【課題】特に真空処理装置において、被処理体を破損することなく略均一に被処理体を加熱できるようにした被処理体の加熱冷却方法を提供する
【解決手段】基板ステージ２に設けた正負一対の吸着電極１４ａ乃至１４ｄ間に所定の電圧を印加して基板Ｗを静電吸着し、基板ステージ２に組み込んだ加熱手段または冷却手段により基板を所定の温度に加熱または冷却する。基板の温度が所定の温度に達するまでの間に、この吸着電極の印加電圧を三角パルス状に変化させ、この印加電圧が低くなるときに吸着電極と被処理体とを実質的に縁切りする。 （もっと読む）

【課題】表面温度の熱均一性の低下を低減できるシャフトを提供する。
【解決手段】シャフト１００は、ヒータープレートと接合する面において、導体を挿通するための複数の第１貫通孔１１０と、ヒータープレートとシャフト１００とを機械的に固定する固定部材を挿通するための複数の第２貫通孔１２０とを有する。第１貫通孔１１０は、ヒータープレートと接合する面の中央を中心とする第１円環上に間隔を存して配置され、第２貫通孔１２０は、第１円環と同心の第２円環上に間隔を存して配置される。第１貫通孔１１０のそれぞれと、第２貫通孔１２０のそれぞれとは、第１円環及び第２円環の中心から前記シャフトの外側を臨んだ場合に、第１貫通孔１１０の中心と第２貫通孔１２０の中心とが直線上に並ばないように配置される。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の基板に同時に薄膜を形成したり熱処理するための基板加工装置に関し、加工工程のために加工チャンバーに搬入されるボートに積載された複数の基板が均一に加熱されるようにすることによって、複数の前記基板を均一に加工することができる基板加工装置に関する。
【解決手段】本発明は、基板を支持するための基板支持台および一つまたは複数の噴射口が形成された第１ガス配管を含む基板ホルダーと、複数の基板ホルダーが積載され、前記第１ガス配管に連結される第２ガス配管を含むボートと、前記ボートに積載された複数の基板を加工するための空間を提供する加工チャンバーと、前記ボートを前記加工チャンバーの内部に搬入および搬出させるための移送部と、前記加工チャンバーの外側に位置する第１加熱手段と、前記第２ガス配管に連結される第３ガス配管を含み、前記第２ガス配管へ加熱または冷却されたガスを供給するためのガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光源と伝熱板を有する加熱ユニットにおける該伝熱板からの輻射を有効に利用できる加熱ユニットを提供すること。
【解決手段】ハロゲンランプにより伝熱板を照射し、該照射された伝熱板からの伝熱により被加熱物を加熱する加熱ユニットにおいて、前記伝熱板が、光透過性を有する保持体と、該保持体の被加熱物側に設けられ、該保持体を透過した光を吸収して発熱する伝熱体とからなり、前記保持体の光源側表面が鏡面加工され、該鏡面加工した表面の面粗さＲａ（μｍ）は、該伝熱体より輻射される輻射光の波長２．５（μｍ）より小さな値であること。 （もっと読む）

【課題】加熱時にヒーターからの輻射熱を遮ることなく、冷却時に被処理物との間に周辺から流れ込む冷気によって発生する被処理物の端部の温度ムラを低減できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】加熱時に被処理物１１に接することなく被処理物１１の周囲を囲うように可動板１４を配設し、冷却時には可動板１４が回転して被処理物１１の周囲および被処理物１１の周縁部に接することなく囲うように、被処理物１１の面１１ｂとの隙間を形成することで、冷却時における被処理物の端部をガス流れ抵抗を大きくして、ガス流れによる被処理物の端部の温度変化を抑える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で基板温度を容易に調整することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１６の上面に形成した基板載置部２１ａに載置した基板２０をサセプタ下方のヒータ１４によって加熱する気相成長装置において、前記サセプタを、前記基板載置部を有する上部サセプタ部材２１と、前記加熱手段によって加熱される下部サセプタ部材２２とに分割形成して上部サセプタ部材の下面と下部サセプタ部材の上面との間に伝熱量調整用の空間部を形成するとともに、前記空間部の寸法を調節して下部サセプタ部材から上部サセプタ部材への伝熱量を調節する伝熱量調整部を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光デバイスを成膜する気相成長装置において、基板保持凹部１４ａに基板１６を保持したときに、基板１６のオリフラ部１６ａと基板保持凹部１４ａの内周面との間に生じる隙間に、該隙間の形状と同一の形状を有し、基板の厚さと同一の厚さを有する嵌合部材２８を配置する。 （もっと読む）

【課題】 組立容易であり、しかも、シェルの積層間に形成される隙間の気密性を維持することの可能な加熱装置及び加熱装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の筒状のシェルユニット５１を積層することにより形成したシェル５０の中に基板を処理する処理室を設ける。このシェル５０の内周に支持されると共に基板を加熱するヒーター２０を備える。これらシェルユニット５１の積層間に形成される隙間５０ｓを変形可能な封止部材５２で封止する。シェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第一の鍔５３を設ける。シェルユニット５１の端部に対し隙間５０ｓで対向するシェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第二の鍔５９を設ける。封止部材５２は第一の鍔５３と第二の鍔５９との間に配置される。第一の鍔５３は封止部材５２が筒状の外側へ移動することを規制する規制部５３ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが容易でパーティクル原因にならず、大型の処理容器にも適用可能な放熱防止構造を備えた処理容器を提供する。
【解決手段】放熱抑制ユニット１０５は、処理容器１０１の各側壁１０１ｂの外壁面の一部分もしくは略全面を覆うように側壁１０１ｂに沿って配備されている。放熱抑制ユニット１０５は、複数のプレート材１０６により構成され、各プレート材１０６は、処理容器１０１の側壁１０１ｂの外壁面に配設されたスペーサー１０７に装着される。各プレート材１０６は、スペーサー１０７を介在させることにより、処理容器１０１と離間して装着され、間に空気断熱部１８０が形成されている。 （もっと読む）

