【課題】ねじの交換を容易にできかつねじが不用意に外れない、半導体加工リアクタ内にランプをねじ留めするための締結具を提供する。
【解決手段】放射加熱された半導体加工リアクタ内にランプを取り付け得る被捕捉型の締結具３８は、ランプの各端部のハトメ形末端部３２内に捕捉され、これにより、締結具３８が、ランプに回転式に留められる。ハトメ形末端部３２は、締結具３８のねじ切りされた部分内に螺合される、ねじ切りされた開口部を具え得る。あるいは、末端部を適合させることは、末端部から挿入される締結具の上部上にタブ、導電体延長部、またはハウジングアセンブリを重ね合わせることで行い得る。別の実施形態では、末端部を適合させることは、末端部を通って挿入される締結具の円形の蟻溝とノッチ付き突起部とを係合させることで行い得る。 （もっと読む）

【課題】薄膜の絶縁物バリアー膜を緻密にして、上記リーク電流の増加を十分に防止できるようにする。
【解決手段】ウェハ７に形成されている配線接続孔に対して絶縁体バリアー膜を形成する手段１０３１等と、絶縁体バリアー膜に紫外線を照射する手段３等とを有する。詳しくは、ウェハ７が載置されるヒーター６が設置される第一領域Ｂと、ヒーター６上のウェハ７に紫外線を照射するランプ３が設置される第二領域Ａとの間を仕切る仕切り板１０６８と、第二領域Ａに配置されていてクリーニングを行うプラズマ発生用の電極１０６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体装置における素子の電気的特性を概ね同じに揃える。
【解決手段】加熱部１２と記憶部１６と演算部１７と制御部１５とを具備するアニール装置を用いる。加熱部１２は、複数の領域を有し、複数の領域の各々ごとにアニール温度の調整が可能である。記憶部１６は、加熱対象の素子の形状的な特徴を示す形状パラメータとアニール温度と加熱対象の素子の電気的特性とを関連付けた実績データを記憶する。演算部１７は、複数の領域の各々ごとに、基板上の製造中の当該領域に対応する素子の形状パラメータに基づいて、記憶部１６を参照して、所望の電気的特性を得られるアニール温度）を決定する。制御部１５は、記複数の領域の各々ごとに、決定されたアニール温度で当該領域に対応する素子を加熱するように加熱部１２を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた誘電体膜を形成することができる誘電体膜の製造方法及び圧電素子の製造方法並びに赤外線加熱装置を提供する。
【解決手段】基板１１０の一方面側に有機金属化合物のゾルを塗布して誘電体前駆体膜７１を形成する工程と、前記基板１１０の前記誘電体前駆体膜７１に相対向する領域から当該誘電体前駆体膜７１の吸収率の大きい波長領域を除外した波長領域の赤外線を照射すると共に、前記基板１１０の他方面側から赤外線を照射して前記誘電体前駆体膜７１を加熱焼成して結晶化する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造温度を低下させること。
【解決手段】紫外領域の光を照射のもと基板にオゾンガスを供して基板にバッファ用酸化膜を形成した後にこのバッファ用酸化膜にポリシリコンが形成される。次いで、酸化処理炉１０内で光源１４からの紫外領域の光を照射のもと前記基板のポリシリコンにオゾンガスを供して前記ポリシリコン上にゲート絶縁膜を形成する。前記基板には紫外領域の光を照射して前記基板のポリシリコンを結晶化及び粒界サイズを大型化するとよい。また、図示省略のＣＶＤ処理炉では前記ゲート絶縁膜が形成された基板に紫外領域の光を照射しながらオゾンガスを供して前記基板にゲート絶縁膜が追加形成される。前記ゲート絶縁膜が形成された基板は電極が蒸着された後に適宜に酸化処理炉１０内で紫外領域の光が照射されることでアニール処理される。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、結晶成長面を下に向けた結晶成長装置でウエハーに材料ガスを供給する時に、各材料ガスの温度を別々に制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 結晶成長室内にガス冷却機構とガス加熱機構を設置して、各材料ガスを最適な温度に制御してウエハーに供給する。 （もっと読む）

【課題】光の利用率を高めて、プロセスの低温化、スループットの増大、及び大型基板の均一処理を行う。
【解決手段】基板２が格納されると共にオゾンガスが流通し且つ前記光が導入される処理炉内には集光手段として前記オゾンガスを含む雰囲気のもとで紫外線を中心に２１０ｎｍから長波長に離散的なスペクトルを有する光を集光させる集光台１が設けられる。集光台１はオゾンに対して不活性な材料からなると共に前記導入した光を全反射させる面１１を有する。集光台１の底部１０には台１２を介して基板２が置かれる。台１２はオゾンに対して不活性であると共に前記光を透過する材料からなる。集光台１は前記導入した光のうち基板２の周辺に照射された光を面１１によって台１２及びまたは基板２の方向に集光させる。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、成膜面を下に向けた成膜装置でウエハーにプロセスガスを押し付ける力を制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 上記従来の成膜装置のプロセスガスを上昇気流にし、その上昇力を制御する事により、ウエハーにプロセスガスを押し付ける力を制御する。 （もっと読む）

