【課題】有害物除去装置の有害物の析出量を増加して除去効率を向上でき、有害物除去装置の掃除の頻度を低減できる有害物除去装置を提供することを目的とする。
【解決手段】化合物半導体薄膜形成装置から排出されるガスを冷却室内に導入するガス導入口と、前記冷却室内に設けられ、前記導入口から導入される前記排出ガスを冷却する冷却水配管とを有し、前記冷却室内で前記排出ガスを冷却することで析出する有害物を除去可能な有害物除去装置であって、前記冷却水配管と接触した状態で該冷却水配管の周囲に配置された金属メッシュを有するものであることを特徴とする有害物除去装置。 （もっと読む）

【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第１の開口寸法を有する一又は複数の第１の開口部、及び前記第１の開口寸法よりも小さい第２の開口寸法を有する複数の第２の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第１の開口部と、隣のバッフル板の前記第１の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う２つのバッフル板の間隔が、前記第２の開口寸法の０．５から２倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置及びパーティクルトラップにおいて、効果的にパーティクルを低減すること。
【解決手段】半導体基板Wを収容するチャンバ２と、チャンバ２内を減圧する減圧ポンプ７と、チャンバ２と減圧ポンプ７の間に設けられ、減圧ポンプ７の吸入流路Qを画定する管２３を備えたパーティクルトラップ２１とを有し、管２３の吸入側の開口端２３ｂを自由端にして、該開口端２３ｂの開放方向Dを調節自在にした半導体製造装置による。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】既存の基板処理装置に対して新たな設備の導入負荷を少なくし、基板処理装置内壁に付着した厚い堆積膜の除去を行うことができる基板処理装置を得ること。
【解決手段】チャンバ１１と、チャンバ１１内で基板を保持するステージ１２と、基板に対する処理によってチャンバ１１内に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを前記チャンバ内に供給するクリーニングガス供給系６０と、チャンバ１１内のガスをチャンバ１１の底壁に設けられたガス排出口１５から排出する排気系３０と、を備える基板処理装置１において、チャンバ１１内のガス排出口１５の周囲に溝１６を備える。 （もっと読む）

【課題】処理室より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が処理装置のアイドリング時に昇華及び排気されることを防止することができる回収装置を提供する。
【解決手段】気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置３に、前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部５と、前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管５１と、前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管５２と、前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管６１と、前記流入管に設けられた第１弁と、前記流入管を加熱する加熱部７と前記排出管に設けられた第２弁と、前記迂回管に設けられた第３弁とを備える。 （もっと読む）

