排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システム
【課題】 有害成分を含む排ガスを処理しないときの消費電力を小さくすることができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムを提供する。
【解決手段】 半導体処理装置から排出された排ガスを反応筒５１内に導入して当該排ガス中に含まれるＣＦ４等の有害成分を無害化する除害装置であって、反応筒５１内を加熱するハロゲンランプ５２を有する。反応筒５１内の温度を常時高温に維持する必要がなく、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置５０の消費電力を小さくすることができる。除害処理コストを低減することが可能である。
【解決手段】 半導体処理装置から排出された排ガスを反応筒５１内に導入して当該排ガス中に含まれるＣＦ４等の有害成分を無害化する除害装置であって、反応筒５１内を加熱するハロゲンランプ５２を有する。反応筒５１内の温度を常時高温に維持する必要がなく、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置５０の消費電力を小さくすることができる。除害処理コストを低減することが可能である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムに関し、特に、電子デバイス等の製造装置から排出される排ガス中の有害成分を無害化（即ち、除害処理）する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＰＦＣ（パーフロロカーボン化合物）ガスは地球温暖化との関係が指摘されており、その排出量の削減が強く求められている。半導体装置やＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）の製造工程では、一般に、ＳＦ６（六フッ化硫黄）や、ＰＦＣガスがプロセスガスとして用いられている。プロセスガスとは、例えば、製膜用の原料ガスや、薄膜エッチング用のエッチングガス等のことであり、半導体ウエーハにＩＣ回路を形成する上で必要なガスのことである。
【０００３】
半導体装置やＬＣＤの製造工程では、このようなＰＦＣガスの外界への排出量を少なくとも規制値以下とする目的で、半導体処理装置に繋がる排気ラインに除害装置が設けられている。除害装置としては、常温での処理が困難な有害な成分を無害化するため、排ガスを加熱して有害成分を熱分解する加熱ヒータ式の除害装置（例えば、特許文献１参照。）等が知られている。
【０００４】
図７は従来例に係る除害装置９０の構成例を示す概念図である。図７に示すように、この除害装置９０は、排ガス処理用の反応筒と、この反応筒９１を外側から囲むヒータ９２とを有する。ヒータ９２は、除害装置９０のメンテナンス時以外は常時オン状態となっており、反応筒９１の内部を４００〜８００［℃］程度の高温に維持し続けるようになっている。半導体処理装置から排出された排ガスは、ガス排出管９２を通って、この高温状態にある反応筒９１内に導入される。そして、この反応筒９１内で熱分解され、その後、外界へ排気される。
【特許文献１】特開２０００−７０６６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来例に係る除害装置９０によれば、ヒータ９２は常時オン状態となっており、反応筒９１の内部を４００〜８００［℃］程度の高温に維持し続けていた。これは、ヒータ９２の昇降温には時間がかかり、ヒータ９２を一旦オフしてしまうと、その復旧（即ち、再び高温に戻す）に多くの時間がかかるためであった。
図８は、ヒータ９２の昇温特性を示す図である。図８の横軸は経過時間を示し、縦軸はヒータ９２の温度を示している。図８に示すように、ヒータ９２を室温から例えば８００℃まで昇温させるには、少なくとも３０分から１時間程度を要してしまう。
【０００６】
しかしながら、半導体処理装置は、その処理方式が枚葉式の場合もバッチ式の場合も、そのチャンバ内にＳＦ６や、ＰＦＣガス等の有害なガスを常時流し続けるわけではない。これらの半導体処理装置には、Ｎ２等の無害なガスをそのチャンバ内に流してパージするような待機時間が存在する。また、図７に示した除害装置９０は、通常、半導体処理装置１台又は２，３台につき、１台がその後段に配置されている。従って、反応筒９１には、半導体処理装置の製品処理に連動して、有害ガスと無害ガスとが交互に、例えば数分間隔で流れてくる。
【０００７】
従来の除害装置９０では、その反応筒９１に無害ガスが流れてくるときもヒータ９２はオン状態にあり、その反応筒９１内の温度は高温度に維持されているので、消費電力が大きいという問題があった。
そこで、この発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、有害成分を含む排ガスを処理しないときの消費電力を小さくすることができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
〔発明１〕 上記目的を達成するために、発明１の排ガスの除害装置は、所定の製造装置から排出された排ガスを排ガス処理室内に導入して当該排ガス中の有害成分を無害化する除害装置であって、前記排ガス処理室内を加熱する加熱ランプを有することを特徴とするものである。
ここで、所定の製造装置とは、例えば半導体装置やＬＣＤ等を製造するための製造装置である。また、排ガスとは、例えば、ＳＦ６や、ＰＦＣガスなど地球環境等に有害な成分を含む排気ガスのことである。ＰＦＣガスとしては、例えば、Ｃ２Ｆ６（六フッ化エタン）、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＣＦ４（四フッ化メタン）、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）等が挙げられる。さらに、加熱ランプとは、例えばハロゲンランプのことである。ハロゲンランプは、ヒータと比べて、昇降温速度が大きいという特徴がある。
【０００９】
図６は、ハロゲンランプの昇温特性を示す図である。図６の横軸は経過時間を示し、縦軸はハロゲンランプの温度を示している。図６に示すように、ハロゲンランプの場合、室温から例えば１２００℃まで昇温するのに要する時間は、僅か０．１分程度である。図８と比較して分かるように、ハロゲンランプの昇温速度は、ヒータと比べて、極めて大きい。
【００１０】
発明１の排ガスの除害装置によれば、所定の製造装置で実行される処理に基づいて加熱ランプをフィードフォワード制御することができ、排ガス処理室内の温度を排ガスが流れてくるタイミングに遅滞なく追従させることが可能である。
従って、従来方式と比べて、排ガス処理室内の温度を常時高温に維持する必要がなく、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置の消費電力を小さくすることができる。これにより、除害処理コストを低減することが可能である。
