【課題】エネルギ効率の良好な基板処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波を閉じ込めるシールドの上中下段に導入ポート５３を穿設し、各導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃを接続する。シールド５２内に保温チューブ３６を設置し、保温チューブ３６は複数枚のウエハを保持したボート４２を搬入搬出可能に形成する。３本の熱電対が挿入されたカスケード温度センサ５７を保温チューブ３６内に敷設し、各熱電対の熱接点にシリコンからなる測温片をそれぞれ固着する。熱電対の温度測定器をマイクロ波源５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃのコントローラ５６に接続する。３個の導入ポート５３近傍にマイクロ波エネルギによって加熱されたウエハの熱を逃がさず、かつ、ウエハの温度分布を均一化する反射板６２を設ける。 （もっと読む）

【課題】 成膜処理を繰り返しても、温度再現性が悪化し難い石英ヒーターを提供すること。
【解決手段】 発熱体２３が埋設され、被処理基板載置面２１ａ上に被処理基板Ｗが載置される有色石英ヒーター本体２１を備え、有色石英ヒーター本体２１の熱放射率を、被処理基板Ｗ上に成膜される薄膜の熱放射率以上とする。 （もっと読む）

化学蒸着装置において、ウエハキャリア（３２）は、ウエハを保持する上面（３４）および加熱要素（２８）からの輻射熱伝達によって加熱される底面（３６）を有している。ウエハキャリアの底面（３６）は、ウエハキャリアが互いに異なる箇所において互いに異なる厚みを有するように、凹部（５４）のような特徴部によって非平面になっている。ウエハキャリアのより厚い部分は、より高い熱抵抗を有している。互いに異なる箇所における互いに異なる熱抵抗によって、ウエハへの望ましくない熱伝達の不均一が打ち消されることになる。ウエハキャリアは、ウエハの縁の互いに離間している箇所と係合するための突起（５５３，８５３）を備えるポケットを有していてもよい。
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【課題】基板上に窒化物体を成長させる際に生じる成長用基板の反りを抑制して、基板上の窒化物体の窒化物体の品質および再現性を向上させる窒化物体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物体の成長用基板３を保持する保持体１を用いた窒化物体の製造方法であって、（１）成長用基板３の主面のうち窒化物体を成長させない側の非成長主面の全面が保持体１と密着しないようにして、保持体１により成長用基板３を保持する工程と、（２）保持した基板３上に気相成長法により窒化物体を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】特に高温の熱処理における石英製反応管の熱変形を抑制し、良好な熱処理を実施することができる縦型熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】石英製の反応管と、反応管を覆うように配置された炭化珪素製の均熱管と、均熱管の外側に配置された加熱ヒータとを有する縦型熱処理装置であって、反応管が側壁に外向きの突起部を有し、かつ均熱管が側壁に内向きの突起部を有するものであり、反応管の突起部が均熱管の突起部によって支持されるものである縦型熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置で半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成長させる際に、半導体ウェーハの裏面の外周縁部にエピタキシャル膜が形成されることを防止できる気相成長装置および、この気相成長装置を用いて半導体ウェーハにエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１０のウェーハポケット３１に形成されたウェーハ支持面３２は、表面粗さ０．１μｍ〜３．０μｍ、平面度１０〜１２０μｍの範囲であり、かつウェーハポケットの中心に向けて、水平面に対して２．８６°〜０．４０°の角度範囲で下がるように傾斜している。 （もっと読む）

