【課題】均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板上に成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、原料ガスが供給される真空容器２と、真空容器２内を減圧する真空ポンプ３と、真空容器２内に設置されたカソード電極４と、真空容器２内に設置されカソード電極４に対して基板８を略平行に支持する載置面５Ａを有するアノード電極５と、アノード電極５に設けられた基板加熱機構１０と、カソード電極４とアノード電極５との間にプラズマ９を発生させる高周波電源７とを備える。基板加熱機構１０は、相互に独立して駆動される第１加熱機構１１および第２加熱機構１２を有し、第１加熱機構１１は載置面５Ａ内の略全面を加熱し、第２加熱機構１２は載置面５Ａ内を部分的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】光源と伝熱板を有する加熱ユニットにおける該伝熱板からの輻射を有効に利用できる加熱ユニットを提供すること。
【解決手段】ハロゲンランプにより伝熱板を照射し、該照射された伝熱板からの伝熱により被加熱物を加熱する加熱ユニットにおいて、前記伝熱板が、光透過性を有する保持体と、該保持体の被加熱物側に設けられ、該保持体を透過した光を吸収して発熱する伝熱体とからなり、前記保持体の光源側表面が鏡面加工され、該鏡面加工した表面の面粗さＲａ（μｍ）は、該伝熱体より輻射される輻射光の波長２．５（μｍ）より小さな値であること。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法を用いて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させる場合に、結晶組成値ｘを速やかに且つ正確に設定することによって、組成グレーディングを容易に実現する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この結晶成長装置１１０は、水素ガス供給ポート３０を備えている。この水素ガス供給ポート３０を介してＨ_２＋ＩＧガスを炉中に導入することによって、原料ガスの濃度は一定に保ったまま、水素ガスの濃度（分圧比）を調節する。その結果、成長部の水素ガス濃度（分圧比）を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。その結果、組成グレーディングを効率よく実行することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に基板を収容し、基板に所定の処理を施す半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられた処理チャンバ内パーツを加熱する半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法であって、第１の処理チャンバ内パーツを透過し、第１の処理チャンバ内パーツとは異なる材料からなる第２の処理チャンバ内パーツに吸収される波長域の加熱用の光を発生させる加熱用光源を処理チャンバの外側に配設し、加熱用の光を第１の処理チャンバ内パーツを透過させて第２の処理チャンバ内パーツに照射し、第２の処理チャンバ内パーツを加熱する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの外周部の厚さを容易且つ適切に制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を生成する際における、ウェーハＷを載置するためのサセプタ２６の外周部の高さ位置から、サセプタ２６のウェーハＷを載置する位置までのザグリ深さを特定するザグリ深さ情報を決定し（ステップＳ１）、サセプタ２６におけるザグリ深さが、ザグリ深さ情報により特定されるザグリ深さとなるように、サセプタ２６の外周部の高さ方向にシリコン膜を生成させ（ステップＳ４）、サセプタ２６にウェーハＷを載置させ、ウェーハＷにエピタキシャル層を生成する（ステップＳ７）ようにする。 （もっと読む）

堆積プロセスのための方法および装置を、本明細書で提供する。いくつかの実施形態において、装置は、サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ上面内に形成されポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、リップがリップ上に基板を支持するように構成される、サセプタプレートと、ポケットからサセプタプレートの上面に延在し、基板がリップ上に配設されるとき、基板の裏側とポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口とを備える基板支持体を含むことができる。基板上に層を堆積するため、本発明の装置を使用する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】低温成長薄膜の特性を備え、様々な種類の光電素子及び電子素子を改善し、集積回路素子の品質を改善することができる反応装置を提供する。
【解決手段】反応装置５００は、第１の加熱ユニット１００及び第２の加熱ユニット２００を備える。第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００とが向かい合うように配置して反応領域１５０を形成し、第１の加熱ユニット１００の内側面と第２の加熱ユニット２００の内側面とにより角度が形成され、第１の加熱ユニット１００の温度と第２の加熱ユニット２００の温度とを個別に制御する。第１の加熱ユニット１００上に少なくとも１つの基板３００を配置し、少なくとも１つの基板３００が第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００との間に位置し、第１の加熱ユニット１００上の少なくとも１つの基板３００上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】回転浮上体の径方向の力と回転トルクとを同一の電磁石で制御することにより不要な外乱の発生を抑制することができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理を施す処理装置において、処理容器と、被処理体を支持する非磁性材料よりなる回転浮上体と、回転浮上体に所定の間隔で設けられた磁性材料よりなる複数の回転ＸＹ用吸着体と、回転浮上体に周方向に沿って設けられた磁性材料よりなる浮上用吸着体と、処理容器の外側に設けられて浮上用吸着体に垂直方向上方に向かう磁気吸引力を作用させて回転浮上体の傾きを調整する浮上用電磁石群と、処理容器の外側に設けられて回転ＸＹ用吸着体に磁気吸引力を作用させて浮上された回転浮上体を水平方向で位置調整しつつ回転させる回転ＸＹ用電磁石群と、ガスを供給するガス供給手段と、被処理体に処理を施す処理機構と、装置全体の動作を制御する装置制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＯ_２膜やＳｒＴｉＯ膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成し、第１の高誘電率絶縁膜の結晶性を第２の高誘電率絶縁膜に反映させて、第２の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 輻射加熱源の温度を低温域から中温域として使用しても、シリコンウエハの加熱効率の低下を抑制することが可能な熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 輻射加熱源３１と、輻射加熱源３１の上方に設けられた第１の反射板８ａと、輻射加熱源３１の下方に設けられた第２の反射板８ｂと、を備え、シリコンを含む被加熱体Ｗが第１の反射板８ａと第２の反射板８ｂとの間に配置され、シリコンを含む被加熱体Ｗが、輻射加熱源３１からの輻射エネルギが第１の反射板８ａと第２の反射板８ｂとの間で反射を繰り返す空間Ｓ内で熱処理されるように構成する。 （もっと読む）