【００１１】
〔発明２〕 発明２の排ガスの除害装置は、発明１の排ガスの除害装置において、前記製造装置で実行される処理に基づいて前記加熱ランプをフィードフォワード制御する制御部を有することを特徴とするものである。
【００１２】
ここで、所定の製造装置には、当該製造装置に有害成分を含む処理ガスを供給するガス供給管が取り付けられている。制御部による加熱ランプのフィードフォワード制御は、例えば、このガス供給管に取り付けられたバルブの開閉信号に基づいて行う。
発明２の排ガスの除害装置によれば、例えば、排ガス処理室内に排ガスが流れてくるときには、制御部は加熱ランプをオンさせ、排ガス処理室内の温度を例えば４００〜１２００℃程度まで速やかに昇温させることが可能である。また、排ガス処理室内に排ガスが流れてこなくなったときには、制御部は加熱ランプをオフさせて、排ガス処理室内を速やかに降温させることが可能である。
【００１３】
〔発明３〕 発明３の排ガスの除害装置は、発明２の排ガスの除害装置において、前記排ガス処理室の出口側に設けられて当該排ガス処理室内で熱処理された前記排ガスの成分を検知する成分検知器を有し、前記制御部は、前記成分検知器による前記排ガスの成分の検知結果に基づいて前記加熱ランプをフィードバック制御することを特徴とするものである。
【００１４】
このような構成であれば、排ガス処理室から出てきた排ガス中に有害成分が検知された場合に、制御部はこの検知結果に基づいて加熱ランプをフィードバック制御し、排ガス処理室内の温度を上昇させることが可能である。これにより、除害処理の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
〔発明４〕 発明４の排ガスの除害装置は、発明１から発明３の何れか一の排ガスの除害装置において、前記排ガス処理室内での前記排ガスの流れを迂回させるために当該排ガス処理室内に設けられた整流板を有することを特徴とするものである。
【００１６】
このような構成であれば、排ガス処理室内での排ガスの滞留時間を長くすることができるので、排ガスの熱処理時間を実質延長することができ、排ガスの除害率の向上に貢献することができる。
【００１７】
〔発明５〕 発明５の排ガスの除害装置は、発明１から発明４の何れか一の排ガスの除害装置において、前記排ガス処理室内を加熱するためのヒータを有することを特徴とするものである。
【００１８】
ここで、ヒータのメリットとしては、均熱長が長いので、排ガスの流量が例えば１〜１０［リットル／秒］と大きい場合でも、これらの排ガスを十分熱処理して無害化することができる、という事が挙げられる。
発明５の排ガスの除害装置によれば、例えば、排ガス処理室内に大量の排ガスを流す場合には、ヒータと加熱ランプとの両方をオンすると、ヒータが暖まる前に加熱ランプは速やかに所定の高温度に到達する。従って、ヒータが暖まるまでは加熱ランプで排ガス処理室内を加熱することができる。また、ヒータが暖まった後は、加熱ランプをオフすることで、ヒータだけで排ガス処理室内を加熱することができる。
【００１９】
これにより、ヒータのデメリットである昇温速度の遅さを加熱ランプで補うことができると共に、大量の排ガスを無害化できるというヒータのメリットを生かすことができる。ヒータをオンした直後から排ガス処理室内に排ガスを導入することができるので、除害装置の使い勝手を向上させることができる。
【００２０】
〔発明６〕 発明６の排ガスの除害方法は、発明１から発明５の何れか一の除害装置を用いて、所定の製造装置から排出された排ガスを除害処理することを特徴とするものである。
このような構成であれば、発明１から発明５の何れか一の除害装置が応用されるので、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置の消費電力を小さくすることができる。
【００２１】
〔発明７〕 発明７の電子デバイスの製造システムは、発明１から発明５の何れか一の除害装置と、１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置とを有することを特徴とするものである。
ここで、電子デバイスとは、例えば半導体装置やＬＣＤ等のことである。また、電子デバイスの製造装置としては、例えば、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置や、ドライエッチング装置等が挙げられる。これら、電子デバイスの製造装置の１台又は複数台の後段に、１台の除害装置が接続される。
発明７の電子デバイスの製造システムによれば、発明１から発明６の何れか一の除害装置を用いて、電子デバイスの製造装置から排出される排ガスを除害処理することができる。従って、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置の消費電力を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムについて説明する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造システム１００の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、この半導体装置の製造システム１００は、半導体処理装置１０と、処理ガス供給用のガス供給管１５と、半導体処理装置１０で所定の処理に用いられた後の処理ガス（即ち、排ガス）を排出するためのガス排出管１６及びドライポンプ２０と、ドライポンプ２０によって排出された排ガス中の有害成分を無害化する除害装置５０とを有する。
【００２３】
図１に示す半導体処理装置１０は、例えば、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置や、ドライエッチング装置等である。また、この半導体処理装置１０に処理ガスを供給するガス供給官１５には、ガス供給管１５を開閉する電磁バルブ３０や、ガス供給管１５を流れる処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ４０が設けられている。ガス供給管１５から半導体処理装置１０に供給される処理ガスは、例えば、地球環境に有害なＳＦ６や、ＰＦＣガス等である。ＰＦＣガスとしては、例えば、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３等が挙げられる。
【００２４】
図２は、本発明の第１実施形態に係る除害装置５０の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、この除害装置５０は、排ガス処理用の反応筒５１と、複数のハロゲンランプ５２と、コントローラ５３とを有する。
これらの中で、反応筒５１は、例えば石英ガラスからなるものである。この反応筒５１の内部への入口側と、内部からの出口側とには、ガス排出管１６がそれぞれ取り付けられている。また、ハロゲンランプ５２は、反応筒５１の内部を例えば４００〜１２００［℃］程度の高温度まで加熱するものである。このハロゲンランプ５２は反応筒５１の外側に複数個設けられている。図２では、作図の便宜上からハロゲンランプ５２を４個記載しているが、ハロゲンランプ５２は反応筒５１の大きさ（径、長さ）等に応じて任意の個数だけ用意されているものとする。
