本発明は、半導体基板を処理するための方法及び装置を提供する。特に、本発明は、クラスタツールに使用されるモジュラー処理セルを提供する。本発明のモジュラー半導体処理セルは、噴射キャップを有するチャンバと、上記噴射キャップに隣接して配置され、上記噴射キャップを通して上記チャンバへ１つ以上の処理ガスを供給するように構成されたガスパネルモジュールと、を備える。この処理セルは、更に、上記チャンバの下方に配置されたランプモジュールを備える。このランプモジュールは、複数の垂直配向ランプを備える。 （もっと読む）

【課題】最適な電力比率値を短時間で取得し、当該電力比率値に基づいて温度の制御を行うことができる基板処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】制御装置１４は、作業者により入力された目標温度及び複数の電力比率値を受け付ける。制御装置１４は、複数の電力比率値から、温度制御に用いる１つの電力比率値を決定し、当該電力比率値に基づいて基板加熱装置４４に供給する電力を調節して、基板４２を加熱する。制御装置１４は、基板４２の温度が安定している状態で温度均一性を算出する。同様に、制御装置１４は、他の電力比率値における温度均一性を算出する。制御装置１４は、複数の電力比率値と、対応する温度均一性とに基づいて、所定の曲線式を算出し、所定の電力比率値の範囲における温度均一性の最小値を求め、この最小値に対応する電力比率値を最適値とする。制御装置１４は、このようにして求められた電力比率値に基づいて基板処理装置本体１２に対して電力を供給し、温度の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】照射光による熱処理がウエハ面内で均一化できるようにする。
【解決手段】ランプアニール装置のチャンバ１０ａの内壁面のウエハＷの周辺部に対応する個所において、ランプ２１による照射光の反射率をウエハ中央部側に対応する個所より高くする。反射率を上げることで照射光を反射させて、ウエハ周辺部側の温度を上げることができる。このようにして、ウエハＷ面内の中央側と周辺側とでの温度差を抑制し、ウエハＷ面内での温度の均一性を確保する。 （もっと読む）

【課題】６５ｎｍまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、平坦性およびナノトポグラフィならびに層均一性を向上させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェハ５の特性を表すパラメータを位置に依存して測定し、ウェハ５の面全体で位置に依存するパラメータ値を求める。ｂ）酸化レートおよび結果として得られる酸化層の厚さがウェハ５の平面における光強度に依存しており、酸化剤の使用とともにウェハ５の面全体を同時に照射することによる作用によって、ウェハ５の面全体を酸化させる。ｃ）酸化層を除去する。この場合、ステップｂ）において光強度を位置に依存してまえもって設定し、ステップａ）において測定された位置に依存する各パラメータ値における相違を、位置に依存する光強度の結果として生じるステップｂ）における酸化レートおよびステップｃ）におけるその後の酸化層除去によって低減する。 （もっと読む）

【課題】均熱板の偏芯を抑制し、均熱板の温度分布が不均一になることを抑制することが可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長部１０は、気相成長を施す基板１を加熱するための基板加熱用ヒーター５と、基板加熱用ヒーター５から照射される熱を、基板１に均一に伝熱するための均熱板２と、均熱板２を保持するための保持台であるサセプタ３とが備えられている気相成長装置であって、上記均熱板２とサセプタ３との接触面かつ、上記均熱板２の中心軸近傍で、上記均熱板２の面方向の移動を拘束するための移動拘束手段である凸部２１および開口部３２を備える構成である。 （もっと読む）

【課題】基板表面温度の、水平方向における平均値からの偏差を、より効果的に低減する。
【解決手段】ＣＶＤ反応炉のプロセスチャンバ(12)のガス流により形成される動的なガスクッション(8)上で基板ホルダキャリア(1)により支持される基板ホルダ(2)上に載置される基板(9)の表面温度を制御する方法において、熱は、少なくとも部分的に、ガスクッションを介した熱伝導により基板(9)へ導入される。水平方向における基板の表面温度の、平均値からの偏差を低減するために、ガスクッション(8)を形成するガス流が、異なる熱伝導性をもつ２つまたはそれ以上のガス(17,18)で形成されるようにし、その組成を、計測される基板温度の関数として変化させる。 （もっと読む）