本発明は、一般に、基板を処理するための方法および装置に関する。本発明の実施形態は、放射熱源からの光に対して実質的に透明であるダイナミックヒートシンクを備える、基板を処理するための装置を含み、ダイナミックヒートシンクは基板の近くに配置され、この２つが結合する。本発明の追加の実施形態は、記載された装置を使用して基板を処理する方法を対象とする。
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基板を処理し、基板の加熱および冷却を制御する方法および装置が説明される。第１の波長範囲で放射する放射源が、所定の温度範囲内で基板を加熱し、この基板は、第１の波長範囲内の第２の波長範囲で、所定の温度範囲内の放射を吸収する。フィルタが、第２の波長範囲内の放射の少なくとも一部分が基板に達することを防ぐ。
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【課題】 加熱処理装置等にセッティングするときに、封止部を破損させるおそれの少ない支持構造を有するフィラメントランプを提供することである。
【解決手段】 両端に、金属箔が埋設されて気密に封止された板状の封止部を有する発光管と、前記発光管内に、発光管の管軸方向に伸びるように配設されたフィラメントと、前記フィラメントの両端のそれぞれに連設されるとともに、前記封止部に埋設された金属箔に対し電気的に接続された内部リードと、前記封止部を収納する有底開口を有するベース部と、前記ベース部に装着される固定用金具とを備え、前記固定用金具は、前記発光管の管軸方向に延伸して前記ベース部の有底開口に挿入される舌片部と、前記舌片部に連接され鉛直方向に延伸するとともに、回動自在な鉛直方向部とを有する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の配向率を改善し、強誘電体膜を有するデバイスの不良品発生率を小さくすること。
【解決手段】
基板上に強誘電体材料膜を形成する第１の工程と、前記強誘電体材料膜を形成した前記基板を熱処理炉内に配置し、前記熱処理炉内に熱処理雰囲気ガスを第１の流量で供給すると共に、前記第１の流量に対応する第２の流量で前記熱処理炉内を排気しながら、前記強誘電体材料膜を加熱して強誘電体膜を形成する第２の工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長において、裏面デポジションの成長を抑えることにより、得られるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させるエピタキシャルウェーハ用サセプタ、およびその製造方法、並びにそれを用いたエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長に用いられ、その表面にポリシリコンコートが０．５〜２．０μｍの膜厚で形成されたサセプタ３であって、前記ポリシリコンコートのグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ用サセプタ３、およびそれを用いたエピタキシャル成長装置。また、エピタキシャルウェーハ用サセプタの製造方法であって、表面を洗浄した後、シリコンソースガスとしてトリクロロシランを用い、１１４０℃〜１２００℃の加熱雰囲気中でポリシリコンコートを形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハ用サセプタ３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性を高めるとともに、表面荒れが抑制された酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体のアニール方法と基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体を、９５０℃以上１２５０℃以下、かつ、窒素また希ガスから選ばれる第一のガスと酸素との混合ガスが、前混合ガスに対する酸素の濃度が１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるガス雰囲気下でアニール処理する。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスの供給しつつワークに対して紫外線を照射する際に、ワークを回転させる回転機構等の複雑な構成を備える必要をなくし、かつ、ワークの全面に対して均質な処理を行うことが可能な紫外線照射装置用フランジ部材および紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】フランジ部材２０は、窓部材支持部５２４およびプロセスガス案内部を備える。プロセスガス案内部は、下側フランジ板５２における各窓部材支持部５２４の周囲に形成された溝５２０と、溝５２０と処理チャンバ１４内部とを連通するように鉛直方向に形成された複数のプロセスガス噴出孔５２２と、上側フランジ板５４に設けられガス供給装置２２から導入されたプロセスガスを溝５２０に導入するための導入孔５４２によって構成される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル被覆されたシリコンウェハのグローバル及びローカルフラットネスを実現する方法を提供する。
【解決手段】第１工程において水素雰囲気下で、第２工程及び第３工程においてこの水素雰囲気にエッチング媒体を添加しながら前処理し、引き続きエピタキシャル層を設け、その際、第１工程の間及び第２工程の間の水素流速、第２工程及び第３工程の間にエッチング媒体の流速は特定の速度であり、更に第２工程の間の反応器チャンバー中の平均温度は特定の温度であり、加熱エレメントの出力を特定の領域間で特定の温度差が存在するように制御し、第３工程の間に水素流速を特定速度に減少させるエピタキシャルに被覆されたシリコンウェハの第１の製造方法。第２の方法は、第３の前処理工程の間にエッチング媒体の流速を１．５〜５ｓｌｍに増加させ、その一方で水素流速は第３の前処理の間に減少させる必要はない。 （もっと読む）

【課題】連通路に流すパージガスの流れを制御し、連通路の上壁面に堆積する副生成物を抑制し、半導体ウェーハ上のパーティクルの発生量を低減してＬＰＤの発生量を低減可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成膜する反応ガスが反応室の供給口から供給される。反応ガスは、供給口に対向配置された排出口に向かって流される。一方、パージガスは、長さ方向が、この反応ガスの流れと略直交する方向に長い連通路に噴出される。このとき、連通路において、供給口側のパージガスの流量を排出口側のそれよりも多くする。 （もっと読む）