【００２５】
コントローラ５３は、図２に示す各ハロゲンランプ５２をオン、オフしたり、その出力を制御したりするものである。このコントローラ５３は、例えば有線又は無線等を介して、上記した電磁バルブ３０（図１参照）又は半導体処理装置１０（図１参照）に接続されている。そして、電磁バルブ３０の開閉に関する信号（以下、「バルブ開閉信号」という。）を受信するようになっている。この図１に示す半導体装置の製造システム１００では、コントローラ５３は、このバルブ開閉信号に基づいて、各ハロゲンランプ５２をフォードフォワード制御するようになっている。コントローラ５３は、例えばＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）とＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）等で構成されている。
【００２６】
次に、この除害装置５０を用いて、半導体処理装置１０から排出される排ガスの除害方法について説明する。ここでは、図１に示す半導体処理装置１０は例えばドライエッチング装置であり、この半導体処理装置１０内に導入される処理ガスは例えばＣＦ４であることを想定する。そして、この半導体処理装置１０から排出されるＣＦ４を含む排ガスを、その後段にある除害装置５０で無害化することについて説明する。
【００２７】
まず始めに、図１において、半導体処理装置１０から電磁バルブ３０にガス供給管１５を開かせる「バルブ開」信号が送られる。また、この半導体処理装置１０からマスフローコントローラ５３４０に、ガス供給管１５内を流れる処理ガスの流量を所定値に設定する流量制御用の信号が送られる。「バルブ開」信号が電磁バルブ３０に送られると、電磁バルブ３０は開き、ＣＦ４はガス供給管１５を通ってマスフローコントローラ４０側へ流れる。また、流量制御用の信号がマスフローコントローラ４０に送られると、ガス供給管１５を通って流れてきたＣＦ４はその流量が調整される。
【００２８】
そして、流量調整されたＣＦ４は、半導体処理装置１０の減圧されたチャンバ（図示せず）内に導入され、エッチングガスとして使用される。また、このエッチング処理に使用された後のＣＦ４を含む排ガスは、ドライポンプ２０によって半導体処理装置１０の外へ引き出され、図２に示す除害装置５０の反応筒５１の入口側に接続するガス排出管１６に送られる。そして、このガス排出管１６から反応筒５１の内部にＣＦ４を含む排ガスが送られる。図１に示した電磁バルブ３０が開いてからＣＦ４を含む排ガスが反応筒５１の内部に到達するまでの所要時間は、配管長や排気速度により異なるが例えば０．５［分］程度である。
【００２９】
一方、コントローラ５３は、図１に示した電磁バルブ３０が開かれると同時に、電磁バルブ３０又はコントローラ４０（図１参照）等から「バルブ開」信号を受信する。そして、この「バルブ開」信号を受けて、コントローラ５３はハロゲンランプ５２に電源を供給し、反応筒５１内の温度を例えば８００［℃］ 程度まで昇温させる。言い換えれば、コントローラ５３は、電磁バルブ３０が開かれたことをトリガーにして、ハロゲンランプ５２をオンする。反応等内の温度が８００［℃］程度に到達するのに要する時間は、図６に示したように、例えば０．１［分］以内である。
【００３０】
従って、ガス排出管１６から反応筒５１の内部にＣＦ４を含む排ガスが送られてきたときには、反応筒５１内の温度は既に８００［℃］近辺となっているので、ＣＦ４をＣＯ２とＨＦとに分解することが可能である。この分解されたＣＯ２とＨＦは反応等の出口側に接続するガス排出管１６を通ってスクラバー（図示せず）に送られ、特にＨＦは水に溶かされて廃棄される。
【００３１】
また、半導体処理装置１０によるエッチング処理が終了し、この半導体処理装置１０から電磁バルブ３０にガス供給管１５を閉じさせる「バルブ閉」信号が送られると、ガス供給管１５内におけるＣＦ４の流れは止まるので、ＣＦ４の除害処理は不要となる。コントローラ５３は、図１に示した電磁バルブ３０が閉じられると同時に、電磁バルブ３０又はコントローラ４０（図１参照）等から「バルブ閉」信号を受信する。そして、この「バルブ閉」信号を受けてから、例えば上記の所要時間（即ち、電磁バルブ３０を通過してから反応筒５１内に排ガスが到達するのに要する時間）が経過した後で、コントローラ５３はハロゲンランプ５２への電源の供給を停止する。言い換えれば、コントローラ５３は、電磁バルブ３０が閉じられたことをトリガーにして、ハロゲンランプ５２をオフする。これにより、反応筒５１内の温度は例えば８００［℃］から室温に向けて低下していく。
【００３２】
このように、本発明の第１実施形態に係る除害装置５０によれば、半導体処理装置１０で実行される処理に基づいてハロゲンランプ５２をフィードフォワード制御することができる。そして、反応筒５１内の温度をＣＦ４を含む排ガスが流れてくるタイミングに遅滞なく追従させることが可能である。
従って、従来方式と比べて、反応筒５１内の温度を常時高温に維持する必要がない。ＣＦ４等の有害成分を含む排ガスを処理しないときには、ハロゲンランプへの電源の供給を停止して、除害装置５０の消費電力を小さくすることができる。これにより、除害処理コストを低減することが可能である。
【００３３】
また、ヒータ９２（図７参照）と比べて、ハロゲンランプ５２は降温速度も速いので、ハロゲンランプ５２をオフしてから短時間のうちに反応筒５１内を室温付近まで冷やすことができる。これにより、除害装置５０のメンテナンス時には、待ち時間をあまり設けることなく反応筒５１を冷やすことができ、メンテナンス作業を早く開始することができるので、メンテナンスの短時間化にも貢献することができる。
【００３４】
さらに、このハロゲンランプ５２を備えた除害装置５０によれば、ハロゲンランプ５２の優れた加熱特性により、反応筒５１内を２０００［℃］付近まで加熱することができるので、より多くの種類の有害成分を分解して無害化することができる。
この第１実施形態では、反応筒５１が本発明の排ガス処理室に対応し、半導体処理装置１０が本発明の所定の製造装置に対応している。また、ＳＦ６や、ＣＦ４等のＰＦＣガスが本発明の有害成分に対応し、ハロゲンランプ５２が本発明の加熱ランプに対応している。そして、コントローラ５３が本発明の制御部に対応している。
【００３５】
なお、図１には、半導体処理装置１０を１台しか記載していないが、半導体処理装置１０は複数台でも良い。例えば、半導体処理装置１０は２台又は３台であり、これら２台又は３台の半導体処理装置１０の後段に１台の除害装置５０が接続されていても良い。このような場合でも、除害装置５０の消費電力を小さくすることができ、除害処理コストを低減することが可能である。
（２）第２実施形態
