【課題】マイクロ波処理装置において被処理体に対して均一な処理を行う。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、マイクロ波導入装置３と、制御部８とを備えている。マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン３１を有し、制御部８は、ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、複数のマグネトロン３１の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、複数のマグネトロン３１を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板温度の過度の上昇を抑え、加熱対象のポリイミド膜やＨｉｇｈ−ｋ膜を含む基板を加熱処理することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられる導電性の基板支持台と、前記基板支持台上に設けられ基板が載置される誘電体板と、前記処理室外に設けられるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部で発生されたマイクロ波を前記処理室内へ供給するマイクロ波供給部と、を備えるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】複数のマイクロ波源と処理容器との間のインピーダンス整合の精度を向上させる。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、ウエハＷを処理するためのマイクロ波を生成して処理容器２に導入するマイクロ波導入装置３と、マイクロ波導入装置３を制御する制御部８とを備えている。マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン３１と、複数のマグネトロン３１において生成されたマイクロ波を処理容器２に伝送する複数の導波管３２とを有し、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入することが可能である。制御部８は、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入する第１の状態が継続している間に、選択的且つ一時的に、複数のマグネトロン３１のうちの１つにおいてマイクロ波を生成し、このマイクロ波のみを処理容器２に導入する第２の状態に切り替える。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法により薄膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板１０の薄膜を形成しようとする部分である成膜部１０ｃの他主面１０ｃ２に、基板１０に吸収される波長域の光を照射することにより成膜部１０ｃを加熱した状態で、成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に対向して配置したノズル３０から成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に向けて反応ガスを供給することにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対してマイクロ波を照射しながら、これとは別個独立して被処理体の温度制御を行うことができるマイクロ波照射装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してマイクロ波を照射して処理をするマイクロ波照射装置２において、真空排気が可能になされた処理容器４と、被処理体を支持する支持台６と、処理ガスを導入する処理ガス導入手段１０６と、マイクロ波を導入するマイクロ波導入手段７２と、被処理体を加熱する加熱手段１６と、被処理体を冷却ガスにより冷却するガス冷却手段１０４と、被処理体の温度を測定する放射温度計６４と、放射温度計の測定値に基づいて加熱手段とガス冷却手段とを制御することにより被処理体の温度を調整する温度制御部７０とを備える。これにより、被処理体に対してマイクロ波を照射しながら、これとは別個独立して被処理体の温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内でプロセス処理の結果判定や障害調査を確実に且つ迅速に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発生機構と、ガス供給機構とを備えるプロセスモジュールと、ウェハ搬送機構を備えるフロントエンドモジュールとで構成された基板処理装置において、コントローラ１００は、基板を処理する際において発生される温度、ガス流量、圧力、周波数、ＲＦパワーを少なくとも一つ含む情報を収集する収集手段１０４と、収集した情報を演算する演算手段１０４と、収集した情報及び演算した結果の少なくとも一方を蓄積する蓄積手段１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】特殊部品に影響を与えないように安全な操作の立下げ(シャットダウン操作)を促す機能を備えた基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、
前記表示部は、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段とを備えた画面を表示する。 （もっと読む）