【課題】減圧ポンプの故障原因となる微粉体を効率よく除去し、できるかぎり減圧ポンプの損傷を回避し、その長寿命化を図る保護フィルター装置の提供。
【解決手段】微粒子を含む排出気体Hを導入する排気管3が接続され、内部に前記微粒子捕集液4が貯留された固定ケーシング1と、内部に微粒子捕集用充填材5が充填され、固定ケーシング1内にて微粒子捕集液4に前記微粒子捕集用充填材5の一部が浸漬されつつ回転し、固定ケーシング1内に導入された排出気体Hが前記微粒子捕集用充填材5の表面の微粒子捕集液4に接触しつつ流入し、回転中心部CLに設けられた開口部6から流入気体hが排出される回転ドラム2と、回転ドラム2の開口部6に対面して開口し、固定ケーシング1に取り付けられ、減圧ポンプCに接続される接続管7とで構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ガス供給口およびガス排出口を有し、ウェーハが導入される反応室と、反応室のガス供給口から反応室内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、反応室内に設けられ、ウェーハを保持するウェーハ保持部材と、反応室内に設けられ、ウェーハ保持部材で保持されたウェーハを所定の温度に加熱するヒータと、ウェーハ保持部材をウェーハと共に回転させる回転駆動制御機構と、反応室のガス排出口から反応室内のガスを排出するガス排出機構と、反応室の底部に壁面近傍で設置され、壁面から滴下するオイリーシランを収集して排出するドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器１１に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器１１からガスを排気する排気機構２５と、成膜容器１１から排気機構２５にガスが流れる排気流路５５の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部３０と、成膜容器１１とトラップ部３０との間で排気流路５５に合流するように接続されており、排気流路５５にパージガスを供給するパージガス供給部５０と、パージガス供給部５０から排気流路５５にパージガスが流れるパージガス供給流路５２の途中に設けられた圧力計５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の際に反応室内に付着した堆積物を効果的に洗浄する方法を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１１の成長方法は、反応室１１０にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＳｉ原子をドーピングしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。または、反応室１１０にＨＣｌガスを導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０に取り付けられたトラップ装置１１６内に副生成物として生成した塩化アンモニア粉末をトラップしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 吸着／反応した後の原料ガスの排出時間を短縮し、原料ガスの置換効率、原料ガスの利用効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】 原料ガスを反応室に供給し、反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上で原料ガスの反応により成膜する真空成膜装置１であって、真空成膜装置１の外壁で構成され、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた反応室である内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、処理対象物Ｓ上で成膜されるように構成されている。この装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】複数の原料ガスを交互に供給することにより基板上に成膜する反応室の下流側に設けられるバルブや真空ポンプ等の劣化を抑制することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される反応室と、第１の原料ガスをその原料供給源２２から前記反応室へ供給する第１の原料ガス供給手段と、前記第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスをその原料供給源４２から前記反応室に供給する第２の原料ガス供給手段と、前記第１の原料ガスと前記第２の原料ガスとが交互に前記反応室に供給されるように前記第１の原料ガス及び前記第２の原料ガスの流れを制御する原料ガス制御手段と、前記反応室から排出される原料ガスが供給されるトラップ６１と、前記第２の原料ガスをその原料供給源４２から前記反応室を経由せずに前記トラップ６１に供給する手段とを有する真空成膜装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置５０であって、前記チャンバーと接続される吸入口５２と、前記排気部と接続される排出口５３と、第１の空間５７を有するバイパス部５１と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第２の空間６１を有する冷却トラップ部６０と、を有し、前記ガスは、第１の状態では前記第１の空間５７を介し流れ、第２の状態では前記第２の空間６１を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部６０に対し第１の流路５５及び第２の流路５６を、回転部５４により相対的に移動させることにより、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応炉にて成膜を開始した直後から、排気トラップによるリンの捕集効率を高くできる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる成膜装置は、リンを含む排気ガスを排出する反応炉と、ハウジングと、該ハウジングの内部に該排気ガスを導入する排気ガス導入口と、該ハウジングの内部から該排気ガスを導出する排気ガス導出口と、該ハウジング内に設けられ該排気ガス中のリンを凝固付着させる金属製の冷却コイルと、を有する排気トラップと、該冷却コイルを冷却する冷却装置と、該ハウジング内部の排気ガスを密閉するように設けられたバルブと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出される排ガスを処理するシステムを小型化する技術を提供する。
【解決手段】排ガス処理システム１００は、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。この排ガス処理システム１００は、半導体製造装置から排出された混合ガスを排気するポンプ部２と、ポンプ部２により排気された混合ガスを圧縮して後段へ送る圧縮機１１と、圧縮された混合ガスを集めて収容するガス収容部３と、ガス収容部３から供給された混合ガスの流量を制御する流量制御部４と、水素を選択的に透過させ、混合ガスからモノシランと水素を分離する膜分離部６と、を備える。これにより、半導体製造装置１から排出された混合ガスの圧力変動を緩和し、安定して排ガス処理システムを運転することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】排ガス処理システムは、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。排ガス処理システムは、水素を選択的に透過させる半透膜を有し、混合ガスからモノシランと水素を分離する膜分離部４と、膜分離部４によって分離された水素の回収率に関する情報を取得し、水素の回収率を算出する水素回収率取得手段と、水素回収率の変化に応じて膜分離部の透過側圧力を制御する圧力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１０は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、減圧状態の成膜空間を形成する成膜容器１２と、前記原料ガスおよび前記反応ガスを排気する排気管１８ａを備えるガス排気部１８と、を有する。前記ガス排気部１８には、前記排気管１８ａの長手方向に平行な細孔が複数設けられた、多孔質材からなるガスフィルター１８ｄが設けられる。 （もっと読む）