【課題】光を用いて多層構造配線構造の材料をキュアする際に、キュア深さのばらつきを抑制し、所望のキュア層のみを選択的にキュアする。
【解決手段】光キュアする絶縁膜上に材料膜と反射材３０４を順に積層し、基板３００方向から一定の入射角で照射したキュア光を反射材で反射して材料膜を通って絶縁膜にエバネセント波を照射することにより、光キュア時のエバネセント波の染み込み深さを制御することができるため、単層、積層構造に関係なく選択的にキュア膜厚を制御することが可能となる。そのため積層構造の光キュア時に発生する被キュア層の下層に位置する絶縁膜へのダメージ（過度の収縮、誘電率上昇、欠陥数増大）を抑制することができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、ＣＶＤを使用して膜を形成する方法および装置に関する。１つ以上の方法および装置の実施形態は、ＣＶＤ装置の排出ラインにおけるポリマーの形成を許容する付着物の形成を防止し、および／または付着物を破壊するステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板に対する熱処理を行うための方法及び装置を提供する。本発明の熱処理チャンバは、赤外放射線源及びＵＶ放射線源のような２つの異なるエネルギー源を備える。ＵＶ放射線源及び赤外放射線源は、熱処理チャンバの内側で、熱を供給し、電子を活性化し、又は活性種を生成するため単独で又は組み合わせて使用することができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルシリコンウェーハの平坦度を向上させるためのエピタキシャル層の形成方法等、特に、ウェーハ外周部のエピタキシャル層膜厚を制御する方法等を提供する。
【解決手段】反応炉内で半導体ウェーハとソースガスとを反応させてエピタキシャルを成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置であって、前記半導体ウェーハが配置される開口部を有するポケットを備え、前記半導体ウェーハを固定するサセプタを含み、前記半導体ウェーハの結晶方位に依存する方位依存制御手段、及び／又は、依存しない方位独立制御手段を備え、前記半導体ウェーハの周縁部の平坦度を向上させるエピタキシャルウェーハの製造装置。 （もっと読む）

【課題】通路の上壁面に堆積する副生成物を抑制する。
【解決手段】シリコンウェーハＷが収容される反応室１２と、通路１１を介して反応室１２に連通された移載室１３Ａとを備え、反応室１２に設けられた供給口１６から、供給口１６と対向して設けられた排出口１７に向かって反応ガスを流すエピタキシャル成長装置において、通路１１の下壁面１１ｂには、反応ガスの通路１１への流入を防止するための流入防止ガスを噴出する流入防止ノズル４０が設けられ、流入防止ノズル４０が、流入防止ガスを通路１１上壁面１１ａの反応室１２出口１２ａ付近に向けて噴出するよう角度設定される。 （もっと読む）

【課題】通路の上壁面に堆積する副生成物を抑制する。
【解決手段】シリコンウェーハＷが収容される反応室１２と、通路１１を介して反応室１２に連通された移載室１３Ａとを備え、反応室１２に設けられた供給口１６から、供給口１６と対向して設けられた排出口１７に向かって反応ガスを流すエピタキシャル成長装置において、通路１１の反応室１２側出口１２ａが、反応室１２内において反応ガスの下流側位置に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、マスクの作成コストを削減し、スループットも向上させる光照射処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光源２と被処理基板４との間に設置されるマスク５上に形成されるマスクパターンを、マスク制御部６によって電気的に制御して変化させる。マスク５の材料としてはエレクトロクロミック材料等を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板ウェハの表面外周部におけるエピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制できるサセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置を提供すること。
【解決手段】サセプタ２に、基板ウェハＷよりも大きい外形を有する略円板状のウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面２２Ａおよびこの内周面２２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面２２Ｂを有する略リング板状の周縁部２２と、を設けている。気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、ＳｉＣ被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ_２により形成して設けている。 （もっと読む）

【課題】サセプタの熱歪みにより生じる回転不具合を解消し、メンテナンス性や経済性の向上が図れる気相成長装置を提供する。
【解決手段】加熱手段によって加熱されるとともに駆動手段によって回転するサセプタ１１に、該サセプタの周方向に複数の基板保持部材２１を転動部材（ボール２２）を介して回転可能に設け、前記サセプタの回転に伴って前記基板保持部材２１を回転させ、該基板保持部材に保持された基板１２をサセプタの回転軸に対して公転させながら自転させる自公転構造を備えた気相成長装置において、前記サセプタと前記転動部材との間に転動部材をガイドするガイド部材２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ炉内におけるウェハの温度分布を均一化して、ウェハ表面に膜厚の均一な半導体膜を形成する。
【解決手段】ＣＶＤ炉２内のサセプタ３にシリコンウェハＷを載置し、ＣＶＤ炉２の上下に配置したランプヒータ５Ｕ、５Ｌによりサセプタ３並びにシリコンウェハＷを加熱しつつ、シリコンウェハＷの表面に材料ガスＧを供給して半導体膜を成長させる際、サセプタ３の下部の温度がシリコンウェハＷの表面部の温度よりも１０度〜１００度高くなるようにランプヒータ５Ｕ、５Ｌを制御する。サセプタ３内における熱拡散を利用してサセプタ３表面の温度分布を均一化できるので、サセプタ３上に載置されたシリコンウェハＷの温度分布を均一化してその表面に膜厚の均一な半導体膜を形成することができる。 （もっと読む）

【目的】高品質な多結晶珪素膜を得る方法を提供する。
【構成】基板を予備室１０１、１０２から搬入する。そして、ロボットアーム１０９によって前記基板が処理室１０３〜１０７を移動する。この各処理室において、非晶質珪素膜の成膜や該非晶質珪素膜の結晶化が順次行われ、最終的には表面に多結晶珪素膜を有した基板が、一度も外気に暴露することなく得られる。そして、各工程間の処理温度の差を小さくするように温度調節することによって、成膜から結晶化までの工程を高スループットで行うことができるものである。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、透明基板を用いた多結晶シリコン薄膜の製造方法及び製造装置であり、ＲＴＰ光源を、熱処理源ではなく、多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として用いるものであり、その方法は、透明基板上に光吸収層を形成し、ＲＴＰ（Rapid Thermal Process）光源の照射により光吸収層を加熱しながら、光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着することを行うことで、電気的特性が良好な多結晶シリコン薄膜を製造することができる。 （もっと読む）