【課題】良質な薄膜を製造することができる。
【解決手段】液滴吐出ヘッド３００によって基板１１に吐出された機能性インク膜３０２にレーザ光を照射して加熱すると溶媒が蒸発して溶液が乾燥する。リアルタイムレーザ制御装置６００によって機能性インク膜３０２の乾燥状態を検出する。そして、機能性インク膜３０２の乾燥状態に対する最適なレーザ光照射条件の関係の特性データと照合しながら検出した機能性インク膜３０２の乾燥状態に対応する最適なレーザ光照射条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面だけを加熱し、熱履歴を低減する方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置は、ステージ２１６と、連続波（ＣＷ）電磁放射ソース２０２と、一連のレンズ２１０と、並進移動メカニズム２１８と、コントローラ２２６とを備えている。ステージは、基板２１４を受け取るように構成される。ＣＷ電磁放射ソースは、ステージに隣接して配置され、基板に向う経路に沿ってＣＷ電磁放射を放出するように構成される。一連のレンズは、ＣＷ電磁放射ソースとステージとの間に配置されて、ＣＷ電磁放射を基板の表面上におけるＣＷ電磁放射の線２２２へと凝縮するように構成される。 （もっと読む）

【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも１つの堆積層を硬化させる少なくとも１つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも１つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、１）レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにＸ−Ｙビームの偏向モジュールの位置を制御すること、２）レーザの位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御すること、又は３）基板の位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 （もっと読む）

【課題】ウエットクリーニングによらず、ＭＯＣＶＤ装置の処理容器内を短時間に、かつ低温で清浄化する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により窒化物半導体を成膜するＭＯＣＶＤ装置の処理容器内の付着物に、水素ラジカル又はハロゲンラジカルを作用させることにより、前記付着物を揮発成分に変化させて前記処理容器の外部へ排出させる。水素ラジカル又はハロゲンラジカルは、処理容器の内部でクリーニングガスのプラズマを生成させたり、クリーニングガスへレーザー照射したりする方法で発生させてもよく、処理容器の外部で発生させて処理容器内へ導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】基板表面の構造に拘わらず，所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。
【解決手段】定在波を有するレーザ光のレーザ光源Ｌを基板Ｗの側方に配置し，そのレーザ光を基板Ｗの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって，基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたアモルファス膜の結晶化を、基板表面に対して垂直方向（即ち下から上方向）ではなく略平行方向（即ち横方向）に進行させる結晶化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上にアモルファス膜１を形成し、前記アモルファス膜１にレーザ光を照射してレーザ光照射領域１ａを結晶化し、前記アモルファス膜１に熱処理を施すことにより、前記レーザ光照射領域以外のアモルファス膜１を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内のテーブル上の基板載置領域に基板を載置して、少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板に供給し、かつこの供給サイクルを複数回実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板を加熱する加熱手段の消費エネルギーを小さく抑えること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＢＴＢＡＳガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＢＴＢＡＳガスを酸化させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、ウエハＷを加熱してシリコン酸化膜を生成させるための加熱手段として、回転テーブル２の内周側から外周側に亘って帯状にレーザ光を照射するレーザ照射部２０１を用いる。 （もっと読む）

【課題】立方晶炭化珪素の単結晶膜を高品位（高品質）に作製することができる、半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板（シリコン基板１）の一面１ａ上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層３を形成する工程と、を含む半導体基板５の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のＣＶＤ装置で用いることの出来なかった材料により成膜を可能にし、さらに不純物が混じらない高品質の成膜を可能とした薄膜堆積方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非平衡プラズマにより原料ガス１４に与えるエネルギーと、原料ガス１４より生成する目的の反応生成物固有のポテンシャルエネルギーとの差分のエネルギーを求め、ポテンシャルエネルギーが不足の場合、前記差分のエネルギーを補充するレーザ光１９の波長を求め、ポテンシャルエネルギーが余剰の場合、差分のエネルギーを誘導放出により放出するレーザ光１９の波長を求め、非平衡プラズマ化された原料ガス１４に、求めた波長のレーザ光１９を照射して、原料ガス１４の基底準位を前記ポテンシャルエネルギーに遷移し、原料物質より目的の反応生成物を解離または分解し、被成膜物質１２に堆積して成膜する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させることなく、しかも安定的に被処理体を回転させて熱処理の面内均一性を向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施す熱処理装置２において、前記被処理体が収容される処理容器４と、前記処理容器の天井部４Ｂに設けられて前記被処理体を支持しつつ回転させる支持手段３２と、前記処理容器の底部側に設けられて前記被処理体を加熱する加熱手段８０と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段１０とを備える。これにより、パーティクルを発生させることなく、しかも安定的に被処理体を回転させて熱処理の面内均一性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ボート柱部と基板の接触部のパーティクルの発生をなくし、基板裏面の傷を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板保持手段により保持した複数枚の基板を処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記処理室内の圧力を降圧する降圧工程と、前記基板保持手段を回転させた状態で、前記処理室内に処理ガスを導入し、前記基板を処理する基板処理工程と、前記処理室内の圧力を昇圧する昇圧工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記昇圧工程により前記処理室内の圧力を所定圧まで昇圧した後に、前記基板保持手段の回転を停止する。 （もっと読む）

