【課題】膜厚が均一な炭化珪素半導体結晶膜を形成すること。
【解決手段】炭化珪素半導体結晶膜形成装置は、コイルによって誘導加熱されるホットウォール２の内壁面にウエハー６を設置し、ホットウォール２内にガスを供給してウエハー６の表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する。ホットウォール２はグラファイトで形成されており、ホットウォール２の内壁面のうち、ウエハー６が設置される面およびウエハー６の表面と対向する面以外の面は、炭化タンタルコート７で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の実施周期を長くして、熱処理を繰り返した場合でも、製品を安定的に生産でき、その生産性を向上させる。
【解決手段】基板を収容する反応室と、反応室を加熱する加熱手段と、反応室内の温度を測定する温度センサとを備え、前記温度センサによる検出温度に基づいて前記加熱手段を制御して温度制御を行う基板処理装置であって、基板処理を行った累積値である実行累積値と、前記温度センサによる反応室内の検出温度の誤差との関係を取得し、該関係を経時誤差として格納しておき、前記実行累積値に対応した前記経時誤差を用いた補正を行って前記温度制御を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】ホットゾーンを低減させることのできる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１内に配設され被処理基板１を保持する基板保持部材２０と、被処理基板１を加熱する基板加熱ヒータ４と、基板保持部材２０と基板加熱ヒータ４との間に配設された均熱部材３０とを備えている。均熱部材３０における基板保持部材対向面には、均熱部材３０の外周部よりも内側領域に基板保持部材２０に向けて突出する凸部３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる構造の気相成長装置を提供する。
【解決手段】交流の電力が印加されるコイル部材１６０が高周波磁束を発生すると、導電材からなる基板支持部材１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。基板支持部材１１０を軸支する回転軸１２０をコイル部材１６０の中心空間に挿通しているので、基板支持部材１１０の中心にコイル部材１６０が対向しない。しかし、回転軸１２０の少なくとも基板支持部材１１０に連結されている部分１２１が導電材なので、この部分１２１もコイル部材１６０の高周波磁束により発熱する。このため、コイル部材１６０が対向していない基板支持部材１１０の中央も良好に発熱させることができ、対象基板ＣＢを均一に加熱して層膜を均質に形成できる。 （もっと読む）

【課題】加熱されるウェハ面内の温度分布の均一性を向上させ、結晶膜を均一に生成させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、チャンバ１０１内に収容されるウェハ１０２が載置されるサセプタ１０３を有するホルダ１０４と、ホルダ１０４内に設けられ、ウェハ１０２を裏面から加熱するインヒータ１０５及びアウトヒータ１０６と、インヒータ１０５に対向して設けられた冷却ガスを噴射する送気管１０７と、チャンバ１０１外に設けられた、ウェハ１０２の表面温度を計測する温度計測部１０８とが備えられることを特徴とする。これにより、ウェハ１０２上に生じる、温度分布の誤差部分である温度の特異点の位置を把握することができる。そして、温度の特異点を局所的に冷却することでウェハ１０２面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
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【課題】基板に形成される誘電体の特性が基板面内で均一な誘電体積層基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる誘電体積層基板の製造方法は、基板１０の上方に誘電体の原料組成物１２ａを塗布する工程と、基板１０の下面に流体状の熱媒体５０を接触させて基板１０を加熱する工程と、を含み、基板１０を加熱する工程において、熱媒体５０の上面の形状が基板１０の下面の形状に追従して変形し、基板１０の下面が熱媒体５０に全面的に接触する。 （もっと読む）

【課題】 投入電力を効率的に使用して基板を加熱させることができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空状態とされるとともに、内部に透明導電膜（ＴＣＯ膜）８ａが形成された基板８が配置されるチャンバ２１ａを備え、チャンバ２１ａ内に、基板８を加熱するヒータ７０と、基板８に対して、ヒータ７０とは反対側の位置に設けられた黒色輻射板７２とを備え、ヒータ７０から発せられた輻射光線のうち、基板８を透過した一部の波長の輻射光線により、黒色輻射板７２が加熱される。 （もっと読む）

【課題】膜質のばらつきを減少して優れた膜を形成することが可能な気相反応成長装置および気相反応成長方法を提供する。
【解決手段】処理装置１は、基板保持部材としてのサセプタ５と原料供給部材としてのガス供給部材１２と加熱部材としてのＵＶランプ１１と波長規制部材としてのフィルタ１３とを備える。サセプタ５は半導体基板７を保持する。ガス供給部材１２は、サセプタ５に保持された半導体基板７に膜を成長させるための原料ガスを供給する。ＵＶランプ１１は、サセプタ５に保持される半導体基板７にエネルギー線（紫外線）を照射することで表面を加熱する。波長規制部材（フィルタ１３）は、半導体基板７に照射されるエネルギー線の波長を規制する。 （もっと読む）