【課題】薄膜を形成する基板表面の温度差を解消して均一な薄膜を形成することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２に保持される載置プレート１４の裏面側に加熱手段（ヒーター１６）を設けた気相成長装置において、前記載置プレートのガス流れ下流側の底面を研削し、載置プレートにおけるガス流れ上流側１４ｄの厚さに対してガス流れ下流側１４ｅの厚さを薄くすることで載置プレートの上面温度を均一化し、載置プレートの上面に保持する基板の表面温度を均一化して均質な薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜を形成する基板表面の温度差を解消して均一な薄膜を形成することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２に回転可能に設けられたプレート受け台１３にそれぞれ保持される載置プレート１４の裏面側に加熱手段（ヒーター１６）を設けた自公転構造を有する気相成長装置において、載置プレートの底面中央部を研削し、載置プレート中央部の厚さを載置プレート外周部の厚さより薄くすることで載置プレートの上面温度を均一化し、載置プレートの上面に保持する基板の表面温度を均一化して均質な薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体がクランプリング部材と接触していても、被処理体の面内温度の均一性を高くして、熱処理の面内均一性を向上させることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために被処理体を載置するための載置台構造において、内部に被処理体を加熱する加熱手段３８が収容された透明材料よりなる載置台３２と、載置台の上面に設けられると共に、その直径が載置台の直径よりも小さく設定されて上面に被処理体を直接的に載置するための不透明材料よりなる均熱板４２と、 載置台の周辺部の上方に昇降可能に設けられて、被処理体を載置台側へ押し付けるための不透明材料よりなるクランプリング部材５０を有するクランプ機構４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置において、サセプタの外周側に配置されるランプの寿命が短くならないようにする。
【解決手段】複数のランプ５０は円環状に配置された複数の円配列５１〜５３を構成すると共に、複数の円配列５１〜５３がサセプタ４０の中心軸を中心に同心円状に配置されている。また、複数のランプ５０それぞれは、サセプタ４０の中心軸に垂直な面に平行に配置され、一端部５０ａが他端部５０ｂよりもサセプタ４０の中心軸側に配置されている。そして、複数の円配列５１〜５３それぞれにおいて、各ランプ５０は、サセプタ４０の中心軸とランプ５０の一端部５０ａとを通ると共にサセプタ４０の中心軸に垂直な方向に延びる直線７０に対し、他端部５０ｂ側が同一方向および同一角度にそれぞれ傾けられている。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いることによって処理容器自体を加熱することなく被処理体を加熱するようにし、もって消費エネルギーを抑制し、処理容器の内面に不要な付着膜等が堆積することを防止し、被処理体の高速昇温及び高速降温が可能な処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施す処理装置において、排気可能になされて複数の被処理体を収容することができる処理容器２２と、処理容器の外周に巻回された誘導加熱用コイル部１０４と、誘導加熱用コイル部に高周波電力を印加する高周波電源１１０と、処理容器内へ必要なガスを導入するガス供給手段９０と、被処理体と誘導加熱用コイル部からの高周波により誘導加熱される誘導発熱体Ｎとを保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】被加熱物の加熱、冷却効率に優れ、加熱と冷却が早く、被加熱物の温度ムラが小さく、高温下でハウジングから生じた塵が被加熱物に及びにくい均熱高速昇降炉を提供する。
【解決手段】均熱高速昇降炉は、縦型筒状のハウジング３の内側にヒータ２を配置し、ハウジング３の中に収納した被加熱物８を加熱するものである。ハウジング３の内側に筒形のインナーチューブ５を設け、このインナーチューブ５とハウジング３との間にヒータ２を配置すると共に、このヒータ２を配置した前記インナーチューブ５と前記ハウジング３との間の間隙を冷却ガスを通す冷却ガス通路６とし、ハウジング３の内側に筒形の熱反射板４を設ける。 熱反射板４は絶縁性炭化珪素からなる。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度分布を均一にする基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、円板形状の基板７を加熱し基板７上に気相成長させる反応炉の内部に、基板７が載置されるサセプタ８を含む。サセプタ８には、基板７を保持するための、平面形状が円形状の凹部が形成されている。またサセプタ８は、凹部の内部において、基板７の裏面に接触して基板７を支持する複数の基板支持部１２と、基板７の外周側面に対向するように凹部の内周面から突起する複数の側面凸部１３とを有する。複数の側面凸部１３は、サセプタ８の内周面の周方向に等間隔をおいて形成されている。側面凸部１３が内周面から突起する突起高さをｈとし、側面凸部が形成される個数をｘとし、基板の半径をｒとして、ｈ、ｘおよびｒは、ｈ／ｃｏｓ（π／ｘ）＞ｒ（１−ｃｏｓ（π／ｘ））で表される関係を満足する。 （もっと読む）