【課題】 混色により白色となる２色以上の発光部を、単一の発光層内に、任意の面積比率で緻密に形成することができる白色ＬＥＤの製造装置と方法を提供する。
【解決手段】 基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。加熱用レーザ光２１は、成長基板のバンドギャップより大きいエネルギー範囲の波長を有する。加熱レーザ照射装置２０は、加熱用レーザ光２１を基板２上で１次元もしくは２次元的に照射するレーザ照射光学装置２３を備え、基板上の一部に加熱用レーザ光を局所的に照射し、発光層成膜時に、同一発光層１に混色により白色となる複数の発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体の製造し、光電変換効率に優れる太陽電池、燃料電池を提供すること。
【解決手段】半導体材料２２の表面２３にレーザー光２４を照射することで、表面２３に二酸化チタンの層が形成されるとともに、ナノオーダーの酸化膜が成長して半導体２１の薄膜が完成する。前記半導体材料は純チタン又はチタンをコーティングした材料である。シリコンや化合物、さらには電解溶液や色素ゲルを使用することなく、従来と全く異なる方法で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射によって基板上で光分解反応を生じさせる際に、熱による悪影響を排除して均一な処理を可能にする。
【解決手段】基板に薄膜を作成する際に、基板に形成した原料膜に対してレーザ光を照射して光分解反応を生じさせるレーザ光照射方法において、基板を面方向において回転させるとともに、レーザ光照射位置に対し面方向に沿って相対的に移動させつつ、レーザ光の照射を行う。照射装置としては、原料膜を形成した基板を支持する支持部と、基板を回転させる回転機構と、基板を面方向に沿って移動させる移動機構と、基板にレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、基板を回転機構によって面方向において回転させるとともに、移動機構によって面方向に沿って相対的に移動させつつ、レーザ光照射手段によって基板にレーザ光を照射して原料膜での光分解反応が生じさせる制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】特に蒸着重合膜を形成するに際し、原料モノマーが基板の裏面側や支持台側に入り込むことによる、前記基板裏面側及び前記支持台等における重合膜の形成を抑制し、前記原料モノマーの使用効率を向上させるとともに、ゴミの発生及び混入による前記重合膜の製造歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】基板１４の外周端部１４Ａを露出させるようにして支持台１１上に前記基板１４を支持し、前記基板１４の前記外周端部１４Ａをヒータ１２で加熱するとともに、前記基板１４の中央部に位置する膜形成領域を温度調節機構１３で所定温度に保持する。 （もっと読む）

【課題】繰り返し使用されるアモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーを磨耗劣化させることなく、またビーズなどの画像欠陥の原因となるものを使用せず基体ホルダーに付着した物質を効果的に除去可能な基体ホルダー処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーに付着した物質を、パルスレーザー光を照射して除去する工程を含むことを特徴とする基体ホルダーの処理方法。 （もっと読む）

【課題】
表面が平坦な、エピタキシャルなＺｎＯ薄膜をＭＯＣＶＤにより成長させることのできる新しい方法を提供する。
【解決手段】
ジアルキル亜鉛有機金属ガスと酸素と原料ガスのＭＯＣＶＤ（有機金属堆積法）によって酸化亜鉛薄膜を成長させる際に、ジアルキル亜鉛有機金属ガスのキャリアガスとして水素含有ガスを用い、かつ、水素含有ガスからなる雰囲気形成ガスによって反応域を還元性雰囲気とし、原料ガスを基板表面上に供給し、基板上を通過した原料ガスは再度基板まで還流しないようにするとともに、レーザー加熱法によって基板温度の周期的な変調を行う。 （もっと読む）

【課題】４００℃よりも低温のプロセスで薄膜を改質する。
【解決手段】ＣＶＤ工程を経た基板の薄膜をアニール処理炉２にて前記基板の薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記薄膜の欠陥サイトでの紫外光の吸収による局所加熱を利用する。前記紫外光を照射する光源６はパルスレーザーまたは連続波レーザーである。前記薄膜の改質の際には紫外波長域以外の可視光域の光を発する光源の照射光が前記薄膜に供されるようにしてもよい。前記紫外光を照射する光源６は２１０ｎｍより長波長の光を照射する。ボンベ３からは酸化性ガスが、ボンベ４からは還元性ガスが、ボンベ５からは不活性ガスが個別に供される雰囲気のもと前記薄膜を薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記酸化性ガスとしてオゾンガスが供される。前記還元性ガスとして希釈水素ガスが供される。 （もっと読む）

【課題】被処理体裏面外周部に付着した堆積物を除去するための機能を備え、かつ、スループットが高く装置コストの安いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー照射によって被処理体裏面外周の堆積物を除去する方式の堆積物除去ユニットを、プラズマ処理装置の大気側搬送室に接続した。 （もっと読む）

【課題】優れた膜質の膜を形成することが可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置としての処理装置１は、サセプタ５と反応管３と冷却部材（反応管上壁４の外周部材６と内周部材８との間の間隙および冷却材１０）とヒータ９とを備える。サセプタ５は、気相成長法により表面に膜が形成される基板７を保持する。反応管３は、サセプタにより保持される基板７が内部に配置され、当該基板７を観察するための透明窓部としての反応管上壁４を有する。冷却部材は、反応管上壁４を冷却する。ヒータ９は基板７を加熱する。 （もっと読む）