【課題】製造コストを低く抑えつつ、ウェハ全面を均一な温度に加熱できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉１０内に、上面にウェハ１２を保持するウェハポケット１６を有するトレイ１４が配置されている。トレイ１４の下面側にＲＦコイル１８及び被加熱体２４が配置されている。このＲＦコイル１８により加熱された被加熱体２４は、トレイ１４を介してウェハ１２を加熱する。ガス供給部２０は、ウェハ１２の表面に薄膜を形成するためのガスを反応炉１０内に供給する。ウェハ１２の下面とウェハポケット１６の底面の間に高熱伝導部材２２が配置されている。高熱伝導部材２２は、トレイ１４よりも熱伝導率が高い材料からなる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを含む熱伝導体によって、被熱処理体に、熱を均一かつ安定して伝導すること。
【解決手段】金属触媒８が外周面に被覆された複数の円筒部Ｔ１〜Ｔ３と、金属触媒が非被覆の円筒部Ｔ４を、円板状基板１面に略垂直かつ同心円状かつ入れ子状に配置して熱伝導体用構造体を得た後、この熱伝導体用構造体を、ＣＶＤ用真空チャンバ内に配置する。そして、ＣＶＤ法によってカーボンナノチューブ前駆体である炭素材を前記金属触媒８上に形成し、それと同時に熱伝導体用構造体のラジアル方向に電場及び／又は磁場を印加する（参照符号９Ａ、９Ｂが電極又は磁極を指す）。その結果、多数本のカーボンナノチューブＣＮＴが、円筒部Ｔ１〜Ｔ３の外周からラジアル方向に向けて配向・成長し、かつ、鉛直方向に形成されたサセプタ１０（熱伝導体）を得る。 （もっと読む）

【課題】加熱されるプロセスチャンバーの壁の表面温度に局所的に再現可能な方法で影響を及ぼす。
【解決手段】本発明は、反応炉ハウジングの中に配置された加熱可能なボディ（２）と、ボディ（２）から間隔を空けて配置されており、ボディ（２）を加熱するための加熱デバイス（４）と、ボディ（２）から間隔を空けて配置された冷却デバイス（５）とを備えるＣＶＤ反応炉に関する。加熱可能なボディと加熱デバイスと冷却デバイスとは、加熱デバイス（４）とボディ（２）の間の空間を横切って加熱デバイス（４）からボディ（２）に熱を移動させ、ボディ（２）と冷却デバイス（５）の間の空間を横切ってボディ（２）から冷却デバイス（５）に熱を移動させるように配置される。熱処理中または連続する処理ステップの間に、冷却および／または加熱デバイス（４、５）とボディ（２）との間の空間に制御ボディ（６）を挿入することができる。 （もっと読む）

【課題】長期使用に伴う性能劣化を抑制する拡散炉を提供すること。
【解決手段】拡散炉は、円筒状の断熱筒２１と、断熱筒２１の内周面に螺旋状に配置される電熱線２２とを備え、断熱筒２１の径外方向に移動可能な移動式セパレーター２３Ｂに電熱線２２を固定する。制御回路部３１は、電流値に基づいて電熱線２２の劣化状態を検出すると、モーター２４１を制御して移動式セパレーターを断熱筒２１の径外方向に移動させる処理をする。このため、電熱線２２の一部が垂れ下がった場合でも、電熱線２２を径外方向に移動することで、電熱線２２の接触による断線を防止できる。 （もっと読む）

【課題】保持部材に保持される処理対象物としての基板に対して気相成長法を用いて成膜処理を行なうときに、基板の表面温度を従来よりも均一化することが可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置としての処理装置は、基板７を搭載する保持部材としてのサセプタ５を備える。サセプタ５は、ベース部材２０と均熱部材２８とを含む。ベース部材２０には、主表面から当該主表面と反対側の裏面にまで到達する開口部が形成されている。均熱部材２８は、ベース部材２０に形成された開口部に配置され、ベース部材２０を構成する材料より熱伝導率の大きい材料からなる。開口部の延在方向における均熱部材２８の長さは、開口部の延在方向における開口部の長さより短くなっている。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置において、基板面内の温度差を低減する。
【解決手段】シャフト８には突起部であるガイド板１４を設け、ガイド板１４に電磁波が照射される位置にヒーター７を配置する。ガイド板１４がヒーター７からの電磁波によって加熱される。ガイド板１４はシャフト８に取付けられているので、ガイド板１４からシャフト８に熱が移動しシャフト８は高温となる。シャフト８が高温となるので、サセプター６からシャフト８に移動する熱が少なくなり、サセプター６のシャフト８との取付部の温度が低下することが無く、サセプターの温度が均一となる。 （もっと読む）