【課題】細かい加熱温度制御を容易に行うことができる加熱装置及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の反応室内に配置された支持体上に載置される半導体基板を加熱する加熱装置であって、着脱可能であると共に周方向に向きを変えて取付け可能な熱源ランプをそれぞれ有する、複数の熱源ユニットを備えたことを特徴とする加熱装置、及び反応ガスが供給される反応室と、反応室内に配置された支持体と、支持体上に載置される半導体基板を加熱する加熱装置とを備えた半導体製造装置であって、加熱装置は、着脱可能であると共に周方向に向きを変えて取付け可能な熱源ランプをそれぞれ有する、複数の熱源ユニットを備えたことを特徴とする半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】反応室を形成する石英ガラスの汚れの状態に関係なく反応室内の熱環境を安定させることができ、得られる薄膜の再現性や品質を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】反応室１５内のサセプタ１３に保持した基板２１を加熱するとともに、前記反応室内にガス導入管１１から原料ガスを導入して前記基板の表面に気相成長を行う気相成長装置において、前記反応室の少なくとも基板対向面を石英ガラスで形成するとともに、該石英ガラスで形成した基板対向面の外面に、石英ガラスより大きな赤外線吸収能力を有する赤外線吸収板３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】熱処理炉内の熱反射によって均熱効果に優れた熱処理用プレートを提供し、また被熱処理部材を支持板と均熱板とを兼用することができる均熱手段として好適な熱処理用シリコンプレート、該シリコンプレートを設けた熱処理炉を提供する。
【解決手段】被熱処理部材を載置する均熱板として用いられ、少なくとも一辺が５００ｍｍ以上の大型シリコン板からなることを特徴とする熱処理用シリコンプレート、および、熱処理炉２０の炉壁２４、２５に設置され、炉内を均熱化する反射板として用いられることを特徴とする熱処理用シリコンプレート２６、該熱処理用シリコンプレートを炉壁に設置したことを特徴とする熱処理炉。 （もっと読む）

本発明は、ヒーターの下部のみならず、ヒーターの表面でも発熱温度を均一に維持することで、ウエハーの上部に蒸着される薄膜の厚さを均一にしてヒーター温度が補償される化学気相蒸着装置に適用される。
このようなヒーター温度を均一にする化学気相蒸着装置は、前記化学気相蒸着装置のヒーターの均一な発熱温度を維持するためにヒーターの下部でヒーター熱を反射させるための反射断熱板と、前記反射断熱板とヒーターとの間のヒーターの高温領域に直接接触するように形成される放熱部材とを含んでおり、ヒーターの高温領域の下部に放熱部材を接触するように設置し、ウエハーと直接接触するヒーター表面のうち他の領域に比べて高温領域に一定に意図された形態の溝を形成し、前記反射断熱板とヒーターとの間のヒーター領域のうち高温領域に接触して反射熱を減少させるための放熱部材をさらに備える装置として、ヒーターの上下部の温度が均一な化学気相蒸着装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、全体的に半導体処理チャンバ内の基板に比較的均一な温度分布をもたらし、或いはプレス形成ガラスレンズ用の金属金型又はセラミック成形型を加熱するための加熱装置に関する。
【解決手段】 基板の表面温度を調整／制御するための加熱装置が提供される。少なくとも１つの熱分解グラファイト（ＴＰＧ）層は、ヒータ内に埋め込まれ、加熱装置内の種々の構成要素の温度差を拡散し、基板上の最高温度点と最低温度点との間の差が１０℃よりも小さい、比較的均一な基板温度に対して基板の表面温度の時間的及び空間的制御を可能にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、気相成長を行なうウェハ表面の温度を均一にすることが容易な気相成長装置および気相成長方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェハ１０２の表面温度を測定する放射温度計１１３と、ウェハ１０２の回転を検出する磁性体１１０と磁気センサ１１１と、磁気センサからのパルスを検知しウェハ１０２の回転位置を測定するパルスカウンタ１１８と、温度情報と回転位置情報からウェハ１０２温度分布を分析し、加熱、放熱する箇所を決定するシーケンス制御装置とを備え、ウェハ１０２の加熱、放熱をするために設けられる熱反射体１１５は複数に分割可能であって、それぞれが独立して上下動可能で、かつ水平方向に回転可能な機能を有し、この熱反射体１１５によりウェハ１０２の周方向の温度分布が調節され、結果的に成膜される膜の面内均一性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの最外周まで均一に加熱することが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハｗが導入される反応室１１と、反応室１１にガスを供給するためのガス供給手段１２、１３と、反応室１１よりガスを排出するためのガス排出手段１４と、ウェーハｗを外周部において保持するためのホルダー１６と、ウェーハｗを下部より加熱するための第1のヒータ１７ａと、ホルダー１６上方に設けられるリフレクター１８ｂと、リフレクター１８ｂを駆動させるための駆動機構１９を備える。 （もっと読む）

