【課題】
エピタキシャル成長速度が高められ、プリヒートリングとサセプタとの隙間からのガス漏れに起因したオートドープの抑制効果の低下を防ぎ、これによりエピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、反応ガスの使用量が低減し、下側ドームも曇り難いエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】
プリヒートリング６０とサセプタ２０との隙間ａをカバー部６１により覆うように構成したので、隙間ａからのガス漏れを防げる。その結果、シリコンウェーハＷの表面へのエピタキシャル成長速度が高まり、このガス漏れによるオートドープの抑制効果の低下を防げる。これにより、エピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、しかも反応ガスの使用量が低減し、下側ドーム４の曇りも抑えられる。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ装置又は方法を基板のより高いスループットの観点で改良すること。
【解決手段】反応チャンバー内に配置され、少なくとも基板を載せる可動のサセプタを有するプロセス室を備え、膜を構成する成分を基板上に堆積するため、プロセス室内に、膜を構成する成分を含有すると共に順次行われるプロセス工程において導入可能な相互に異なるプロセスガス、を導入するための複数のガス導入管が開口するＣＶＤ装置に関する。スループットを高くするために、そこで相互に異なる膜又はコンポーネント膜を堆積するために、プロセス室が、内部に個々のガス混合比を実現する相互に異なるガス導入管（３４、３４’）が開口すると共にサセプタ（２０）の移動を介して基板（９）がそれに順次供給可能となっている複数の相互に分離された堆積室（１１、１１’）、を有する。 （もっと読む）

【課題】 有害成分を含む排ガスを処理しないときの消費電力を小さくすることができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムを提供する。
【解決手段】 半導体処理装置から排出された排ガスを反応筒５１内に導入して当該排ガス中に含まれるＣＦ_４等の有害成分を無害化する除害装置であって、反応筒５１内を加熱するハロゲンランプ５２を有する。反応筒５１内の温度を常時高温に維持する必要がなく、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置５０の消費電力を小さくすることができる。除害処理コストを低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】ガスを分子レベルまで均一かつ高効率で加熱することができる小型のガス加熱装置を安価を提供する。
【解決手段】ガスを通すガス管２３と、このガス管内に配設された通気自在のメタル製繊維不織布２５と、ガス管を加熱するハロゲンランプ２４と、を具備している。 （もっと読む）

本発明によるプラズマ急速熱処理装置は、急速熱処理チャンバ内にラジカル状態の原子種を供給するプラズマ供給部を改善し、前記供給部は内側チューブと外側チューブを含み、前記内側チューブは、片側端は開放されて前記放電管と接続されて他側端は塞がれ、前記塞がれた部分の直径は他の部分に比べて小さく、この部分の側壁の周に第１噴射孔が形成されており、前記外側チューブは片側端は開放されて前記内側チューブの塞がれた先端がここに挿入されて入り、他側端には複数個の第２噴射孔が形成され、前記第２噴射孔が形成された先端は、前記内側チューブの塞がれた先端と所定の間隔が離隔される。本発明によれば、低いサーマルバジェットで低温でも高効率の均一な熱処理が可能となる。

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