ウエハ処理プロセスおよび装置は、ウエハキャリア（８０）を備えている。ウエハキャリアは、ウエハ（１２４）を保持し、ウエハとウエハキャリアとの間の間隙（１３０）に充填ガスを注入するように構成されている。本装置は、ウエハの温度不均一の望ましくないパターンを緩和するために、充填ガスの組成、流量、またはそれらの両方を変化させるように構成されている。
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【課題】ウェーハの裏面の端部にシリコンが付着することを抑制し、ウェーハの平坦度を向上させることが可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長装置１０は、原料ガスが供給されるチャンバー１１と、チャンバー１１内においてウェーハＷを裏面側から支持するサセプター１３と、ウェーハ１３の上方にリング状に配列された複数の加熱用ランプ２０からなり、ウェーハＷを主面側から加熱する上部ランプ群２０Ｇと、サセプター１３の下方にリング状に配列された複数の加熱用ランプ２１からなり、ウェーハＷを裏面側から加熱する下部ランプ群２１Ｇと、上部ランプ群２０の外側に設けられた略円筒状の反射部材２５とを備えている。反射部材２５の下端部は内側に傾斜しており、上部ランプ群２０Ｇの任意の加熱用ランプ２０から真下方向に輻射された電磁波は、傾斜面２５ａで反射してウェーハＷの端部Ｐに導かれる。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】処理室内を撮影することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１４を構成したプロセスチューブ１３と、処理室１４内を加熱するヒータユニット４０と、処理室１４を閉塞するシールキャップ２５と、シールキャップ２５に支承された回転軸３０と、回転軸３０に立設されたボート３１とを備えている熱処理装置において、シールキャップ２５の周辺部に透明な石英によって形成された保護管７０を立設し、保護管７０内に内視鏡８０を下端部の開口から挿入し、カメラ９０をシールキャップ２５下面以下において内視鏡８０に光学的に連結する。 （もっと読む）

【課題】発熱部での非加熱域をなくして、発熱部下部での温度低下を抑制し、発熱部の均熱領域を長くして製品ウェーハの品質の均一性の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】筒状の断熱体及び該断熱体の内周面に配設された発熱線から構成される発熱部７と、該発熱部に対して円筒空間１５を形成する様に第１の断熱体４２が設けられたヒータケース１１と、該ヒータケースと前記発熱部の上端に設けられた天井部１２とから構成された加熱装置２を有する基板処理装置に於いて、前記第１の断熱体の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部３６の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源１２およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板１４とをシャッター２０で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ１０５を生成する。基板サセプタ１３に内蔵された加熱源１３ａにより基板を加熱するとともに、シャッターの基板側の面に配置された輻射熱源により、蒸発源およびプラズマからシャッターに到達している熱量と同等の輻射熱量を供給して基板を加熱する。基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】細やかな微調整を必要とせず、勘や熟練度に依存する事無く加熱体（グラファイト）に所望する温度分布を得ることのできる半導体基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】同心円上に配置された複数の誘導加熱コイル１２（１２ａ〜１２ｅ）と、複数の誘導加熱コイル１２のそれぞれに接続されて、各誘導加熱コイル１２に対する投入電力を制御するインバータ２０（２０ａ〜２０ｅ）と、複数の誘導加熱コイル１２により構成される面上に配置される円盤型のグラファイト１４とを有してグラファイト１４に載置されたウエハ１６を加熱する熱処理装置１０であって、グラファイト１４は、その外径を複数の誘導加熱コイル１２のうち最外に配置された誘導加熱コイル１２ｅの外径よりも大きくしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持ピン用の貫通孔部分の温度低下を抑制し、基板の加熱処理を均一化できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ホットプレート７１およびサセプタ７２には、支持ピン７０用の貫通孔７７が形成され、この貫通孔７７には、円筒状のピン孔用スリーブ７８が嵌め込まれている。このピン孔用スリーブ７８は、サセプタ７２の形状に合わせて、サセプタ面に対して＋／−０．２ｍｍの範囲の高さであり、０．５〜１０ｍｍの範囲の厚さである。また、ピン孔用スリーブ７８は、貫通孔７７に対して約１ｍｍの余裕を持たせて嵌め込まれている。なお、サセプタ７２が石英の場合、石英よりも熱伝導率の高いＡＬＮやＳｉＣ等の材料を用いると、貫通孔７７に対応する部分の温度は、石英の場合より高く設定できる。その結果、支持ピン７０用の貫通孔７７部分の温度低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも温度センサの数を少なくし、かつ隣接する加熱ゾーン間における磁束の干渉を考慮した温度分布制御を行うことのできる半導体基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の誘導加熱コイル１２（１２ａ〜１２ｆ）と、誘導加熱コイル１２のそれぞれに接続されるインバータ２０（２０ａ〜２０ｆ）と、複数の誘導加熱コイル１２により構成される面上に配置されるグラファイト１４とを有してウエハ１６を加熱する半導体基板熱処理装置１０であって、複数の誘導加熱コイル１２の中から、隣接配置された２つの誘導加熱コイルをそれぞれ組として選択し、選択した組を成す２つの誘導加熱コイル間で加熱されるグラファイト１４を温度検出点とする温度センサ３０（３０ａ〜３０ｃ）と、複数の温度センサ３０により検出された温度から温度勾配を導き出し、当該温度勾配に基づいて、複数の誘導加熱コイル１２のそれぞれに投入する電力を定める温度制御部２８を備えることを特徴とする。 （もっと読む）