【課題】析出物の付着を抑制するスクラバーのガスインレット部の構造を提供する。
【解決手段】スクラバーのガスインレット部１０は、環状の外円筒管１２と、その内側に同心円状に配され内円筒管１４と、さらにその内側に同心円状に配されたインレットデバイス１６と、ガス導入本管１８で構成されている。インレットデバイス１６は上下が開口された筒状体であり、上部開口から処理対象ガスを下方のガス導入本管１８に導入するガス流路２０を形成している。インレットデバイス１６と内円筒管１４の間に形成された水流路３０はインレットデバイス１６の下端部３２より下方の位置でガス流路２０と連通し、内円筒管１４と外円筒管１２の間に形成されたアルカリ水溶液流路２２は内円筒管１４の下端部２４より下方の位置でガス流路２０と連通している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程チャンバと真空ポンプの間に位置し、低圧プラズマを生成して工程チャンバから排出される汚染物質を除去するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】プラズマ反応器３１０は、内部にプラズマ生成空間を形成する少なくとも１つの誘電体３０と、誘電体３０の少なくとも一端に連結する接地電極４１，４２と、誘電体３０の外周面に固定され、交流電源部６０と連結して交流駆動電圧が印加される少なくとも１つの駆動電極５０と、を含み、接地電極４１，４２は、プラズマ反応器３１０の長さ方向に沿って非均一直径を有する。 （もっと読む）

【課題】充填筒に充填したガス処理剤を有効に使用し、充填筒の交換の際にも排ガスを系外に放出することなく充填筒を安全に交換することができる排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】ガス処理剤をそれぞれ充填した複数の充填筒１０，２０に排ガスを導入し、該排ガス中の有害成分を除去処理する排ガス処理方法において、前記複数の充填筒の内の一つの充填筒１０に前記排ガスを導入して前記有害成分の除去処理を行い、該充填筒１０から導出した処理ガスを検出手段３０に導入して前記有害成分の有無を検出し、該検出手段から導出される処理ガスを他の充填筒２０を経由して排出するとともに、該検出手段で有害成分を検出したときに、排ガスの導入を他の充填筒２０に切り換えた後、該一つの充填筒１０内の有害成分をパージし、パージガスを検出手段３０を通じて他の充填筒２０に導入し、検出手段３０で有害成分が検出されなくなったら新たな充填筒に交換する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】排気口の位置を変更することなく、複数の処理領域の雰囲気を互いに混合させずに夫々対応する排気口へ排気させること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】 水酸化カルシウムを含有する除去剤を用いてフッ素（Ｆ_２）や三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）のようなハロゲン元素からなるフッ化物のガスであるハロゲンガスや該ハロゲンガスとの反応により生成するフッ化物ガスを除去する場合、上記のように除去剤に含有する水分を蒸発させるより、蒸発させずに除去剤と、ハロゲンガス又はフッ化物ガスとを、反応させる方法より、さらに除去剤の単位質量あたりの処理量を多くできる除去方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲンガス又はフッ化物ガスを含有する排出ガスを、水酸化カルシウムを主成分とする除去剤に接触させて、ハロゲンガスを固定して除去する方法において、該除去剤に水分を供給することを特徴とするハロゲンガス又はフッ化物ガスの除去方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】特別な装置を必要とせずに、対象ガス使用装置からの排気に含まれるフッ素によって、排気システムを構成する樹脂製材料が腐食されること抑制し、排気システムの寿命を延長させること。
【解決手段】本発明は、フッ素ガスまたは反応性の高いフッ素系ガスを排出する対象装置から排出された排気を処理するための処理装置、および、上記対象装置と上記処理装置とを接続する樹脂製部分を含む送気管を備える排気システムであって、少なくとも上記送気管内の樹脂製部分の一部に、フッ素と反応する物質を含有する反応用ガスが供給されることを特徴とする、排気システムである。 （もっと読む）

