熱伝達システムを使用して基板を処理するプラズマ処理システムおよび方法が提供される。熱伝達システムは、基板の表面にわたる高度な処理の均一性を生成することができ、熱伝達部材上に支持され、熱伝達部材と良好に熱接触する均一性ペデスタルを備える。均一性ペデスタルは、処理中に基板の裏面の輪郭と合致することのできる適合基板支持面（すなわち接触面）を与えるピン配列を含む。基板を均一に冷却するために、基板の処理中に、均一性ペデスタルと熱伝達部材との間で大きな温度勾配を確立することができる。
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【課題】 ウェーハの表面に均一な厚みの薄膜を形成すること
【解決手段】 本発明はウェーハの上部部分に薄膜をデポジットするための化学的気相蒸着装置のヒータに関する。本発明によれば、ウェーハが安全に載せられたヒータの下方には、セラミックまたは金属製の断熱反射プレートが設けられる。ヒータ全体にわたる温度はこの断熱反射プレートにより均一に維持され、よってウェーハの上部部分に均一な厚みの材料の膜がデポジットされる。
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【課題】基板処理装置並びに基板処理装置用電気ヒーターに於いて、発熱体の熱歪みの発生を抑止する。また、発熱体間或は発熱体の均熱管等構造物への接触を防止して、発熱体の長寿命化を図る。
【解決手段】基板１２を収納し処理する処理室と、発熱体４３を有し該発熱体により前記処理室内を加熱する加熱装置２とを具備する。前記発熱体は一端のみを保持部によって保持されている。また、発熱体は少なくとも一部が前記基板に向かって凸となる様に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体気相成長装置において均熱板と基板とが全面で接触する構成では、サセプタ回転中にトレイ内で均熱板が動き、トレイ部分に接触し温度伝達の不均一性を発生させる。
【解決手段】真空処理室内のトレイ２は、先端に規正ピン４と形状記憶合金からなるバネ５がトレイに２箇所以上埋め込まれており、常温時は元の状態で均熱板３と基板１をトレイ２に自動挿入することができる第一の手段と、高温時は伸びた記憶状態になり、均熱板３をセンタリングすることができる第二の手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 高温でエピタキシャル成長を行うことが可能なＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 両端に開口部を有する反応管１６内で原料ガスを反応させ基板３０上に炭化ケイ素薄膜を堆積させるＣＶＤ装置１０であって、反応管１６の一端の開口部から前記原料ガスを供給するミキシングチャンバ１４と、反応管１６の内部に設置され且つ基板３０を加熱するサセプタ２８と、反応管１６内で基板３０上を通過した前記原料ガスを反応管１６の他端の開口部から排出する排出管１８と、透過した光量を低減する不透明減光部材からなり、前記反応管内で生じた輻射光の光量を低減する拡散用減光シャワー板２４及び減光板５０と、を備えたＣＶＤ装置１０である。
である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体製造装置内において、パーティクルの発生を抑制することが可能な、均熱治具を支持するための石英治具、及びそれを備える半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記課題を解決するため、本発明の石英治具は、半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置の内部に備えられ、エピタキシャル成長時に、半導体ウェーハを載置するサセプターの温度を均一に保ち、該サセプターの上面と略同一平面上に上面が位置する均熱治具を支持するための石英治具であって、少なくとも当該均熱治具と接触する部分が透明石英にて構成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いたフェイスダウンタイプの気相エピタキシャル成長装置において、ＩｎＧａＰ層へのＡｓ不純物濃度を低減する均熱板の構造を提供する。
【解決手段】原料ガスが流通する反応管２内に又は反応管の上部壁の一部として設けられた板状のサセプタ３の開口５内に、表面（成長面）を下向きにした状態で収納し支持された基板４の裏面（成長面とは逆側の面）に重ねて設けられる均熱板７において、その少なくとも片面にＩｎＰ層をコートし、このＩｎＰ層に残留ガスのＡｓを取り込ませる。 （もっと読む）

【課題】 サセプタの温度分布を低減し、ウェハの膜厚や発光波長の基板内分布が改善された横型気相成長装置を提供する。
【解決手段】 誘導加熱型のサセプタ上に載置した基板の基板面に対して平行に原料ガスを流して基板表面に結晶を成長させる横型気相成長装置であって、前記サセプタは、前記基板を載置する面と反対の面の中央部であって、前記基板を載置する面に垂直方向に熱電対が挿入されるための熱電対用穴を有し、かつ、前記基板を載置する面と反対の面の中央部に窪みを有する気相成長装置である。 （もっと読む）

【課題】セラミックスからなる板状体の一方の主面に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を具備してなるセラミックヒーターにおいて、板状体の厚みを薄くすると、発熱抵抗体で発生した温度分布が十分緩和されず、載置したウエハの温度がなかなか均一にならないという課題があった。
【解決手段】上記発熱抵抗体の少なくとも一部を、周囲のパターンの抵抗値に対し３倍以内の抵抗値にトリミングした抵抗調整部を形成する。 （もっと読む）