾値以下であり、かつ、排気装置が動作中である場合に、前記開閉弁を開放可能とするよう制御する。 （もっと読む）

【課題】基板処理面と基板周縁部との流速差の増大を抑制し、成膜処理の均一性を向上させ、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】基板２００を保持する基板保持具１８と、前記基板及び基板保持具を収納する反応管２０５と、前記基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給系２３３ａ，２３３ｂ，２４０ａ，２４０ｂと、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系２３１とを有し、前記基板保持具は複数の支柱１１３と、該支柱に設けられ、前記基板を載置する円環状の部材であって、円環の一部に欠切部が形成された整流部材とを備え、該整流部材の外周と前記反応管の内壁面との間の距離が、前記支柱と前記反応管の内壁面との距離より短い。 （もっと読む）

【課題】成膜対象のシリコン基板の表面上に自然酸化膜が形成されている場合であっても、基板上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する際の成長遅れ時間を短縮させ、基板処理の生産性を向上させる。
【解決手段】反応室２０１内に基板２００を搬入する搬入工程と、前記反応室内にシリコン含有ガスのみを供給し前記基板上にシード層を形成する第１の成膜工程と、引き続き、前記反応室内にシリコン含有ガスとホウ素含有ガスとを供給し前記シード層上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する第２の成膜工程と、前記反応室内から前記基板を搬出する搬出工程と、を有する基板処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極４と、第１の電極４に対向し、基板１０を保持できる第２の電極３と、処理室２内から排気を行なう排気手段６と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段７と、を備え、第１の電極４は、第２の電極３に対向する複数の凸部４１ａ〜４１ｅを有し、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１ａ〜４１ｅの先端部となる面が面一に形成され、凸部間に形成される凹部４２ａ〜４２ｄの深さが、第１の電極４の中央部に比べ、外周部の方が深い。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを用いて被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜するための成膜装置Ａに関する。膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させるための第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させるための第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成するための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させる合流部１４とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成される。 （もっと読む）