【課題】プラズマ処理に用いられるプラズマを発生するための電極を構成する冷却ブロックにおいて、電極に要求される機能を満たしながら、腐食を抑えて、使用寿命の長い冷却ブロックを提供すること。
【解決手段】各々アルミニウムからなり、少なくともそれらの一方に冷却液の流路形成用の凹部が加工されている第１の母材及び第２の母材を、両者の間に亜鉛を介在させた状態で酸素を含む加熱雰囲気下で接合することにより、亜鉛がアルミニウム中に拡散された拡散接合層と亜鉛酸化膜からなる防食層とが同時に形成されることにより冷却ブロックを形成する。また亜鉛酸化膜中の亜鉛の量は、１ｍ^２当たり３０ｇ以上であることが好ましく、さらに第１の母材及び第２の母材の間には、例えばニッケル等のろう材を介在させるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 基板処理条件によって基板処理位置が変わっても、非接触放射温度計の焦点位置を調整することなく、常に正しい基板温度を測定することを可能とする。
【解決手段】 基板を処理する反応室２０と、反応室２０内に設けられ基板を保持するとともに、基板を裏面から加熱する第一のヒータを有するプレートヒータ５と、反応室２０外に設けられ基板を表面から加熱する第二のヒータと、反応室２０内でプレートヒータ５を移動させるプレートヒータ移動手段と、基板の温度を非接触で測定する非接触放射温度計４０と、プレートヒータ５に載置した基板と非接触放射温度計４０との距離を一定にするように非接触放射温度計４０を移動させる温度計移動手段と、非接触放射温度計４０の測定信号に応じて、第一及び前記第二のヒータに供給される電力を調整して基板の温度を制御する制御手段８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】対向電極への付着の少ないプラズマ処理装置を実現する。
【解決手段】真空チャンバ内でプラズマ処理空間を挟んで処理基板保持用の保持電極と向き合う対向電極６０を、電気良導体の金属部材６１，６２と、熱膨張率の異なる金属部材６３と、非金属部材６４とを重ね合わせて構成する。金属部材６３と非金属部材６４との間に接着剤等を充填する。高周波電力の印可を金属部材６３に行う。これにより、熱膨張率の相違の影響が緩和され、非金属部材の温度上昇も抑えられ、非金属部材に効率良くバイアス電圧が掛かる。 （もっと読む）

例えば加工面に材料を蒸着させるため、加工面用のプラズマを発生させるための装置を提供する。本装置は、イオン化ガスを収容する収容部と、マイクロ波を第１端から第２端まで移動させ、当該第２端からガス内にマイクロ波を放射できるように各々が構成された複数のプラズマ励起デバイスと、ガス内に磁場を発生させるための手段とを含む。マイクロ波源が、励起デバイスの第１端にマイクロ波を供給する。使用の際に、マイクロ波の電界ベクトルの方向が磁力線と平行でない領域が前記ガス内に存在し、磁場の磁束密度をＢとし、マイクロ波の周波数をｆとしたときに、Ｂ＝πｍｆ／ｅの関係を実質的に満たし、ここで、ｍは電子の質量であり、ｅは電子の電荷である。
（もっと読む）

光学的に書き込み可能なマスクを使用して半導体基板上の薄膜構造体を処理する方法は、所定パターンに従ってエッチングされるターゲット層を表面に有する基板をリアクタチャンバ内に配置するステップと、（ａ）チャンバに炭素含有処理ガスを導入する工程、（ｂ）再入経路の外部にプラズマＲＦソース電力を結合することによりワークピースの上にあるプロセス領域を含む再入経路で再入トロイダルＲＦプラズマ電流を生成する工程、（ｃ）ＲＦプラズマバイアス電力またはバイアス電圧をワークピースに結合させる工程により基板上に炭素含有ハードマスク層を堆積するステップと、を含む。その方法は、炭素含有ハードマスク層に所定のパターンをフォトリソグラフィで画成するステップと、そのハードマスク層が存在するときにターゲット層をエッチングするステップと、を更に含む。
（もっと読む）