図３は、本発明の第２実施形態に係る除害装置１５０の構成例を示すブロック図である。図３において、図１に示した除害装置５０と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００３６】
図１に示すように、この除害装置１５０は、反応筒５１の出口から出てくる排ガス中の有害成分の濃度を常時監視する濃度センサ５４を備えている。この濃度センサ５４は、有線又は無線によってコントローラ５３と接続されており、濃度センサ５４による有害成分の濃度測定値がコントローラ５３にリアルタイムに送信されるようになっている。濃度センサ５４によって、反応筒５１内から出てきた排ガス中に有害成分が検知された場合には、この検知結果がコントローラ５３に送信される。
【００３７】
このような構成であれば、コントローラ５３は、ハロゲンランプ５２をフィードバック制御することができ、有害成分が検知された場合には反応筒５１内の温度を上昇させることができる。従って、除害処理の信頼性を向上させることができる。この第２実施形態では、濃度センサ５４が本発明の成分検知器に対応している。
（３）第３実施形態
図４は、本発明の第３実施形態に係る除害装置２５０の構成例を示す概念図である。図３において、図２に示した除害装置５０と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。図４に示すように、この除害装置２５０の反応筒５１内には、反応筒５１の開口断面積よりも面積が小さい整流板５５が複数枚設けられている。例えば、これらの整流板５５は、反応筒５１内の上側と下側とに交互に設けられている。
【００３８】
このような構成であれば、反応筒内５１内に導入された排ガスは、図４の破線矢印で示すように反応筒５１内を迂回しながら流れる。従って、反応筒５１内での排ガスの滞留時間を長くすることができる。これにより、ＣＦ４等の有害成分を含む排ガスの熱処理時間を実質延長することができ、除害率の向上に貢献することができる。
（４）第４実施形態
図５は、本発明の第４実施形態に係る除害装置３５０の構成例を示す概念図である。図５において、図２に示した除害装置５０と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００３９】
図４に示すように、この除害装置３５０では、２つの反応筒５１ａ及び５１ｂが設けられており、一方の反応筒５１ａの出口側と他方の反応筒５１ｂの入口側とが、ガス排出管１６を介して接続されている。また、図５に示すように、反応筒５１ａの外側には、この反応筒５１ａ内を加熱するためのハロゲンランプ５２が複数個設けられている。反応筒５１ｂの外側には、この反応筒内５１ｂを加熱するためのヒータ９２が設けられている。そして、半導体処理装置１０（図１参照）から排出されたＣＦ４等の有害成分を含む排ガスは、始めに反応筒５１ａ内に入り、次に反応筒５１ｂ内に進み、その後、図示しないスクラバーへ排出されるようになっている。
【００４０】
次に、この除害装置３５０を用いて、ＣＦ４を含む排ガスを除害処理する方法について説明する。例えば、半導体処理装置１０の処理方式がバッチ型の場合には、半導体処理装置１０から排出される排ガスの流量は１〜１０［リットル／分］程度と、大流量であることが多い。このような場合には、始めに、ヒータ９２とハロゲンランプ５２との両方をオンする。次に、ヒータ９２が十分に暖まる前までは、ハロゲンランプ５２によって加熱された反応筒５１ａで排ガスの除害処理を主に行う。そして、ヒータ９２が十分に暖まった後は、ハロゲンランプ５２をオフして、ヒータ９２によって加熱された反応筒５１ｂで排ガスの除害処理を行う。
【００４１】
このような構成であれば、ヒータ９２のデメリットである昇温速度の遅さをハロゲンランプ５２で補うことができると共に、大量の排ガスを無害化できるというヒータ９２のメリットを生かすこともできる。ヒータ９２をオンした直後から反応筒５１ａ及び５１ｂ内に排ガスを導入することができるので、除害装置３５０の使い勝手を向上させることができる。
【００４２】
一方、半導体処理装置１０の処理方式が枚葉型の場合には、半導体処理装置１０から排出される排ガスの流量は０．１〜１［リットル／分］程度と、小流量であることが多い。このような場合には、始めからヒータ９２をオフしておき、ハロゲンランプ５２だけをオンする。そして、このハロゲンランプ５２によって加熱された反応筒５１ａ内だけで排ガスの除害処理を行う。
【００４３】
この第４実施形態では、反応筒５１ａ及び５１ｂが本発明の排ガス処理室に対応している。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施形態に係る半導体装置の製造システム１００の構成例を示すブロック図。
【図２】第１実施形態に係る除害装置５０の構成例を示すブロック図。
【図３】第２実施形態に係る除害装置１５０の構成例を示すブロック図。
【図４】第３実施形態に係る除害装置２５０の構成例を示す概念図。
【図５】第４実施形態に係る除害装置３５０の構成例を示す概念図。
【図６】ハロゲンランプの昇温特性を示す図
【図７】従来例に係る除害装置９０の構成例を示す概念図
【図８】ヒータ９２の昇温特性を示す図。
【符号の説明】
【００４５】
１０ 半導体処理装置、２０ ドライポンプ、１５ ガス供給管、１６ ガス排出管、３０ 電磁バルブ、４０ マスフローコントローラ、５０，１５０，２５０，３５０ 除害装置、５１，５１ａ，５１ｂ 反応筒、５２ ハロゲンランプ、５３ コントローラ、５４ 濃度センサ、５５ 整流板、９２ ヒータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムに関し、特に、電子デバイス等の製造装置から排出される排ガス中の有害成分を無害化（即ち、除害処理）する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＰＦＣ（パーフロロカーボン化合物）ガスは地球温暖化との関係が指摘されており、その排出量の削減が強く求められている。半導体装置やＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）の製造工程では、一般に、ＳＦ６（六フッ化硫黄）や、ＰＦＣガスがプロセスガスとして用いられている。プロセスガスとは、例えば、製膜用の原料ガスや、薄膜エッチング用のエッチングガス等のことであり、半導体ウエーハにＩＣ回路を形成する上で必要なガスのことである。
【０００３】
半導体装置やＬＣＤの製造工程では、このようなＰＦＣガスの外界への排出量を少なくとも規制値以下とする目的で、半導体処理装置に繋がる排気ラインに除害装置が設けられている。除害装置としては、常温での処理が困難な有害な成分を無害化するため、排ガスを加熱して有害成分を熱分解する加熱ヒータ式の除害装置（例えば、特許文献１参照。）等が知られている。
【０００４】