エピタキシャル層の有機金属化学気相成長を実行するＭＯＣＶＤ反応器のような、ＣＶＤ反応器が提供される。ＣＶＤ、又はＭＯＣＶＤ反応器は、一般的に、フローフランジアセンブリ、調節可能均整フローインジェクタアセンブリ、チャンバアセンブリ、及びマルチセグメント中心回転軸を含む。反応器は、堆積物の性能を改善する一方で、ガスの使用を低減させる働きをする新しい構造を特定の構成要素に提供する。
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【課題】基板の被処理面に形成された処理膜にＵＶ光（紫外線）を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、コスト増大を抑制し、安定した基板の温度制御を行なうことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを所定温度に加熱するホットプレート５７と、ホットプレート５７上に設けられ、基板Ｗを支持する支持ピン５８と、支持ピン５８に支持された基板Ｗの被処理面に対しＵＶ光を照射するＵＶ光照射手段５２とを備え、支持ピン５８は、少なくとも所定の熱伝導率を有することにより、基板Ｗの熱をホットプレート５７に伝導し、ホットプレート５７は、支持ピン５８を介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有する。 （もっと読む）

【課題】温度均一性を、さらに向上できる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】発熱体１０２が埋設された石英製ヒータ本体１０１と、石英製ヒータ本体１０１の被処理基板載置面１０３上に積載された耐食性セラミックス部材１０４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置を使用する半導体装置の製造工程において、しきい値温度を超えない範囲での温度のハンチングが生じる状態を異常として検知できる技術を提供する。
【解決手段】熱処理装置に形成されている複数のランプ４ａ〜４ｌに電流を供給することにより点灯して、半導体ウェハを加熱する。このとき、ランプ４ｉによって半導体ウェハの外周領域に熱が供給される。半導体ウェハの外周領域に熱を供給するランプ４ｉには電流センサ６が設けられており、ランプ４ｉに供給される電流が電流センサ６により測定される。電流センサ６により測定された電流値は、実効値変換部７により実効値に変換されて検知部８に入力する。検知部８では、電流値にハンチングがあるかを検知し、所定値以上のハンチングが存在する場合、半導体ウェハに温度異常があると判断して警告部９による警告を実施する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素エピタキシャル膜をはじめとする膜を炭化珪素基板上に均一な膜厚で均一な膜質の膜を形成する膜形成工程を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】サセプタの開口部に炭化珪素基板を配置し炭化珪素基板の膜形成面を露出させ、膜形成面と反対側の表面に赤外線吸収粒子を接して配置し、内側の面に導電層を備えた反応管の中に炭化珪素基板を配置したサセプタを導入した状態で、導電層を誘導加熱しながら原料ガスを流す。 （もっと読む）

【課題】 特に真空処理装置において、被処理体を破損することなく略均一に被処理体を加熱できるようにした被処理体の加熱冷却方法を提供する
【解決手段】 基板ステージ２に設けた正負一対の吸着電極１４ａ乃至１４ｄ間に所定の電圧を印加して基板Ｗを静電吸着し、基板ステージ２に組み込んだ加熱手段または冷却手段により基板を所定の温度に加熱または冷却する。基板の温度が所定の温度に達するまでの間に、基板の静電吸着を所定の間隔で解除する。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な炭化珪素半導体結晶膜を形成すること。
【解決手段】炭化珪素半導体結晶膜形成装置は、コイルによって誘導加熱されるホットウォール２の内壁面にウエハー６を設置し、ホットウォール２内にガスを供給してウエハー６の表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する。ホットウォール２はグラファイトで形成されており、ホットウォール２の内壁面のうち、ウエハー６が設置される面およびウエハー６の表面と対向する面以外の面は、炭化タンタルコート７で被覆されている。 （もっと読む）