基板に対するマルチ領域温度制御の方法およびシステムが示される。温度制御システムは、基板を支持するように構成された基板ホルダ内の2または3以上の流体チャネルと結合された熱交換器を有する。熱交換器は、前記2または3以上の流体チャネルを介して流れる、熱輸送流体の温度を調整するように構成される。温度制御システムは、さらに、熱輸送ユニットを有し、このユニットは、バルク流体温度で、熱交換器からの熱輸送流体を受容するように構成された入口を有する。また、熱輸送ユニットは、第1の出口を有し、この出口は、バルク温度よりも低い第1の温度で、熱輸送流体の一部を、2または3以上の流体チャネルの第1の流体チャネルと結合するように構成される。また、熱輸送ユニットは、第2の出口を有し、この出口は、バルク流体温度よりも高い第2の温度で、熱輸送流体の残りの部分を、2または3以上の流体チャネルの第2の流体チャネルに結合するように構成される。

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【課題】処理室内に配置され、温度制御に使用される温度検出手段の着脱を行った場合でも、安定した処理均一性を確保することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内の温度を検出する熱電対８ａ〜８ｄを収容する保護管８５に位置規制手段を設ける。また、保護管８５は、位置合わせ手段２１を用いて、処理室に対する保護管８５の軸周りの取り付け方向が常に同一方向となるように固定される。これにより、保護管８５内での熱電対８ａ〜８ｄの位置変動量が縮小され、熱電対８ａ〜８ｄを処理室内に再現性よく配置することができる。上記位置規制手段は、例えば、保護管８５内部を軸方向に沿って複数の空間に区分する仕切板９１により構成することができる。 （もっと読む）

本発明は、一般に、基板の急速熱処理（ＲＴＰ）の方法に関する。本発明の実施形態は、リアルタイム適応制御アルゴリズムを使用するか、又は種々の基板形式に対して設計された固定の制御アルゴリズムの組から選択された制御アルゴリズムを使用することにより、熱プロセスを制御することを含む。制御アルゴリズムの選択は、熱プロセス中に測定される基板の光学的特性に基づく。一実施形態において、ランプグループの大部分が固定制御アルゴリズムで制御されると共に、実質的に少数のランプゾーンが適応制御アルゴリズムで制御されるような制御アルゴリズムの組合せが使用される。 （もっと読む）

【課題】パーティクル及びコンタミネーションによる汚染を抑制しつつ被処理基板を８００℃以上の高温に安定して加熱することができるプラズマ処理装置及び基板加熱機構を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、基板載置台７、支持部８、支持部固定部２４を備える。基板載置台７は発熱体７４を内蔵する。発熱体７４及び電極３２は、ＳｉＣを含む材料からなり、電極３２は、支持部固定部２４に固定されるとともに、支持部８を貫通し、かつ先端部が発熱体７４に接続されている。そして、石英を含む絶縁材料からなる電極被覆管４３が、電極３２の先端部以外の部分を被覆し、基板載置台７の発熱体７４の下方部分、支持部８、及び支持部固定部２４を貫通するように設けられている。 （もっと読む）

【目的】基板エッジの温度をより均一に保つような支持部材を提供することを目的とする。
【構成】本発明の気相成長装置は、チャンバ１２０内にはヒータより加熱されるホルダ１１０上に載置されたシリコンウェハ１０１が収容され、チャンバ１２０には成膜するためのガスを供給する流路１２２及びガスを排気する流路１２４が接続された装置において、かかるホルダ１１０が、シリコンウェハ１０１と接触する第１のホルダ１１２と、第１のホルダ１１２に接続する第２のホルダ１１４とを有し、第１のホルダ１１２の材料として、第２のホルダ１１４に用いる材料よりも熱伝導率の大きい材料を用いることを特徴とする。本発明によれば、基板の温度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板が下向きに凸状に反ることによる局所加熱を防止すること。
【解決手段】 本発明は、基板２をサセプタ１の上面に設置して加熱しながらこの基板２上に化合物半導体膜４を堆積させる化合物導体膜の形成方法において、前記サセプタの上面に凹部３を設け、この凹部３は、前記基板２の下方へ凸の反りに対応して基板２の中心が前記サセプタ３に常に非接触で、基板２の外周部が前記サセプタ１に常に接触する深さと広さを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハに形成する薄膜の膜質のバラツキを防止できる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、真空室１内に、材料ガスを吐出する吐出口２ａが設けられた上部電極２と、ウエハ５が載置される下部電極４と、この下部電極４を支持する支持アーム１１と、下部電極４及び支持アーム１１の下方に配置された加熱ランプ７とを備える。下部電極４は、電極が内蔵された電極板４ａと嵌合部４ｂを有し、電極板４ａの端面にウエハ５の載置面４ｃが形成されている一方、嵌合部４ｂの端面に受熱面４ｄが形成されている。支持アーム１１は、下部電極の電極板４ａの縁部を支持する支持部１１ａと、下部電極の嵌合部４ｂが嵌合する開口１２を有する。加熱ランプ７からの熱光線が、支持アーム１１の開口１２を通って下部電極の受熱面４ｄの全面に照射されて、下部電極の載置面４ｃ上のウエハ５の温度が面内において均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置において、原料ガスの種類の切り替え、原料ガス流の変化、成膜反応熱、加熱条件などにより発生する反応室内部の温度勾配を是正し、膜厚および膜質の均一な薄膜を形成する。
【解決手段】 反応炉２と、反応炉２の内部に設けられ、原料ガス導入口４およびガス排出口５を有する反応室３と、反応室３内に設けられ、薄膜を形成するための基板６，７，８，９，１０を載置するサセプタ１１と、サセプタ１１の下方に設けられ、基板６，７，８，９，１０を加熱する基板加熱手段１２と、サセプタ１１および基板加熱手段１２を支持する回転軸１３とを含んで構成される気相成長装置１において、反応炉２の上面２ａと反応室３との間に、熱を反射、吸収または透過する温度制御部材１３を設け、薄膜成長の度合いに応じて、温度制御部材１３に変形および／または位置制御を施し、反応室３内の温度分布を調整する。 （もっと読む）

