【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、第１の処理領域及び第２の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を加熱するバッチ式の熱処理装置において、熱処理後の基板を速やかに、かつ均一に冷却することができる冷却機構および冷却方法、ならびにこのような冷却機構を備えた熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理容器１１内の基板保持部材１５と加熱手段１２との間に挿入される挿入位置と挿入位置から引き出された引き出し位置との間で移動可能であり、熱処理後の基板Ｗへの輻射熱を遮蔽する筒状をなす熱遮蔽部材３０と、処理容器１１の外部に配置された空冷ポート２１とを有し、熱遮蔽部材３０は、引き出し位置において、２つの半筒状部材３１が合体および分離可能に設けられており、これらが合体した状態で、熱遮蔽部材３０が引き出し位置と挿入位置との間で移動し、かつ外側面が相対的に低輻射率の材料で構成され、内側面が相対的に高輻射率の材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Ｗを載置させる載置台１１は、所定の温度に温度調節される載置台本体１２と、載置台本体１２の上部に配置された、基板Ｗを吸着するための静電チャック１３を備え、静電チャック１３の上面に、中央に配置される第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と、周縁部に配置される第２の熱伝達用ガス拡散領域４８とが形成され、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７に熱伝達用ガスを供給する第１の熱伝達用ガス供給部５１と、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８に熱伝達用ガスを供給する第２の熱伝達用ガス供給部５２とを備え、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と第２の熱伝達用ガス拡散領域４８において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８は、静電チャック１３の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 （もっと読む）

【課題】載置台の面内全体の設定温度に対して面内の所望部位だけを局部的に設定温度よりも高くしたり，低くしたりする。
【解決手段】載置台２００内にその面内全体に渡って形成した主流路３２０と，載置台内に主流路の上側に離間して載置台の面内一部に形成した補助流路３３０と，所定の設定温度に調整した温調媒体を主流路に供給し循環させるとともに，その温調媒体を分流させて，さらに前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で補助流路に供給し循環させる温調媒体循環機構とを設けた。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度でナノ構造体またはナノ材料を製作する方法を提供する。
【解決手段】熱コントロールバリアを基板上に実質的に連続した層として提供するステップと、ガスプラズマを提供するステップと、当該ガスプラズマとは異なる熱源によって熱コントロールバリアを層の上方から追加加熱を先行して提供するステップと、追加加熱する間にガスプラズマを使用するプラズマ化学気相堆積法によって、ナノ構造体またはナノ材料を基板の層上に形成するステップと、を含んでいる製作方法。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの使用量を大幅に削減し、冷却効率も向上させることが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗを複数枚保持した基板保持具５６を処理容器４６に対して昇降させるローディングユニット１６において、ローディング用筐体６８と、基板保持具を昇降させる昇降エレベータ機構６６と、処理容器の開口部を閉じるシャッタ部８６と、基板の移載を行うための基板移載機構７２と、昇降エレベータ機構を囲み、この移動範囲を囲むようにして設けられた第１の区画箱９０と、第１の区画箱に連結され、基板移載機構とこの移動範囲を囲むようにして設けられた第２の区画箱９２と、第１の区画箱に連結され、シャッタ部を囲むようにして設けられた第３の区画箱９４とを備え、第１の区画箱には、第１の区画箱の内側に対して冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射手段９６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】基板を基板保持具に搭載して縦型熱処理炉に搬入し、熱処理を行う熱処理装置において、縦型熱処理炉からアンロードされた基板保持具に搭載された基板を速やかに降温させること。
【解決手段】前面から、当該前面に対向する後面の気流形成用の排気口６３ａに向って横方向の気流が形成されたローディングエリアＳ２内にて、熱処理炉２の下方側のアンロード位置におけるウエハボート３Ａと前記排気口６３ａとの間に、アンロードにより高温に加熱された雰囲気を吸引排気するための熱排気用の排気口７１が形成された排気ダクト７Ｂ，７Ｃを設ける。アンロードされた高温状態のウエハボート３Ａ近傍の雰囲気は排気ダクト７Ｂ，７Ｃから排気されるので、上方側への熱拡散が抑えられ、横方向の気流がウエハボート３Ａ及びウエハ群に供給されて、熱処理後のウエハを速やかに降温させることができる。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、１０００〜１２００℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを１２００〜９００℃の温度範囲で、１秒あたり５℃より低い速度で冷却する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも１つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】加熱時にヒーターからの輻射熱を遮ることなく、冷却時に被処理物との間に周辺から流れ込む冷気によって発生する被処理物の端部の温度ムラを低減できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】加熱時に被処理物１１に接することなく被処理物１１の周囲を囲うように可動板１４を配設し、冷却時には可動板１４が回転して被処理物１１の周囲および被処理物１１の周縁部に接することなく囲うように、被処理物１１の面１１ｂとの隙間を形成することで、冷却時における被処理物の端部をガス流れ抵抗を大きくして、ガス流れによる被処理物の端部の温度変化を抑える。 （もっと読む）

