【課題】枚葉式成膜装置によってウェーハを連続処理する際に、１枚目と２枚目以降とにおいて同様のウェーハ面内膜厚分布を得る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、活性種を含む反応ガスを用いて、複数の半導体基板上に順に薄膜を形成する成膜工程を備える。成膜工程は、反応室において複数の半導体基板に対して１枚ごとに行なうと共に、複数の半導体基板のうち１枚目の半導体基板上に薄膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、複数の半導体基板のうち２枚目以降の半導体基板上に薄膜を形成する工程（ｂ）とを含み、工程（ａ）は、工程（ｂ）とは異なる条件をもって行なう。 （もっと読む）

【課題】基板加熱手段としてランプ加熱ユニットを具備する半導体製造装置に於いて、ランプの両端部、及び両端部の固定部、隣接する構造部が、前記両端部からの熱輻射によって加熱されない様にする。
【解決手段】基板加熱手段としてランプ加熱ユニット１７を具備する半導体製造装置に於いて、前記ランプ加熱ユニットのランプ１が基板４４に対向する加熱部と該加熱部に連続する端部を具備し、該端部は該端部からの輻射熱を反射する端部カバーで覆われた。 （もっと読む）

基板上に薄膜材料を堆積させるための方法を開示し、その方法は、一連のガスフローを同時に薄膜堆積装置の配送ヘッドのアウトプット面から基板の表面に向けることを含み、前記一連のガスフローは第一の反応性気相材料、不活性パージガス及び第二の反応性気相材料を少なくとも含み、前記第一の反応性気相材料は前記第二の反応性気相材料で処理した基板表面と反応することができ、１つ以上のガスフローは前記基板の表面を前記配送ヘッドの前記面から分離することに少なくとも寄与する圧力を提供する。このような方法を実施することができる装置も開示される。
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【課題】アニール時のアニール時間および温度プロファイルを自由に設定することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】コンデンサ９３と、コイル９４と、フラッシュランプＦＬと、ＩＧＢＴ等のスイッチング素子９６とが直列に接続されている。スイッチング素子９６のゲートには制御部３からパルス信号を出力することができる。パルス信号の波形は、入力部３３からの入力内容に従って波形設定部３２が設定する。コンデンサ９３に電荷が蓄積された状態にてスイッチング素子９６のゲートにパルス信号を出力することによってフラッシュランプＦＬを間欠的に発光させる。スイッチング素子９６に印加するパルス信号の波形を変更することによって、フラッシュランプＦＬに流れる電流の波形が変化して発光態様も変化し、半導体ウェハーの温度プロファイルも変化することとなる。 （もっと読む）

【課題】処理容器周辺部の温度上昇を抑制できるＭＭＴ装置を提供する。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、上側容器１３の外側表面に熱遮蔽部４２を形成する。ヒータおよびウエハから照射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線を熱遮蔽部によって遮蔽することにより、筒状電極や筒状磁石の温度上昇を抑制できる。
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【課題】プラスチック基板上へのＺｎＯ単結晶の堆積方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドからなるプラスチック性の基板１３を４００〜５００℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給する。このとき、所定の圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を載置し、チャンバ１１内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が１００：１〜５０としてもよいし、また基板１３に対して波長２００〜６８０ｎｍの光を照射し、基板１３を２００〜５００℃で加熱するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理温度が比較的低い温度に設定される急速熱処理において、被処理体の温度分布が均一となるよう加熱処理することのできる光照射式加熱処理装置の提供。
【解決手段】 この光照射式加熱処理装置は、チャンバの内部にフィラメントランプが面状光源を構成するよう配置されてなり、当該フィラメントランプからの光照射により、被処理体を所定の加熱処理温度まで急速に上昇させる昇温加熱工程と、当該昇温加熱工程における当該フィラメントランプの駆動電力よりも低い駆動電力が投入されてフィラメントランプが点灯駆動されることにより、当該加熱処理温度を維持した状態で被処理体を加熱する定温加熱工程とから成る加熱処理を行うものであって、前記チャンバの内部に、被処理体を主として透過する波長の光を吸収する吸光体が配置されている。 （もっと読む）

【課題】バレル型気相成長装置において、ウェーハ上に薄膜を気相成長させる場合に、ウェーハ裏面へのシリコン転写が抑制することができ、高品質で、歩留まりが高いエピタキシャルウェーハを生産することができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させる気相成長方法であって、反応室内に複数枚の板状のサセプタが角錐台形状に設置され、該サセプタは表面にＳｉ膜が形成された黒鉛からなり、該サセプタの外表面にウェーハを収容可能な円形ザグリ部が形成されている気相成長装置の前記ザグリ部にウェーハを収容し、該ウェーハを外表面側から加熱して、ウェーハ表面に薄膜を気相成長させ、その後冷却する際に、少なくとも気相成長温度より所定温度までは１００℃／分以下の降温速度で降温することを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】 液状の原料を確実に気化させることができ、配管や処理チャンバ内の汚染を防止して良好な表面処理を可能とする表面処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理物Ｓが配置される処理チャンバ２と、この処理チャンバに接続された気化器６とを備え、この気化器にその表面処理を行う表面処理装置において、前記気化器６から処理チャンバ内に通じ被処理物に至る経路に原料が衝突する加熱体９、１０を設けた。 （もっと読む）