【課題】排ガスの燃焼する燃焼室内の温度を正確に測定ができる除害装置およびその除害装置を成膜装置に取り付けた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】排ガス２を除害する除害装置１０を、排ガス２を内部で燃焼させる燃焼室１と、燃焼室１内に設けられ、燃焼室１内の温度を測定する熱電対７と、熱電対７を内部に配置する管状のカバー１５とを有して構成する。カバー１５には、カバー１５内部にブローガス１７を供給するガス供給路１６を接続する。ガス供給路１６からカバー１５内部へ供給されたブローガス１７は、熱電対７の先端から噴き出すように構成される。この除害装置１０を成膜装置３１に取り付けて、成膜装置３１からの排ガス２を除害するようにして半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】排ガスの燃焼する燃焼室内の温度を正確に測定ができる除害装置およびその除害装置をエピタキシャル成膜装置に取り付けた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】排ガス２を除害する除害装置１０を、排ガス２を内部で燃焼させる燃焼室１と、燃焼室１の壁に設けられ、燃焼室１内に排ガス２を供給する管状のノズル３とを有して構成する。ノズル３は、先端に向かって内径を一定の保つとともに外径が小さくなる形状を有する。この除害装置を成膜装置に取り付けて、成膜装置からの排ガス２を除害するようにして半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】クリーニング効率を改善することでポンプ内部での生成物堆積を低減させ、ポンプの長寿命化を図ると共に、半導体の製造効率を上げた半導体製造装置に適用のポンプを提供する。
【解決手段】クリーニング指令信号３５の発信を受けてバルブ２５は開かれる。このとき、ヒータ２３で加熱された窒素ガスがドライポンプ１３内に例えば４０リットル／分の流速で導入される。ヒータ２３は図示しない熱電対により制御され常時例えば２００℃程度に加熱されている。加熱された窒素ガスがドライポンプ１３内に導入されたことで、プロセス処理期間中は内部温度が８０℃程度に低く、一方、クリーニング期間中は内部温度を１００℃程度にまで上昇できる。このように、クリーニング期間中だけドライポンプ１３内部を昇温させることで、クリーニングガスを効率良く機能させ、堆積物の除去をし易くできる。 （もっと読む）

【課題】極力スループットを低下させずに、希釈ガスの無駄を抑制しつつ安全に可燃性ガスを排気することができる排気方法およびガス処理装置を提供すること。
【解決手段】処理ガスの排気流量を、処理ガスをその爆発下限界値に希釈したときに除害装置の最大処理能力のガス流量となる量以下の所定値に決定する工程と、決定した処理ガスの排気流量を維持するための単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量を、排気流量と単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量との関係式に基づいて算出する工程と、算出された単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量となるように、チャンバ内の圧力の目標設定値を所定時間毎に自動圧力制御バルブの制御値として更新設定して自動圧力制御バルブによりチャンバ内の圧力を制御しながら、決定された排気流量を維持するように排気する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】副生成物を除去するために定期的に装置の分解洗浄をすることをあまり必要とせず、生産性の高いカーボン膜成膜装置を提供する。
【解決手段】炭素を含む原料ガスを導入する原料ガス導入管１３と、原料ガス導入管１３から導入された原料ガスを熱分解して基板１１の表面にカーボン膜を成膜するための成膜室７と、成膜室７と接続され酸素ガスと成膜室７から排出された排気ガスとを反応させる反応室１８と、反応室１８に酸素ガスを導入する酸素ガス導入管２１と、排気ガスが流れる方向に対して反応室１８よりも下流側になるように反応室１８と接続された排気ポンプ２３と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの生産性を向上できるようにする。
【解決手段】エピタキシャル成長装置１０は、ウェーハに対してエピタキシャル成長を施す成長反応室１２と、ガス供給源Ｓから供給された気体を、成長反応室１２内から排出する排出管２６と、ガス供給源Ｓから供給された気体を、成長反応室１２を通さずに排出するベント側管２３とを有し、複数のエピタキシャル成長装置１０の排出管２６のそれぞれに対応してその下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行う複数のスクラバー２９と、複数のエピタキシャル成長装置１０のベント側管２３の下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行うスクラバー３７とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】排ガス処理システムは、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。排ガス処理システムは、水素を選択的に透過させる半透膜を有し、混合ガスからモノシランと水素を分離する膜分離部４と、膜分離部４によって分離された水素の回収率に関する情報を取得し、水素の回収率を算出する水素回収率取得手段と、水素回収率の変化に応じて膜分離部の透過側圧力を制御する圧力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】排出ストリームを削減するための改良された方法および装置を提供すること。
【解決手段】特定の実施形態では、ガスストリームから汚染物質を除去する際に使用するための装置が提供される。該装置は、複数の積層多孔性セラミックリングから形成された熱反応ユニットを含む。該多孔性セラミックリングの第１は第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有しており、該多孔性セラミックリングの第２は第２のＣＴＥを有している。他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体又は液晶パネル製造装置における排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの付着・堆積を抑制して、排気配管または排気設備の清掃周期を短くする珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともプロセスガスとしてアンモニアガス、クリーニングガスとしてフッ素化合物、及びプロセスガス又はクリーニングガスのいずれかに珪素化合物を含有するガスを使用する薄膜形成装置（Ａ）から、該薄膜形成装置（Ａ）で発生する排ガス（Ｇ）を処理する燃焼式排ガス処理装置（Ｂ）に該排ガス（Ｇ）を移送するための排ガス処理系配管（Ｃ）内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法であって、珪フッ化アンモニウムが堆積する可能性のある排ガス処理系配管（Ｃ）部を加熱して、該配管内表面温度を１２０〜１６０℃に維持することを特徴とする、排ガス処理系配管（Ｃ）内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）