【課題】基板を効率的に加熱する基板加熱ユニット及びこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板加熱ユニットは、抵抗発熱体から発生した熱を支持プレートに伝え、基板を加熱させる。支持プレートは、中心領域に比べてエッジ領域の厚さが厚い上部プレートと、該上部プレートに比べて熱伝導度が低い材質からなる下部プレートとを含む。上部プレートと下部プレートとの形状及び材質の差によって、支持プレートの中心領域よりエッジ領域で熱が速い速度で基板に到逹して基板の全体面が均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】サセプタなどを大型化することなく、一度に気相成長できる半導体薄膜の面積を多くできる自公転型の気相成長装置を提供する。
【解決手段】円盤状のサセプタ１２に形成された円形開口内に設けられた軸受部材１３と、軸受部材に回転可能に載置された均熱板１４と、均熱板上に載置された外歯車部材１５と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材１７と、外歯車部材に保持された基板１８をサセプタの裏面側から加熱する加熱手段１９と、基板表面に平行な方向に原料ガスを導くフローチャンネル２０とを備えた自公転機構を有する横形気相成長装置において、軸受部材の外径又は外歯車部材の歯車基準円直径を基板の外径より小さい寸法とする。 （もっと読む）

【課題】減圧した後、上端面が外側に湾曲している縦型の反応管内に処理ガスを供給して、反応管内の基板に対して例えば成膜処理などの熱処理を行うにあたり、面内及び基板間において均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】反応管内における基板が保持される処理領域の上方の領域に、多数の板状体などの構造物を設置することにより基板保持具の収納領域の上方側空間を埋める。反応管の外周面に沿って処理ガス導入ダクトを上下方向に設け、このダクト内を処理ガスを上昇させ、反応管の上端面のガス導入口から処理空間に導入する。前記構造物を配置することで上方領域における処理ガスの滞留が抑えられて過剰な反応活性種の生成が抑制される。 （もっと読む）

【課題】地絡を防止しつつ、大型の放電電極を安定して保持することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】製膜処理が施される基板に沿って延びるとともに基板と対向して配置され、かつ、高周波電流が供給される放電電極６と、基板とともに放電電極６を挟む位置に配置されるとともに、放電電極６に沿って延び、かつ、共通電位に接地された電極支持部３１と、電極支持部３１から放電電極６に向かって延びるとともに放電電極６を保持し、かつ、放電電極６および電極支持部３１と電気的に接続された導電性を有する突出部４１と、が設けられ、突出部４１は、放電電極６および電極支持部３１との間で所定のインダクタンスを有する回路を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の膜質を安定させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部で製膜処理が行われる真空容器と、製膜処理が施される基板Ｓが載せられる基板テーブル１２と基板Ｓおよび基板テーブル１２における温度分布を所定の範囲内に制御する基板ヒータ１３と、基板テーブル１２の基板Ｓと接する面における複数の箇所の温度を測定する温度測定部２３−１から温度測定部２３−９と、基板Ｓが基板テーブル１２に載せられて、基板Ｓの温度分布を均一化させる温度安定化期間が終了する前に、基板Ｓに対して製膜処理を開始させる制御部６と、が設けられ、制御部６は、複数の箇所における温度の間での温度差に基づいて、安定化期間の長さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内に成膜処理されるウェーハｗを導入し、ウェーハｗが前記成膜処理時に載置される支持部材と離間するように、ウェーハを支持し、ウェーハが支持部材と離間した状態で、支持部材を所定の回転速度で回転させながら、ウェーハを予備加熱し、ウェーハを支持部材上に載置し、ウェーハを所定温度で加熱するとともに、回転させながら前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板等の基板全体を処理温度まで迅速に加熱することができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理炉２の炉口６からプロセスチューブ４内に搬入・搬出されるボート７に保持されたガラス基板Ｗの中央部と、プロセスチューブ４の外側に配置されたヒータ５による輻射熱を断熱する遮熱板１３ａとの間に、輻射熱を吸収する吸熱フィン１４を配置する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハの生産性の向上が図れる半導体気相成長装置を提供する。
【解決手段】円板形状のサセプタ５０１と、サセプタ５０１の同心円周上に複数配置され、それぞれ回転自在に設けられ、基板Ｗを保持するリング形状の基板トレイ５０２と、サセプタ５０１を、該サセプタ５０１の中心軸５０１ｒの周りに回転させることにより基板トレイ５０２を公転させるサセプタ駆動部５０４Ａと、サセプタ５０１の回転駆動に伴って基板トレイ５０２を自転させる基板トレイ駆動部５０６Ａと、基板トレイ５０２を回転自在に支持する回転支持部材（回転治具）５０７と、を有し、回転支持部材５０７は、各基板トレイ５０２の外周部の複数箇所に独立に配置され、サセプタ５０１にそれぞれ回転自在に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面への成膜を抑制しつつ複数枚の基板の表面に所望の膜を一括で形成する。
【解決手段】内部で基板２００を処理する反応容器２０２と、上面を露出させた水平な状態で基板２００を凹部に収納する導電性材料であって板状に形成された支持体２１８と、少なくとも前記支持体２１８を複数段、水平に保持する支持体保持体２１７と、前記反応容器内で少なくとも前記支持体保持体２１７に保持された前記支持体２１８を誘導加熱する誘導加熱装置２０６と、を有する。これにより、基板２００の裏面への成膜を抑制しつつ複数枚の基板２００の表面に所望の膜を一括で形成する。 （もっと読む）