図７は従来例に係る除害装置９０の構成例を示す概念図である。図７に示すように、この除害装置９０は、排ガス処理用の反応筒と、この反応筒９１を外側から囲むヒータ９２とを有する。ヒータ９２は、除害装置９０のメンテナンス時以外は常時オン状態となっており、反応筒９１の内部を４００〜８００［℃］程度の高温に維持し続けるようになっている。半導体処理装置から排出された排ガスは、ガス排出管９２を通って、この高温状態にある反応筒９１内に導入される。そして、この反応筒９１内で熱分解され、その後、外界へ排気される。
【特許文献１】特開２０００−７０６６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来例に係る除害装置９０によれば、ヒータ９２は常時オン状態となっており、反応筒９１の内部を４００〜８００［℃］程度の高温に維持し続けていた。これは、ヒータ９２の昇降温には時間がかかり、ヒータ９２を一旦オフしてしまうと、その復旧（即ち、再び高温に戻す）に多くの時間がかかるためであった。
図８は、ヒータ９２の昇温特性を示す図である。図８の横軸は経過時間を示し、縦軸はヒータ９２の温度を示している。図８に示すように、ヒータ９２を室温から例えば８００℃まで昇温させるには、少なくとも３０分から１時間程度を要してしまう。
【０００６】
しかしながら、半導体処理装置は、その処理方式が枚葉式の場合もバッチ式の場合も、そのチャンバ内にＳＦ６や、ＰＦＣガス等の有害なガスを常時流し続けるわけではない。これらの半導体処理装置には、Ｎ２等の無害なガスをそのチャンバ内に流してパージするような待機時間が存在する。また、図７に示した除害装置９０は、通常、半導体処理装置１台又は２，３台につき、１台がその後段に配置されている。従って、反応筒９１には、半導体処理装置の製品処理に連動して、有害ガスと無害ガスとが交互に、例えば数分間隔で流れてくる。
【０００７】
従来の除害装置９０では、その反応筒９１に無害ガスが流れてくるときもヒータ９２はオン状態にあり、その反応筒９１内の温度は高温度に維持されているので、消費電力が大きいという問題があった。
そこで、この発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、有害成分を含む排ガスを処理しないときの消費電力を小さくすることができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
〔発明１〕 上記目的を達成するために、発明１の排ガスの除害装置は、所定の製造装置から排出された排ガスを排ガス処理室内に導入して当該排ガス中の有害成分を無害化する除害装置であって、前記排ガス処理室内を加熱する加熱ランプを有することを特徴とするものである。
ここで、所定の製造装置とは、例えば半導体装置やＬＣＤ等を製造するための製造装置である。また、排ガスとは、例えば、ＳＦ６や、ＰＦＣガスなど地球環境等に有害な成分を含む排気ガスのことである。ＰＦＣガスとしては、例えば、Ｃ２Ｆ６（六フッ化エタン）、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＣＦ４（四フッ化メタン）、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）等が挙げられる。さらに、加熱ランプとは、例えばハロゲンランプのことである。ハロゲンランプは、ヒータと比べて、昇降温速度が大きいという特徴がある。
【０００９】
図６は、ハロゲンランプの昇温特性を示す図である。図６の横軸は経過時間を示し、縦軸はハロゲンランプの温度を示している。図６に示すように、ハロゲンランプの場合、室温から例えば１２００℃まで昇温するのに要する時間は、僅か０．１分程度である。図８と比較して分かるように、ハロゲンランプの昇温速度は、ヒータと比べて、極めて大きい。
【００１０】
発明１の排ガスの除害装置によれば、所定の製造装置で実行される処理に基づいて加熱ランプをフィードフォワード制御することができ、排ガス処理室内の温度を排ガスが流れてくるタイミングに遅滞なく追従させることが可能である。
従って、従来方式と比べて、排ガス処理室内の温度を常時高温に維持する必要がなく、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置の消費電力を小さくすることができる。これにより、除害処理コストを低減することが可能である。
【００１１】
〔発明２〕 発明２の排ガスの除害装置は、発明１の排ガスの除害装置において、前記製造装置で実行される処理に基づいて前記加熱ランプをフィードフォワード制御する制御部を有することを特徴とするものである。
【００１２】
ここで、所定の製造装置には、当該製造装置に有害成分を含む処理ガスを供給するガス供給管が取り付けられている。制御部による加熱ランプのフィードフォワード制御は、例えば、このガス供給管に取り付けられたバルブの開閉信号に基づいて行う。
発明２の排ガスの除害装置によれば、例えば、排ガス処理室内に排ガスが流れてくるときには、制御部は加熱ランプをオンさせ、排ガス処理室内の温度を例えば４００〜１２００℃程度まで速やかに昇温させることが可能である。また、排ガス処理室内に排ガスが流れてこなくなったときには、制御部は加熱ランプをオフさせて、排ガス処理室内を速やかに降温させることが可能である。
【００１３】
〔発明３〕 発明３の排ガスの除害装置は、発明２の排ガスの除害装置において、前記排ガス処理室の出口側に設けられて当該排ガス処理室内で熱処理された前記排ガスの成分を検知する成分検知器を有し、前記制御部は、前記成分検知器による前記排ガスの成分の検知結果に基づいて前記加熱ランプをフィードバック制御することを特徴とするものである。
【００１４】
このような構成であれば、排ガス処理室から出てきた排ガス中に有害成分が検知された場合に、制御部はこの検知結果に基づいて加熱ランプをフィードバック制御し、排ガス処理室内の温度を上昇させることが可能である。これにより、除害処理の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
〔発明４〕 発明４の排ガスの除害装置は、発明１から発明３の何れか一の排ガスの除害装置において、前記排ガス処理室内での前記排ガスの流れを迂回させるために当該排ガス処理室内に設けられた整流板を有することを特徴とするものである。
【００１６】
このような構成であれば、排ガス処理室内での排ガスの滞留時間を長くすることができるので、排ガスの熱処理時間を実質延長することができ、排ガスの除害率の向上に貢献することができる。
【００１７】
〔発明５〕 発明５の排ガスの除害装置は、発明１から発明４の何れか一の排ガスの除害装置において、前記排ガス処理室内を加熱するためのヒータを有することを特徴とするものである。
【００１８】
ここで、ヒータのメリットとしては、均熱長が長いので、排ガスの流量が例えば１〜１０［リットル／秒］と大きい場合でも、これらの排ガスを十分熱処理して無害化することができる、という事が挙げられる。
発明５の排ガスの除害装置によれば、例えば、排ガス処理室内に大量の排ガスを流す場合には、ヒータと加熱ランプとの両方をオンすると、ヒータが暖まる前に加熱ランプは速やかに所定の高温度に到達する。従って、ヒータが暖まるまでは加熱ランプで排ガス処理室内を加熱することができる。また、ヒータが暖まった後は、加熱ランプをオフすることで、ヒータだけで排ガス処理室内を加熱することができる。