【課題】 加熱された被処理体を、この被処理体が反ることを抑制しつつ冷却することが可能な冷却装置を提供すること。
【解決手段】 下部冷却部材１０１と、下部冷却部材１０１の上方に設けられた上部冷却部材１０２と、加熱された被処理体Ｗを、下部冷却部材１０１と上部冷却部材１０２との間で昇降させる被処理体昇降機構１０３と、を具備し、被処理体Ｗと下部冷却部材１０１との間隔ｄ１と、被処理体Ｗと上部冷却部材１０２との間隔ｄ２とを互いに等しくしながら、被処理体Ｗを下部冷却部材１０１に近づける。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ以上として冷却する冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 （もっと読む）

本発明は、基板が加熱されることを予防し、しかも、余剰の蒸着材料を効率よく捕集することのできる基板処理装置及び方法に係り、特に、本発明の一実施の形態による基板処理装置は、引込み区間と、成膜区間及び引出し区間がこの順に画成される内部空間を有するチャンバー部と、前記チャンバー部の成膜区間に位置して搬送される基板に蒸着材料を吹き付ける少なくとも１以上の材料噴射ノズル部と、前記チャンバー部の成膜区間を囲繞するように位置して成膜区間の内部を冷却する冷却プレート部と、を備える。また、前記基板処理装置は、前記材料噴射ノズル部の下方に位置して前記材料噴射ノズル部から吹き付けられる蒸着材料のうち基板に蒸着できなかった余剰の蒸着材料を捕集する少なくとも１以上のコールドトラップ部をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】スループットを高く維持しつつリーク電流を抑制してリーク特性も高く維持することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体の表面とゲート電極との間に介在されるゲート絶縁層を形成する成膜方法において、シリコンを含む界面膜を所定の温度で形成する界面膜形成工程Ｓ１と、被処理体を冷却する冷却工程Ｓ２と、冷却された被処理体に対して界面膜形成工程の所定の温度より低い温度でゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【目的】加熱された半導体ウェハを確実に且つ迅速に搬送させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的とする。
【構成】ヒータ内蔵のサセプタに保持されている処理済みの半導体ウェハを、搬送アームによって吸着して外部に搬送するにあたり、先ず、サセプタを、ウェハ待機ステージの真上の位置に移動して、このサセプタに保持されている半導体ウェハをウェハ待機ステージ上に移す。そして、ウェハ待機ステージの真上に位置しているサセプタを水平方向に移動し、所定の冷却期間経過後に、搬送アームにより、ウェハ待機ステージ上の半導体ウェハを吸着して外部に搬送する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の温度調節をしつつ、絶縁基板を有する配線基板の静電気破壊の発生を低減することを目的とする。
【解決手段】第１方向Ｄ１に延びた配線Ｚが配置された絶縁基板１０を有する配線基板３０を配置可能なテーブル面４０Ｓと、テーブル面４０Ｓに形成されるとともに第１方向Ｄ１と交差する方向に延びた直線状の溝部４１と、溝部４１に形成されるとともにガスが注入される注入口４２Ａと、溝部４１に形成されるとともに注入口４２Ａから注入されたガスを排出する排出口４３Ａと、を有するテーブル４０を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）