【課題】 基材表面に均一かつ良質な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内にはガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側には電極３５−１、３５−２が回転可能に設けられ、電極１５−１、１５−２に電源１７から電力が供給される。
成膜時には、チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２は回転しながらプラズマを発生し、基材１３上に薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できるＣＶＤ成膜法による成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内に、隔壁５、７により成膜室８、第１、第２排気室９、１１が設けられるとともに、基材１６を成膜室８に送り出す第１基材搬送室１５および成膜後の基材１６を回収する第２基材搬送室１９が設けられる。成膜室８内において基材１６は直状のフリースパン部で成膜される。成膜室８内には、基材１６の両面に成膜可能なように、ガス供給部２１および電極ユニット２７が設置され、基材１６の上下両面に対してガス供給部２１から成膜ガスが噴射される。基材の上下両側に電極５５を有する電極ユニット２７が設置され、電源２９により電力を供給してプラズマ２８を発生し、基材１６の両面に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ダイポールリング磁界発生装置において、重量軽減、高磁場均一性および低スキュー角を達成することである。
【解決手段】 環の内部空間に実質的に一方向の磁界を有する磁場均一空間３を発生するための環状磁界発生装置１であって、同軸状に環の中心軸方向に積層された複数の環状永久磁石ユニットであって、該環の中心軸をＺ軸とし、該環の中心を通り前記一方向の磁界と平行な軸をＹ軸とし、該中心を通りＺ軸およびＹ軸に垂直な軸をＸ軸とした場合、該永久磁石ユニットの各々が、環状に配置された複数の永久磁石片１０１〜１２４を有し、少なくとも１つの該永久磁石ユニットにおける永久磁石片の磁化方向が、ＸＹ面に関して環の半周で１回転するようにＸ軸成分およびＹ軸成分を有し、少なくとも１つの該永久磁石ユニットにおける永久磁石片の磁化方向が、該磁場均一空間のＺ軸上の両端部に磁束がより集中するようにＺ軸成分を有する複数の永久磁石ユニットを有する磁界発生装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】 チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側に電気的にフローティングレベルに設定された電極３５−１、３５−２が設けられ、電極１５−１、１５−２に電源１７から電力が供給される。チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２からプラズマが発生し、基材１３上に薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】
下部容器と上部容器の位置合せが作業者の勘に頼らず簡単に行え、下部容器と上部容器の組立て作業性を向上させ、又位置合せ精度を向上させた。
【解決手段】
誘電体から成り周囲にフランジ４１が形成された上部容器７と、該上部容器が設置され該上部容器と基板処理室を画成する金属製の下部容器６と、前記フランジを上方から押えて前記下部容器に固定するフランジ押え４２と、前記フランジ側面に当接して前記上部容器の位置決めを行う位置決め部と、前記下部容器に設けられ基板３を載置する基板載置台１０と、前記上部容器の周囲に設けたプラズマ発生手段２２，２６と、前記基板処理室に処理ガスを導入するガス供給管１３と、前記基板処理室から排気するガス排気管１７とを具備した。
（もっと読む）

【課題】 基板載置台からの輻射熱に磁石がさらされても、磁石の高温化を回避して、所定の磁場を安定して得ることができるようにする。
【解決手段】 反応室内に基板を載置する基板載置台が設けられ、この基板載置台に基板を加熱するヒータが埋め込まれる。反応室の外周囲に筒状電極２１５が配設される。この筒状電極２１５の外周囲に接して磁石２１６が配置される。筒状電極２１５に冷却媒体を流す流路１０６が形成される。また少なくとも外周囲に筒状電極２１５および磁石２１６が配置されている部位に対応する反応室の壁は石英で構成される。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置に於けるヒータ電力フィード線と端子部との接続部分でスパークの発生を抑制し、ヒータ電力フィード線の損傷を防止する。
【解決手段】
基板処理室１２と、該基板処理室に収納された基板１３を加熱するヒータと、該ヒータに電力を供給するヒータ電力フィード線４８と、該ヒータ電力フィード線に接続されると共に電力供給源に接続された端子部とを具備し、該端子部の少なくとも前記ヒータ電力フィード線に接触する角部から尖端を除去した。
（もっと読む）