【００１９】
これにより、ヒータのデメリットである昇温速度の遅さを加熱ランプで補うことができると共に、大量の排ガスを無害化できるというヒータのメリットを生かすことができる。ヒータをオンした直後から排ガス処理室内に排ガスを導入することができるので、除害装置の使い勝手を向上させることができる。
【００２０】
〔発明６〕 発明６の排ガスの除害方法は、発明１から発明５の何れか一の除害装置を用いて、所定の製造装置から排出された排ガスを除害処理することを特徴とするものである。
このような構成であれば、発明１から発明５の何れか一の除害装置が応用されるので、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置の消費電力を小さくすることができる。
【００２１】
〔発明７〕 発明７の電子デバイスの製造システムは、発明１から発明５の何れか一の除害装置と、１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置とを有することを特徴とするものである。
ここで、電子デバイスとは、例えば半導体装置やＬＣＤ等のことである。また、電子デバイスの製造装置としては、例えば、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置や、ドライエッチング装置等が挙げられる。これら、電子デバイスの製造装置の１台又は複数台の後段に、１台の除害装置が接続される。
発明７の電子デバイスの製造システムによれば、発明１から発明６の何れか一の除害装置を用いて、電子デバイスの製造装置から排出される排ガスを除害処理することができる。従って、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置の消費電力を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムについて説明する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造システム１００の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、この半導体装置の製造システム１００は、半導体処理装置１０と、処理ガス供給用のガス供給管１５と、半導体処理装置１０で所定の処理に用いられた後の処理ガス（即ち、排ガス）を排出するためのガス排出管１６及びドライポンプ２０と、ドライポンプ２０によって排出された排ガス中の有害成分を無害化する除害装置５０とを有する。
【００２３】
図１に示す半導体処理装置１０は、例えば、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置や、ドライエッチング装置等である。また、この半導体処理装置１０に処理ガスを供給するガス供給官１５には、ガス供給管１５を開閉する電磁バルブ３０や、ガス供給管１５を流れる処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ４０が設けられている。ガス供給管１５から半導体処理装置１０に供給される処理ガスは、例えば、地球環境に有害なＳＦ６や、ＰＦＣガス等である。ＰＦＣガスとしては、例えば、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３等が挙げられる。
【００２４】
図２は、本発明の第１実施形態に係る除害装置５０の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、この除害装置５０は、排ガス処理用の反応筒５１と、複数のハロゲンランプ５２と、コントローラ５３とを有する。
これらの中で、反応筒５１は、例えば石英ガラスからなるものである。この反応筒５１の内部への入口側と、内部からの出口側とには、ガス排出管１６がそれぞれ取り付けられている。また、ハロゲンランプ５２は、反応筒５１の内部を例えば４００〜１２００［℃］程度の高温度まで加熱するものである。このハロゲンランプ５２は反応筒５１の外側に複数個設けられている。図２では、作図の便宜上からハロゲンランプ５２を４個記載しているが、ハロゲンランプ５２は反応筒５１の大きさ（径、長さ）等に応じて任意の個数だけ用意されているものとする。
【００２５】
コントローラ５３は、図２に示す各ハロゲンランプ５２をオン、オフしたり、その出力を制御したりするものである。このコントローラ５３は、例えば有線又は無線等を介して、上記した電磁バルブ３０（図１参照）又は半導体処理装置１０（図１参照）に接続されている。そして、電磁バルブ３０の開閉に関する信号（以下、「バルブ開閉信号」という。）を受信するようになっている。この図１に示す半導体装置の製造システム１００では、コントローラ５３は、このバルブ開閉信号に基づいて、各ハロゲンランプ５２をフォードフォワード制御するようになっている。コントローラ５３は、例えばＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）とＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）等で構成されている。
【００２６】
次に、この除害装置５０を用いて、半導体処理装置１０から排出される排ガスの除害方法について説明する。ここでは、図１に示す半導体処理装置１０は例えばドライエッチング装置であり、この半導体処理装置１０内に導入される処理ガスは例えばＣＦ４であることを想定する。そして、この半導体処理装置１０から排出されるＣＦ４を含む排ガスを、その後段にある除害装置５０で無害化することについて説明する。
【００２７】
まず始めに、図１において、半導体処理装置１０から電磁バルブ３０にガス供給管１５を開かせる「バルブ開」信号が送られる。また、この半導体処理装置１０からマスフローコントローラ５３４０に、ガス供給管１５内を流れる処理ガスの流量を所定値に設定する流量制御用の信号が送られる。「バルブ開」信号が電磁バルブ３０に送られると、電磁バルブ３０は開き、ＣＦ４はガス供給管１５を通ってマスフローコントローラ４０側へ流れる。また、流量制御用の信号がマスフローコントローラ４０に送られると、ガス供給管１５を通って流れてきたＣＦ４はその流量が調整される。
【００２８】
そして、流量調整されたＣＦ４は、半導体処理装置１０の減圧されたチャンバ（図示せず）内に導入され、エッチングガスとして使用される。また、このエッチング処理に使用された後のＣＦ４を含む排ガスは、ドライポンプ２０によって半導体処理装置１０の外へ引き出され、図２に示す除害装置５０の反応筒５１の入口側に接続するガス排出管１６に送られる。そして、このガス排出管１６から反応筒５１の内部にＣＦ４を含む排ガスが送られる。図１に示した電磁バルブ３０が開いてからＣＦ４を含む排ガスが反応筒５１の内部に到達するまでの所要時間は、配管長や排気速度により異なるが例えば０．５［分］程度である。