【課題】各工程において生じるシリコンウェーハとサセプタとの温度差を所定内となるように制御し、シリコンウェーハの面内の温度分布を所定の範囲内となるように制御可能なエピタキシャル装置を提供する。
【解決手段】サセプタの上に実質的に水平状態に配されるシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置において、少なくとも前記シリコン単結晶基板の上又は下に配されるヒータと、前記シリコン単結晶基板から見て前記ヒータの背後に配置されるリフレクターと、前記ヒータの出力を制御可能な制御装置と、を備え、前記リフレクターは、前記ヒータからの熱線を前記シリコン単結晶基板の中心側により多く反射するように傾斜した傾斜部を所定の割合で備え、前記ヒータは、前記傾斜部に対応する傾斜部対応ヒータ要素を備え、前記制御装置は、前記傾斜部の割合に応じて、前記傾斜部対応ヒータ要素の出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】酸化距離のばらつきが小さい酸化装置を提供する。
【解決手段】水蒸気を発生させる水蒸気発生装置と、該水蒸気発生装置で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱する水蒸気加熱装置５０３０と、該水蒸気加熱装置５０３０で加熱された水蒸気が供給され、該水蒸気の温度を維持するヒータを有する酸化反応器５０４０と、開閉可能な隔壁５０６０を介して酸化反応器５０４０と連結された準備室５０５０と、酸化対象物を加熱するヒータを有し、酸化対象物が載置されるテーブル装置と、該テーブル装置を駆動し、酸化開始時に酸化対象物を準備室５０５０から酸化反応器５０４０に移動させ、酸化終了後に酸化対象物を酸化反応器５０４０から準備室５０５０に移動させる駆動装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】作製される窒化物系化合物半導体素子の発振波長のバラツキを抑え、一枚の半導体基板から良品の割合が高い窒化物系化合物半導体素子を複数作製することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】この気相成長装置１０１は載置した半導体基板１０７を保持する基板ホルダー１０８と、基板ホルダー１０９の下方から半導体基板１０７を加熱する加熱ヒータと、を有し、基板ホルダー１０８の半導体基板１０７と対向する面が、半導体基板１０７の基板ホルダー１０８と対向する面の反りの形状と略同一の形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱放射ランプの出力調節では十分にできない局所的な温度分布を解消する調整方法により、均一な厚さの、欠陥の少ない良好なエピタキシャルウェーハを製造する。
【解決手段】ハロゲンランプ等のような放射熱によりサセプターを加熱してその上に載置される基板となるシリコンウェーハを加熱するエピタキシャルウェーハ製造方法において、該サセプターを回転支持する回転軸を囲うように配置された円筒状のリフレクターの形状を変更することにより、局所的な温度調整をすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の基板の熱処理を迅速かつ均一に行うことができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理炉２の下方にロード空間３を設けた熱処理装置である。ガス供給管６１によってプロセスチューブ２２内に供給されるプロセスガスを、ヒータ６２によって加熱して、半導体ウェハＷを迅速に加熱する。各ノズル６３から吹き出したプロセスガスを、ファン６４によって強制的に対流させて、プロセスチューブ２２内における温度分布及びプロセスガスの分布を均一にする。 （もっと読む）