【課題】 基板載置台が受けるダメージを低減し、基板載置台から発生する載置台の材料汚染を低減する。
【解決手段】 上面１０にウェハ２００を載置するサセプタ（基板載置台）１１に、筒状の周辺カバー１７を設ける。周辺カバー１７は、その上端部１７ａを内側に折り返して、ウェハ２００からはみ出すサセプタ１１の周辺部上面を覆い、その中間部で側面１４を覆うようになっている。また、周辺カバー１７の下端部１７ｂをサセプタ１１の下面１５より下方に延在させて、下面１５を間接的に覆うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生手段が小型であって安価になり低価格のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 永久磁石装置６が与える磁場の元で媒質ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマを被処理体の表面処理に用いるプラズマ処理装置であって、永久磁石装置６は、一方の永久磁石１５を磁性体製の一方の磁石保持ケース１３に吸着収容した一方の磁気ユニット１１と、他方の永久磁石１５―１を磁性体製の他方の磁石保持ケース１３に吸着収容した他方の磁気ユニット１２とを有し、一方の磁石保持ケース１３と他方の磁石保持ケース１３とを、それぞれの合せ目１３ａにおいて磁気保持回路（磁気誘導回路）を構成するように磁気吸着させて枠体Ａを構成し、一方の永久磁石１５と他方の永久磁石１５―１との磁極間において磁界を発生することで磁場を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、放電初期の放電状態が不安定なプラズマから被処理体へ照射される正、又は負の電荷をもったイオンや電子等の荷電粒子を低減することが可能なプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】 高周波電力を放出するアンテナによってプラズマを生成するプラズマ生成室と、プラズマ生成室から拡散したプラズマと被処理体とを反応させる被処理体反応室とを有するプラズマ処理装置において、プラズマ生成室で発生するプラズマ中の荷電粒子の被処理体への流入を制御する手段と、前記プラズマ生成室で発生するプラズマの生成状態を解析する機能を持つ検出手段と、前記検出手段の解析結果を前記荷電粒子の被処理体への流入を制御する手段にフィードバックする機能を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アンカー効果が得られ易く、パーティクル数が少なくなる半導体製造装置用部材を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハを処理する半導体製造装置に配置される半導体製造装置用部材において、表層が２０％〜６０％の気孔率を持ち、気孔の深さが１０μｍ〜１００μｍの多孔質のアルミナ基材であることを特徴とする半導体製造装置用部材。 （もっと読む）

【課題】 環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げ及びメンテナンス後の金属汚染量を低減することを可能とする。
【解決手段】 処理室内に設けられたサセプタにウェハを載置しないで、処理室に少なくとも窒素ガス（Ｎ₂）を含むガスを供給しつつ排気してプラズマダミー放電する。このプラズマダミー放電に際して、金属汚染量を低下するために、プラズマダミー放電は繰り返し行うとよい。また、プラズマ放電する際の圧力を、ウェハを載置してプラズマ酸化またはプラズマ窒化する際の圧力よりも低くしたり、プラズマ放電する際の高周波電力を、プラズマ酸化またはプラズマ窒化する際の高周波電力よりも高くすると良い。プラズマダミー放電を繰り返した後、生産処理に移行させ、サセプタにウェハを載置して、ウェハにプラズマ酸化またはプラズマ窒化してウェハを処理する。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体キャパシタに保護膜を設け、強誘電体膜の還元を抑制する。
【解決手段】 前記保護膜としてＡｌ₂ Ｏ₃ 膜を、３．０〜３．１ｇ／ｃｍ³ 、あるいはそれ以上の密度に形成する。 （もっと読む）