静電チャック（ＥＳＣ）支持組立体の熱伝導率を調整する方法は、支持組立体面上の各々が所定の１つのセルと関連する複数の場所において温度を測定することと、セルごとに示唆される面積減少の割合を測定値から判定することと、各セルの熱伝導率を減少するために、示唆された減少の割合に従ってそのセルの中の支持組立体面から材料を除去することとから成る。材料の除去の結果、支持組立体面に接合された静電チャックのチャック面における静電チャック支持組立体の平衡温度均一性を改善できるか、又は目標平衡温度プロファイルに近い又はそれを達成するＥＳＣ支持組立体の平衡温度プロファイルが得られる。従って、セル構造を規定することと、各セルの目標面積密度を判定することと、そのセルの目標面積密度を達成するために、材料の部分領域を除去することとから成る方法により、熱伝導率の調整を実行できる。材料の除去は、ＸーＹテーブルにおけるドリリング、ルーティング、レーザー加工又はグリット吹き付け加工により実行できる。
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【課題】形成された膜の品質がばらつくことを抑制できる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】この半導体ウェハ処理装置は、複数の半導体ウェハ１が挿入される石英管１０と、石英管１０の外側から半導体ウェハ１を加熱する加熱手段３０と、石英管１０の外壁又は内壁に設けられ、該石英管１０の長手方向に延伸し、かつ該長手方向に沿って断面積が変化している熱容量調整部材２０を具備する。この半導体ウェハ処理装置によれば、半導体ウェハ１を一端部１０ａから搬入及び搬出する際に、石英管１０の一端部１０ａ側が他端部１０ｂ側と比較して温度が下がることを抑制できる。従って、半導体ウェハ１に形成された膜の品質がばらつくことを抑制できる。 （もっと読む）

処理チャンバ及び処理チャンバ内において基板支持アセンブリ上に位置決めされた基板の温度を制御するための方法を提供する。基板支持アセンブリは、熱伝導体と、この熱伝導体の表面上に在り且つその上で大面積基板を支持するように適合された基板支持表面と、熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱要素と、１つ以上の加熱要素と同一平面となるように熱伝導体内に埋設された２つ以上の冷却チャネルを含む。冷却チャネルを、２つ以上の長さの等しい冷却路に分岐してもよく、分岐冷却路は単一の流入口から単一の流出口に延びており、等しい抵抗冷却が得られる。
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【目的】ＳｉＣ基板を大面積化しても、ＳｉＣ基板上に形成されるエピタキシャルＳｉＣ膜のドーピング濃度分布を均一化することができるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置を提供すること。
【構成】両端に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管内に断熱材を介して第一ホットウォール２と第二ホットウォール７が中心軸方向に並べて配置され、第一ホットウォール２に設けられる反応室空間内にＳｉＣ結晶基板４を取り付ける支持部材が配置され、該第一ホットウォール２に対向する位置の前記耐熱円筒管の外周に前記第一ホットウォール２を誘導加熱する装置が設けられ、前記第二ホットウォール７は、内部に前記耐熱円筒管の軸に平行な方向に設けられるガス流路であって、一端が反応ガス流入口に接続されて流入する反応ガスを整流し、他端は前記第一ホットウォール２内の前記反応室空間に通じるガス流路を備えるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な部材を追加するだけで基板の温度を効果的に上げることができ、ヒーター寿命の延長や消費電力の低減を図ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】フローチャンネル１１内に設置したサセプタ１２に保持した基板１３を、サセプタ１２を介してヒーター１４で加熱するとともに、前記フローチャンネル１１内に原料ガスを供給して基板面に反応生成物を堆積させて薄膜を成長させる気相成長装置において、前記基板面に対向するフローチャンネル１１の壁面に、前記反応生成物よりも熱反射率が高い反射部材１８を設け、基板１３から放射された輻射熱を反射部材で反射して基板１３を再加熱する。 （もっと読む）