【課題】基板処理(ＪＯＢ)開始時に基板処理で使用される処理室に対して、予め必要と思われる前処理を一括で実施することにより、大気搬送ロボットの待機状態を解消し、基板処理(ＪＯＢ)の処理スループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に連接され、前記基板を搬送する搬送手段を備える搬送室と、基板を格納する基板収容器が載置される基板載置台と、前記基板収容器から最初の基板を搬出するときに、前記基板を処理する際に使用される全ての処理室を前処理するように制御する制御手段で少なくとも構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記処理室外に設けられるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部で発生させたマイクロ波を前記処理室内に供給する導波口であって、該導波口の中心位置が、前記基板支持部で支持された基板の中心位置から偏心しており、該導波口が前記基板支持部で支持された基板の表面に対向している導波口と、前記導波口に対する前記基板支持部の水平方向における相対的な位置を変動させる制御部と、から基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 気相成長した半導体膜の面内の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】 気相成長装置１００は、基板４４の表面に半導体膜を成長させる。気相成長装置１００は、気相成長室３８と、攪拌室２と、連通路１４と、調整装置１を有する。気相成長室３８は、基板４４が載置される載置台３４を有する。攪拌室２は、複数の原料ガスを攪拌して混合原料ガス１０を生成する。連通路１４は、気相成長室３８と攪拌室２を連通する。調整装置１は、混合原料ガス１０を気相成長室３８内に対して導入する導入量を調整する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に基板を収容し、基板に所定の処理を施す半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられた処理チャンバ内パーツを加熱する半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法であって、第１の処理チャンバ内パーツを透過し、第１の処理チャンバ内パーツとは異なる材料からなる第２の処理チャンバ内パーツに吸収される波長域の加熱用の光を発生させる加熱用光源を処理チャンバの外側に配設し、加熱用の光を第１の処理チャンバ内パーツを透過させて第２の処理チャンバ内パーツに照射し、第２の処理チャンバ内パーツを加熱する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波による加熱処理装置において基板の面内温度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内で基板を支持する基板支持部５と、処理室の壁面に開口する基板搬入搬出口１０を開閉すると共に基板搬入搬出口１０を閉じた際には処理室の内壁面の一部を構成する開閉部９と、処理室内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部４と、を備えている。処理室の内壁面のうち、基板支持部５上に支持された基板Ｗの処理面に対向する面７と開閉部が構成する面９とを結ぶ面８が、基板Ｗの処理面に対して斜めに構成された。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のＣＶＤ装置で用いることの出来なかった材料により成膜を可能にし、さらに不純物が混じらない高品質の成膜を可能とした薄膜堆積方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非平衡プラズマにより原料ガス１４に与えるエネルギーと、原料ガス１４より生成する目的の反応生成物固有のポテンシャルエネルギーとの差分のエネルギーを求め、ポテンシャルエネルギーが不足の場合、前記差分のエネルギーを補充するレーザ光１９の波長を求め、ポテンシャルエネルギーが余剰の場合、差分のエネルギーを誘導放出により放出するレーザ光１９の波長を求め、非平衡プラズマ化された原料ガス１４に、求めた波長のレーザ光１９を照射して、原料ガス１４の基底準位を前記ポテンシャルエネルギーに遷移し、原料物質より目的の反応生成物を解離または分解し、被成膜物質１２に堆積して成膜する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板を熱的に処理するために発光ダイオード（ＬＥＤ）を組み込んでいる基板処理機器および方法に関連する。かかる光源は、より高い効率およびより早い反応時間を含む各種の利点を提供する。パルス幅は、１ミリ秒以下まで選択可能であるが、１秒までおよび１秒を超える長いパルスに及ぶ場合がある。ＬＥＤが５０％よりも高い効率で光を生成し、タングステン−ハロゲンランプが５％よりも低い効率で動作するので、より長い処理時間を認める環境においてさえ、ＬＥＤがタングステン−ハロゲンランプよりも好ましい。
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【課題】ウエハ面内温度分布均一性を高める。
【解決手段】バッチ式熱処理装置において、プロセスチューブ３６外に電磁波を閉じ込めるシールド５２を同心円状に設置し、シールド５２の中央高さに電磁波導入ポート５３を穿設し、電磁波導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５を接続する。複数枚のウエハ１を処理室３７に搬入するボート４２の同一段の保持溝４６、４６、４６にシリコンからなるホルダ４７を架設して、ウエハ１をホルダ４７の保持穴４８に収容して保持する。マイクロ波のウエハ周縁部への集中をホルダによって吸収することにより、ウエハ周縁部が極端に加熱されるのを防止できる。 （もっと読む）

基板上の低誘電率(low-k)誘電膜を硬化させるシステムが開示されている。前記のlow-k誘電膜の誘電率は約4未満の値である。当該システムは、前記low-k誘電膜を電磁(EM)放射線−たとえば赤外(IR)放射線又は紫外(UV)放射線−へ曝露させるように備えられた1つ以上の処理モジュールを有する。
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【課題】高品質な半導体の製造し、光電変換効率に優れる太陽電池、燃料電池を提供すること。
【解決手段】半導体材料２２の表面２３にレーザー光２４を照射することで、表面２３に二酸化チタンの層が形成されるとともに、ナノオーダーの酸化膜が成長して半導体２１の薄膜が完成する。前記半導体材料は純チタン又はチタンをコーティングした材料である。シリコンや化合物、さらには電解溶液や色素ゲルを使用することなく、従来と全く異なる方法で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一かつ効率よく加熱する。
【解決手段】筐体１１とともに処理室１２を形成する誘電体ドーム１３と、高周波電力を整合器１６を介してコイル１４に供給する高周波電源１５と、処理室１２内を排気する排気管２０と、処理室１２内にガスを導入するガス導入管２２と、処理室１２内でウエハ１を保持するサセプタ２３とを備えた枚葉式プラズマ処理装置１０において、サセプタ２３上にマイクロ波吸収板２４を載置し、サセプタ２３下方にマイクロ波を導入するキャビティ２６を設け、キャビティ２６底にマイクロ波導入口３７を有する仕切り板２７を昇降可能に配置する。仕切り板２７下方に設置したエレベータ２８のシャフト２９に水平に固定した支持台３０上にマイクロ波電源３１を設置し、マイクロ波電源３１は複数の導波管、アイソレータ３３、整合器３５を介してマイクロ波導入口３７に接続する。 （もっと読む）

【課題】真空処理容器内におけるパーティクルの落下を低減し、半導体基板の製品歩留まりの低下を低減するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空処理容器内に配置され、マイクロ波を吸収し発熱、昇温するマイクロ波吸収発熱体を有するプラズマ処理装置であって、マイクロ波を使用する真空処理容器内での昇華物再付着防止のため、真空処理容器内部にマイクロ波吸収発熱体を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の処理工程でプラズマを励起せず、マイクロ波吸収発熱体を加熱し、第２の処理工程で被処理基板を挿入し、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた誘電体膜を形成することができる誘電体膜の製造方法及び圧電素子の製造方法並びに赤外線加熱装置を提供する。
【解決手段】基板１１０の一方面側に有機金属化合物のゾルを塗布して誘電体前駆体膜７１を形成する工程と、前記基板１１０の前記誘電体前駆体膜７１に相対向する領域から当該誘電体前駆体膜７１の吸収率の大きい波長領域を除外した波長領域の赤外線を照射すると共に、前記基板１１０の他方面側から赤外線を照射して前記誘電体前駆体膜７１を加熱焼成して結晶化する工程とを具備する。 （もっと読む）