【００２９】
一方、コントローラ５３は、図１に示した電磁バルブ３０が開かれると同時に、電磁バルブ３０又はコントローラ４０（図１参照）等から「バルブ開」信号を受信する。そして、この「バルブ開」信号を受けて、コントローラ５３はハロゲンランプ５２に電源を供給し、反応筒５１内の温度を例えば８００［℃］ 程度まで昇温させる。言い換えれば、コントローラ５３は、電磁バルブ３０が開かれたことをトリガーにして、ハロゲンランプ５２をオンする。反応等内の温度が８００［℃］程度に到達するのに要する時間は、図６に示したように、例えば０．１［分］以内である。
【００３０】
従って、ガス排出管１６から反応筒５１の内部にＣＦ４を含む排ガスが送られてきたときには、反応筒５１内の温度は既に８００［℃］近辺となっているので、ＣＦ４をＣＯ２とＨＦとに分解することが可能である。この分解されたＣＯ２とＨＦは反応等の出口側に接続するガス排出管１６を通ってスクラバー（図示せず）に送られ、特にＨＦは水に溶かされて廃棄される。
【００３１】
また、半導体処理装置１０によるエッチング処理が終了し、この半導体処理装置１０から電磁バルブ３０にガス供給管１５を閉じさせる「バルブ閉」信号が送られると、ガス供給管１５内におけるＣＦ４の流れは止まるので、ＣＦ４の除害処理は不要となる。コントローラ５３は、図１に示した電磁バルブ３０が閉じられると同時に、電磁バルブ３０又はコントローラ４０（図１参照）等から「バルブ閉」信号を受信する。そして、この「バルブ閉」信号を受けてから、例えば上記の所要時間（即ち、電磁バルブ３０を通過してから反応筒５１内に排ガスが到達するのに要する時間）が経過した後で、コントローラ５３はハロゲンランプ５２への電源の供給を停止する。言い換えれば、コントローラ５３は、電磁バルブ３０が閉じられたことをトリガーにして、ハロゲンランプ５２をオフする。これにより、反応筒５１内の温度は例えば８００［℃］から室温に向けて低下していく。
【００３２】
このように、本発明の第１実施形態に係る除害装置５０によれば、半導体処理装置１０で実行される処理に基づいてハロゲンランプ５２をフィードフォワード制御することができる。そして、反応筒５１内の温度をＣＦ４を含む排ガスが流れてくるタイミングに遅滞なく追従させることが可能である。
従って、従来方式と比べて、反応筒５１内の温度を常時高温に維持する必要がない。ＣＦ４等の有害成分を含む排ガスを処理しないときには、ハロゲンランプへの電源の供給を停止して、除害装置５０の消費電力を小さくすることができる。これにより、除害処理コストを低減することが可能である。
【００３３】
また、ヒータ９２（図７参照）と比べて、ハロゲンランプ５２は降温速度も速いので、ハロゲンランプ５２をオフしてから短時間のうちに反応筒５１内を室温付近まで冷やすことができる。これにより、除害装置５０のメンテナンス時には、待ち時間をあまり設けることなく反応筒５１を冷やすことができ、メンテナンス作業を早く開始することができるので、メンテナンスの短時間化にも貢献することができる。
【００３４】
さらに、このハロゲンランプ５２を備えた除害装置５０によれば、ハロゲンランプ５２の優れた加熱特性により、反応筒５１内を２０００［℃］付近まで加熱することができるので、より多くの種類の有害成分を分解して無害化することができる。
この第１実施形態では、反応筒５１が本発明の排ガス処理室に対応し、半導体処理装置１０が本発明の所定の製造装置に対応している。また、ＳＦ６や、ＣＦ４等のＰＦＣガスが本発明の有害成分に対応し、ハロゲンランプ５２が本発明の加熱ランプに対応している。そして、コントローラ５３が本発明の制御部に対応している。
【００３５】
なお、図１には、半導体処理装置１０を１台しか記載していないが、半導体処理装置１０は複数台でも良い。例えば、半導体処理装置１０は２台又は３台であり、これら２台又は３台の半導体処理装置１０の後段に１台の除害装置５０が接続されていても良い。このような場合でも、除害装置５０の消費電力を小さくすることができ、除害処理コストを低減することが可能である。
（２）第２実施形態
図３は、本発明の第２実施形態に係る除害装置１５０の構成例を示すブロック図である。図３において、図１に示した除害装置５０と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００３６】
図１に示すように、この除害装置１５０は、反応筒５１の出口から出てくる排ガス中の有害成分の濃度を常時監視する濃度センサ５４を備えている。この濃度センサ５４は、有線又は無線によってコントローラ５３と接続されており、濃度センサ５４による有害成分の濃度測定値がコントローラ５３にリアルタイムに送信されるようになっている。濃度センサ５４によって、反応筒５１内から出てきた排ガス中に有害成分が検知された場合には、この検知結果がコントローラ５３に送信される。
【００３７】
このような構成であれば、コントローラ５３は、ハロゲンランプ５２をフィードバック制御することができ、有害成分が検知された場合には反応筒５１内の温度を上昇させることができる。従って、除害処理の信頼性を向上させることができる。この第２実施形態では、濃度センサ５４が本発明の成分検知器に対応している。
（３）第３実施形態
図４は、本発明の第３実施形態に係る除害装置２５０の構成例を示す概念図である。図３において、図２に示した除害装置５０と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。図４に示すように、この除害装置２５０の反応筒５１内には、反応筒５１の開口断面積よりも面積が小さい整流板５５が複数枚設けられている。例えば、これらの整流板５５は、反応筒５１内の上側と下側とに交互に設けられている。
【００３８】
このような構成であれば、反応筒内５１内に導入された排ガスは、図４の破線矢印で示すように反応筒５１内を迂回しながら流れる。従って、反応筒５１内での排ガスの滞留時間を長くすることができる。これにより、ＣＦ４等の有害成分を含む排ガスの熱処理時間を実質延長することができ、除害率の向上に貢献することができる。
（４）第４実施形態
図５は、本発明の第４実施形態に係る除害装置３５０の構成例を示す概念図である。図５において、図２に示した除害装置５０と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００３９】
図４に示すように、この除害装置３５０では、２つの反応筒５１ａ及び５１ｂが設けられており、一方の反応筒５１ａの出口側と他方の反応筒５１ｂの入口側とが、ガス排出管１６を介して接続されている。また、図５に示すように、反応筒５１ａの外側には、この反応筒５１ａ内を加熱するためのハロゲンランプ５２が複数個設けられている。反応筒５１ｂの外側には、この反応筒内５１ｂを加熱するためのヒータ９２が設けられている。そして、半導体処理装置１０（図１参照）から排出されたＣＦ４等の有害成分を含む排ガスは、始めに反応筒５１ａ内に入り、次に反応筒５１ｂ内に進み、その後、図示しないスクラバーへ排出されるようになっている。
【００４０】