内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタに関する。当該サセプタは、上面、および当該上面と反対の下面を有する本体を備える。当該サセプタは、当該上面から当該本体に仮想の中央軸に沿って下方に延びる凹部を有する。当該凹部はその中に半導体ウェハを受容することができる大きさおよび形状に形成されている。当該サセプタは、当該本体を貫通し凹部から下面まで延びる複数のリフトピン開口部を有する。複数のリフトピン開口部のそれぞれは、ウェハを凹部に対して選択的に上昇または下降させるため、リフトピンを受容することができる大きさに形成されている。サセプタは、本体から中央軸に沿って凹部から下面まで延びる中央開口部を有する。
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【課題】ＣＶＤ反応装置において、サセプタ上の回転テーブルにガスを供給するガス供給系を単純化する。
【解決手段】ＣＶＤ反応装置は、回転駆動されるサセプタ（１）の上で動的ガスクッション（３）によって運ばれる多数の回転テーブル（２）を備える。各ガスクッション（３）は個別に制御されるガス流によって形成され、各ガス流は温度測定デバイス（４）によって測定される表面温度に応じて個別の制御素子（５）によって変えられる。ＣＶＤ反応装置は、更に、サセプタ（１）を運び、サセプタ（１）とともに回転するキャリア（６）を備える。共通ガス供給ライン（７）がキャリア（６）内に開いてガス流を形成するガスを供給し、制御素子（５）がキャリア（６）に配置される。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置を使用する半導体装置の製造工程において、しきい値温度を超えない範囲での温度のハンチングが生じる状態を異常として検知できる技術を提供する。
【解決手段】熱処理装置に形成されている複数のランプ４ａ〜４ｌに電流を供給することにより点灯して、半導体ウェハを加熱する。このとき、ランプ４ｉによって半導体ウェハの外周領域に熱が供給される。半導体ウェハの外周領域に熱を供給するランプ４ｉには電流センサ６が設けられており、ランプ４ｉに供給される電流が電流センサ６により測定される。電流センサ６により測定された電流値は、実効値変換部７により実効値に変換されて検知部８に入力する。検知部８では、電流値にハンチングがあるかを検知し、所定値以上のハンチングが存在する場合、半導体ウェハに温度異常があると判断して警告部９による警告を実施する。 （もっと読む）

【課題】純度の高いＡｌ系III族窒化物結晶を低コストで提供する。
【解決手段】〔１〕ハロゲンガスを含むＡｌ原料とアンモニアを含む窒素原料を結晶表面で反応させるＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔２〕前記ハロゲンガスが塩素である〔１〕記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔３〕前記Ａｌ原料がＡｌＣｌ₃である〔１〕または〔２〕記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔４〕前記Ａｌ系III族窒化物がＡｌＮである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。
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【課題】基板処理装置内を搬送される被処理基板の表面上にパーティクルが付着することを防止する。
【解決手段】カセット容器４００から搬送室２００に搬入される直前のウエハＷの温度が搬送室内の温度よりも高く（例えば，＋２〜１２℃）なるように，ウエハの温度と搬送室内の温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段を備え，温度調整手段は例えば暖気供給部５００によって搬送室内の温度よりも高い温度に調整された暖気をカセット容器内に供給し，ウエハの表面上の雰囲気に温度勾配を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】膜質のばらつきを減少して優れた膜を形成することが可能な気相反応成長装置および気相反応成長方法を提供する。
【解決手段】処理装置１は、基板保持部材としてのサセプタ５と原料供給部材としてのガス供給部材１２と加熱部材としてのＵＶランプ１１と波長規制部材としてのフィルタ１３とを備える。サセプタ５は半導体基板７を保持する。ガス供給部材１２は、サセプタ５に保持された半導体基板７に膜を成長させるための原料ガスを供給する。ＵＶランプ１１は、サセプタ５に保持される半導体基板７にエネルギー線（紫外線）を照射することで表面を加熱する。波長規制部材（フィルタ１３）は、半導体基板７に照射されるエネルギー線の波長を規制する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、低誘電率ホウ素炭素窒
素薄膜を成膜することができる成膜方法を提供することを日的とすること。
【解決手段】前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズ
マを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素
炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィラメントランプの端部から導出された導電性部材に接続される複数本のリード線を効率良く配線することにより、フィラメントランプをより一層近接配置する。
【解決手段】フィラメントランプ１内の複数のフィラメント体に個別に電力を供給する光照射式加熱装置において、フィラメントランプ１の外部リード１８、２０の各々に電気的に接続された複数の第１の給電コネクタが所定の間隔で順次並列配置されるように保持するプラグハウジングとからなるプラグＰ１、Ｐ２と、前記第１の給電コネクタとそれぞれ接続される複数の第２の給電コネクタが前記第１の給電コネクタの配置間隔と対応するように所定の間隔で順次並列配置されるように保持するレセプタクルハウジングとからなるレセプタクルＲ１、Ｒ２を具備しており、プラグＰ１、Ｐ２とレセプタクルＲ１、Ｒ２が接続され一体のコネクタが構成される。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバに前駆物質を分配するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】 装置は、複数のガス分配ゾーンを持つガス分配アセンブリを含む。各ゾーンは、前駆ガスを受容するための入口を持つプレナムと、赤外光源のような少なくとも一つの非熱エネルギー源とを含んでもよい。少なくとも一つの非熱エネルギー源は、赤外光源からの波長の強度を制御するために変動してもよい。 （もっと読む）

本発明は、急速温度変化能力を持つ基板支持構造を含む半導体反応チャンバに関する。本発明の方法及び要素は、種々の温度が用いられる基板堆積プロセスと関連したプロセスを用いることができる。本発明の利点によれば、本発明の反応チャンバと基板支持構造は、短時間に温度を変化させることができ、それによってより速い処理時間を可能にする。基板支持構造は、一般的には、約１０℃/秒を超える急速な温度変化を可能にするように構成された材料から形成されたサセプタ表面を含む。 （もっと読む）