膜形成システムは、側壁および上部カバーによって境界を画定されている処理チャンバを含んでいる。一実施形態では、サセプタが該システムに回転可能に配置されており、該側壁周辺に配置されている第１の周辺部材と重複している。放射加熱システムが、該基板を加熱するために該サセプタの下方に配置されている。別の実施形態では、該上部カバーが、多数のゾーンにわたって該基板の温度を測定するために等しく間隔をあけられている高温計を有している。該基板の温度は該高温計の高温データから取得される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度分布を均一にし、かつ、膜厚及び品質が均一の膜を形成するためのプラズマCVD膜形成装置及び方法を与える。
【解決手段】プラズマCVD膜形成装置は、反応チェンバーと、反応チェンバー内に設置されたシャワープレートと、シャワープレートと実質的に平行に対向して設置された、ウエハを載置するためのサセプタとを含む。シャワープレートはサセプタに対向する面を有し、それは中心が凸となった形状を基本形状として、その上に少なくともひとつの式を重畳して形成され、該サセプタは、周辺部と、中心部と周辺部との間の位置でウエハを支持する。 （もっと読む）

【課題】 複数の白熱ランプからの光を被処理物に照射してＲＴＰを行う際、白熱ランプの個体差やリップルに起因して生じる被処理物上での照度分布パターンのばらつきを抑制し、被処理物を均一に加熱することが可能な光照射式加熱装置および光照射式加熱方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の光照射式加熱装置は、側面には光反射特性を有し、光入射面、光出射面には光透過特性を有するように構成される柱状の光学要素ユニットを複数組み合わせて構成され、ランプユニットと被処理物との間に設置された光学素子ユニットＣＯＵと、光学要素ユニットＣＯＵを駆動する回転駆動機構４２を備え、光学素子ユニットＣＯＵは、被処理物への光照射中、常に駆動している状態であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
大型基板においても、基板変形を小さく抑えながら、高速に基板を昇温させ、短時間で基板全面を均一な温度にすることが可能な基板加熱装置を提供する。
【解決手段】
均熱板５と、第１ヒータ１とを具備する基板加熱装置を用いる。均熱板５は、筐体１０内に設けられ、第１面９を有し、基板４を第１面９に密接させて保持可能である。第１ヒータ１は、筐体１０内に設けられ、第１面９に面し、基板４が第１面９に保持されたとき、基板４を加熱可能である。均熱板５は、基板４の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている。均熱板５は、均熱板５を加熱する第２ヒータ２０を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】昇温及び降温のいずれの場合にも短時間で基板全面を均一な温度にすることが可能な基板加熱装置、製膜装置を提供する。
【解決手段】製膜装置１は、均熱板１１と、基板設置板２とを具備する。均熱板１１は、基板６に膜を製膜する製膜室５内に設けられ、内部に直に流路を有する。基板設置板２は、一方の面が均熱板１１に密接されている。均熱板１１は、流路を流れる熱媒体により温度を制御される。基板設置板２は、その製膜のとき、他方の面が基板６に密接する。流路は複数有し、複数の流路は互いに交わらないことが好ましい。流路は、熱媒体が均熱板１１の外周側から中心側へ流れるように設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェハ等を載置する基板支持部材の外周部に載置する環状ヒータにおいて、ウェハ面内を均一に成膜したりエッチング加工できないという問題があった。
【解決手段】
主面を加熱面とした環状絶縁体に抵抗発熱体を備えてなる環状ヒータにおいて、上記抵抗発熱体は帯状に形成されており、上記環状絶縁体の内部に上記加熱面に並行に抵抗発熱体を配置する。 （もっと読む）