次に、この除害装置３５０を用いて、ＣＦ４を含む排ガスを除害処理する方法について説明する。例えば、半導体処理装置１０の処理方式がバッチ型の場合には、半導体処理装置１０から排出される排ガスの流量は１〜１０［リットル／分］程度と、大流量であることが多い。このような場合には、始めに、ヒータ９２とハロゲンランプ５２との両方をオンする。次に、ヒータ９２が十分に暖まる前までは、ハロゲンランプ５２によって加熱された反応筒５１ａで排ガスの除害処理を主に行う。そして、ヒータ９２が十分に暖まった後は、ハロゲンランプ５２をオフして、ヒータ９２によって加熱された反応筒５１ｂで排ガスの除害処理を行う。
【００４１】
このような構成であれば、ヒータ９２のデメリットである昇温速度の遅さをハロゲンランプ５２で補うことができると共に、大量の排ガスを無害化できるというヒータ９２のメリットを生かすこともできる。ヒータ９２をオンした直後から反応筒５１ａ及び５１ｂ内に排ガスを導入することができるので、除害装置３５０の使い勝手を向上させることができる。
【００４２】
一方、半導体処理装置１０の処理方式が枚葉型の場合には、半導体処理装置１０から排出される排ガスの流量は０．１〜１［リットル／分］程度と、小流量であることが多い。このような場合には、始めからヒータ９２をオフしておき、ハロゲンランプ５２だけをオンする。そして、このハロゲンランプ５２によって加熱された反応筒５１ａ内だけで排ガスの除害処理を行う。
【００４３】
この第４実施形態では、反応筒５１ａ及び５１ｂが本発明の排ガス処理室に対応している。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施形態に係る半導体装置の製造システム１００の構成例を示すブロック図。
【図２】第１実施形態に係る除害装置５０の構成例を示すブロック図。
【図３】第２実施形態に係る除害装置１５０の構成例を示すブロック図。
【図４】第３実施形態に係る除害装置２５０の構成例を示す概念図。
【図５】第４実施形態に係る除害装置３５０の構成例を示す概念図。
【図６】ハロゲンランプの昇温特性を示す図
【図７】従来例に係る除害装置９０の構成例を示す概念図
【図８】ヒータ９２の昇温特性を示す図。
【符号の説明】
【００４５】
１０ 半導体処理装置、２０ ドライポンプ、１５ ガス供給管、１６ ガス排出管、３０ 電磁バルブ、４０ マスフローコントローラ、５０，１５０，２５０，３５０ 除害装置、５１，５１ａ，５１ｂ 反応筒、５２ ハロゲンランプ、５３ コントローラ、５４ 濃度センサ、５５ 整流板、９２ ヒータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の製造装置から排出された排ガスを排ガス処理室内に導入して当該排ガス中の有害成分を無害化する除害装置であって、
前記排ガス処理室内を加熱する加熱ランプを有することを特徴とする排ガスの除害装置。
【請求項２】
前記製造装置で実行される処理に基づいて前記加熱ランプをフィードフォワード制御する制御部を有することを特徴とする請求項１に記載の排ガスの除害装置。
【請求項３】
前記排ガス処理室の出口側に設けられて当該排ガス処理室内で熱処理された前記排ガスの成分を検知する成分検知器を有し、
前記制御部は、
前記成分検知器による前記排ガスの成分の検知結果に基づいて前記加熱ランプをフィードバック制御することを特徴とする請求項２に記載の排ガスの除害装置。
【請求項４】
前記排ガス処理室内での前記排ガスの流れを迂回させるために当該排ガス処理室内に設けられた整流板を有することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の排ガスの除害装置。
【請求項５】
前記排ガス処理室内を加熱するためのヒータを有することを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の排ガスの除害装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載された除害装置を用いて、所定の製造装置から排出された排ガスを除害処理することを特徴とする排ガスの除害方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載された除害装置と、１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置とを有することを特徴とする電子デバイスの製造システム。
【請求項１】
所定の製造装置から排出された排ガスを排ガス処理室内に導入して当該排ガス中の有害成分を無害化する除害装置であって、
前記排ガス処理室内を加熱する加熱ランプを有することを特徴とする排ガスの除害装置。
【請求項２】
前記製造装置で実行される処理に基づいて前記加熱ランプをフィードフォワード制御する制御部を有することを特徴とする請求項１に記載の排ガスの除害装置。
【請求項３】
前記排ガス処理室の出口側に設けられて当該排ガス処理室内で熱処理された前記排ガスの成分を検知する成分検知器を有し、
前記制御部は、
前記成分検知器による前記排ガスの成分の検知結果に基づいて前記加熱ランプをフィードバック制御することを特徴とする請求項２に記載の排ガスの除害装置。
【請求項４】
前記排ガス処理室内での前記排ガスの流れを迂回させるために当該排ガス処理室内に設けられた整流板を有することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の排ガスの除害装置。
【請求項５】
前記排ガス処理室内を加熱するためのヒータを有することを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の排ガスの除害装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載された除害装置を用いて、所定の製造装置から排出された排ガスを除害処理することを特徴とする排ガスの除害方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載された除害装置と、１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置とを有することを特徴とする電子デバイスの製造システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−３５１８３（Ｐ２００６−３５１８３Ａ）
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２２２９８７（Ｐ２００４−２２２９８７）
【出願日】平成１６年７月３０日（２００４．７．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月３０日（２００４．７．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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